一种压力传感器用壳体结构的制作方法

文档序号:32071345发布日期:2022-11-05 02:34阅读:32来源:国知局
一种压力传感器用壳体结构的制作方法

1.本实用新型涉及压力传感器,特别涉及一种压力传感器用壳体结构。


背景技术:

2.压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成。采用单晶硅片为弹性元件,在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺,在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻,并将电阻接成桥路,单晶硅片置于传感器腔内。当压力发生变化时,单晶硅产生应变,使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成正比的变化,再由桥式电路获相应的电压输出信号。压力传感器芯片在生产中往往需要进行封装,现有的封装结构复杂多样,适用性较低。


技术实现要素:

3.本实用新型目的是:提供一种压力传感器用壳体结构,能适应多种尺寸的压力传感芯片。
4.本实用新型的技术方案是:
5.一种压力传感器用壳体结构,包括主壳体和金属件;所述主壳体上部设有阶梯型元件腔,下部设有与元件腔底部相通的通孔;所述金属件为l型, 嵌置在主壳体阶梯型元件腔两侧,一端从元件腔内露出,另一端从主壳体上表面露出。
6.优选的,所述主壳体下部的通孔,为上窄下宽的锥形孔。
7.优选的,所述主壳体为绝缘塑料通过注塑一体成型结构。
8.优选的,所述金属件为模具冲压一体成型结构。
9.优选的,所述金属件与主壳体上表面临界处设有向外的凸起结构,所述凸起结构的上表面与主壳体上表面平齐。
10.本实用新型的优点是:
11.本实用新型的压力传感器用壳体结构,只包含主壳体和金属件两种组件,主壳体上部设有阶梯型元件腔,金属件嵌置在主壳体阶梯型元件腔两侧,向内、外提供引线焊接点位,同时主壳体下部设有与元件腔底部相通的通孔,外部的压力传导通过通孔后传导至压力器件,进行信号检测,本实用新型结构简单,可以适应不同尺寸的压力传感芯片。
附图说明
12.下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
13.图1为本实用新型的压力传感器用壳体结构。
具体实施方式
14.实施例:
15.本实用新型所提出的一种压力传感器用壳体结构,包括主壳体1和金属件2;所述主壳体1上部设有阶梯型元件腔11,做为压力器件放置平台使用,可以放置不同尺寸的压力
感应芯片;所述金属件2为l型, 嵌置在主壳体1阶梯型元件腔11两侧,一端从元件腔11内露出,另一端从主壳体1上表面露出,向内、外提供引线焊接点位。
16.主壳体1下部设有与元件腔11底部相通的通孔10,通孔10为上窄下宽的锥形孔,外部的压力传导通过通孔后传导至压力器件,进行信号检测。
17.所述主壳体1为绝缘塑料通过注塑一体成型结构。
18.所述金属件2为模具冲压一体成型结构。
19.所述金属件2与主壳体1上表面临界处设有向外的凸起结构21,所述凸起结构21的上表面与主壳体1上表面平齐。金属件2的上端和凸起结构21均可作为向外的引线焊接点位,可以适应不同的应用产品。
20.上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。


技术特征:
1.一种压力传感器用壳体结构,其特征在于,包括主壳体(1)和金属件(2);所述主壳体(1)上部设有阶梯型元件腔(11),下部设有与元件腔底部相通的通孔(10);所述金属件(2)为l型, 嵌置在主壳体(1)阶梯型元件腔(11)两侧,一端从元件腔(11)内露出,另一端从主壳体(1)上表面露出。2.根据权利要求1所述的压力传感器用壳体结构,其特征在于,所述主壳体(1)下部的通孔(10),为上窄下宽的锥形孔。3.根据权利要求2所述的压力传感器用壳体结构,其特征在于,所述主壳体(1)为绝缘塑料通过注塑一体成型结构。4.根据权利要求3所述的压力传感器用壳体结构,其特征在于,所述金属件(2)为模具冲压一体成型结构。5.根据权利要求4所述的压力传感器用壳体结构,其特征在于,所述金属件(2)与主壳体(1)上表面临界处设有向外的凸起结构(21),所述凸起结构(21)的上表面与主壳体(1)上表面平齐。

技术总结
本实用新型公开了一种压力传感器用壳体结构,包括主壳体和金属件;所述主壳体上部设有阶梯型元件腔,下部设有与元件腔底部相通的通孔;所述金属件为L型,嵌置在主壳体阶梯型元件腔两侧,一端从元件腔内露出,另一端从主壳体上表面露出。本实用新型的压力传感器用壳体结构,只包含主壳体和金属件两种组件,主壳体上部设有阶梯型元件腔,金属件嵌置在主壳体阶梯型元件腔两侧,向内、外提供引线焊接点位,同时主壳体下部设有与元件腔底部相通的通孔,外部的压力传导通过通孔后传导至压力器件,进行信号检测,本实用新型结构简单,可以适应不同尺寸的压力传感芯片。尺寸的压力传感芯片。尺寸的压力传感芯片。


技术研发人员:王东平 李正
受保护的技术使用者:苏州感芯微系统技术有限公司
技术研发日:2022.03.31
技术公布日:2022/11/4
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