一种有机材料熔点的测试方法与流程

本发明涉及材料测试，具体涉及一种有机材料熔点的测试方法。

背景技术：

1、oled有机材料在生产使用过程中，常常需要制定合适的品质管控项目及指标，来保证生产品质的稳定。熔点是衡量材料的品质的关键指标之一，因此在oled量产材料入料质检项目中必不可少。通常大多材料的熔点只有一个，检测该材料的方法开发及标准制定都相对比较容易，但是对于一些对温度敏感的材料，特别是其在进行升华处理这个过程中，生产温度的微小波动，便会影响材料的晶型类型，材料晶型的多样而这常常会使材料进行熔点测试时出现双熔点峰现象，而双熔点峰受制程温度波动的影响，峰型忽大忽小，甚至有时只出现一个峰，这种现象严重影响了材料的熔点检测，导致该类材料的熔点标准无法合理制定。

技术实现思路

1、针对现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种有机材料熔点的测试方法，将双熔点峰有机材料转化为单熔点峰的有机材料来测定有机材料的熔点，提高双熔点峰有机材料熔点值测试的准确性，有助于为双熔点峰有机材料熔点制定合理标准。

2、本发明实施例提供一种有机材料熔点测试方法，包括如下步骤：

3、将待测的有机材料试样从室温匀速升温至第一温度tx1；

4、保温第一时间；

5、匀速降温至室温；

6、在室温下保温第二时间；

7、从室温开始升温至第二温度tx2；

8、获取待测有机材料试样的熔点值。

9、在一些实施例中，所述将待测的有机材料试样从室温匀速升温至tx之前，还包括步骤：

10、获取所述待测的有机材料试样的参考熔点温度范围。

11、在一些实施例中，所述有机材料的参考熔点温度范围包括第一熔点tm1和第二熔点tm2，且满足tm1＜tm2。

12、在一些实施例中，所述第一温度tx1满足tm1-30℃≤tx1≤tm2+30℃。

13、在一些实施例中，所述第一温度tx1小于所述待测的有机材料的裂解点温度。

14、在一些实施例中，所述第二温度tx2高于所述第二熔点tm2的温度范围为20℃～60℃。

15、在一些实施例中，所述从室温开始升温至第二温度tx2后，所述待测的有机材料包括一个熔点峰，所述熔点峰对应的温度值即为所述待测材料的熔点值。

16、在一些实施例中，所述获取待测有机材料的熔点还包括如下步骤：

17、计算待测样品测得的有机材料的熔点的平均值，所述平均值即为所述有机材料的熔点。

18、在一些实施例中，所述第一时间为10min～60min，所述第二时间为10min～20min。

19、在一些实施例中，采用差示扫描量热仪执行所述有机材料熔点测试方法的步骤。

20、本发明所提供的有机材料熔点的测试方法具有如下优点：

21、本发明提供了一种测试有机材料熔点的方法，将有机材料的双熔点峰转化为单熔点峰，根据单熔点峰得出有机材料的熔点值，所述方法操作简单，重复性好，可为有机材料熔点值制定合理标准。

技术特征：

1.一种有机材料熔点测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述将待测的有机材料试样从室温匀速升温至tx之前，还包括步骤：

3.根据权利要求2所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述有机材料的参考熔点温度范围包括第一熔点tm1和第二熔点tm2，且满足tm1＜tm2。

4.根据权利要求1所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述第一温度tx1满足tm1-30℃≤tx1≤tm2+30℃。

5.根据权利要求4所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述第一温度tx1小于所述待测的有机材料的裂解点温度。

6.根据权利要求3所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述第二温度tx2高于所述第二熔点tm2的温度范围为20℃～60℃。

7.根据权利要求1所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述从室温开始升温至第二温度tx2后，所述待测的有机材料包括一个熔点峰，所述熔点峰对应的温度值即为所述待测材料的熔点值。

8.根据权利要求7所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述获取待测有机材料的熔点还包括如下步骤：

9.根据权利要求1所述的有机材料熔点测试方法，其特征在于，所述第一时间为10min～60min，所述第二时间为10min～20min。

10.根据权利要求9所述的有机材料熔点测试系统，其特征在于，采用差示扫描量热仪执行所述有机材料熔点测试方法的步骤。

技术总结
本发明提供了一种有机材料熔点的测试方法，包括如下步骤：将待测的有机材料试样从室温匀速升温至第一温度T<subgt;x1</subgt;；保温第一时间；匀速降温至室温；在室温下保温第二时间；从室温开始升温至第二温度T<subgt;x2</subgt;；获取待测有机材料试样的熔点值。本发明方法简单，重复性好，有助于有机材料熔点值制定合理标准。

技术研发人员：蔡萌萌,黄雪明,蒋瑞
受保护的技术使用者：上海和辉光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13