一种半导体设备电气柜的温度监控装置的制作方法

本技术涉及电气柜，特别涉及一种半导体设备电气柜的温度监控装置。

背景技术：

1、半导体设备都配有电气柜，通过电源柜与各种电力半导体设备，在具有导电性介于良导电体与绝缘体之间特性的电力半导体设备，能够对电力进行产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换作用。电气柜内部设置多种类和规格的电气开关用于设备各机构的运行，各电气开关均定义了最大可承受电流、电压或温度，在通电运行过程中超过其设定值时跳闸，而在长期24小时不间断通电运行过程中，电气开关触点或接线柱会出现轻微氧化，从而造成接触电阻增加，电流增大，温度升高，严重时会引起开关或接线柱烧毁，存在安全隐患。

2、半导体设备的电力维护中，往往使用红外扫描仪每月或每季度手动进行电柜温度扫描，排查和记录电气开关的温度变化。但这种方式适用于发现缓慢发生温度变化的隐患，而对于触点或接线柱在短时间内快速升温的隐患只能通过电气开关跳闸或vesda(veryearly smoke detection apparatus，吸气式或采样式烟雾探测器)报警的方式发现，实际上部分电气开关发生跳闸前，其开关触点或接线柱已发生氧化、烧蚀痕迹，如能够及时发现此异常变化并做出故障处置，可防止跳闸发生，从而减少对设备、产品等造成的损失。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种半导体设备电气柜的温度监控装置，以消除设备电气柜内温度快速升温带来的安全隐患。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体设备电气柜的温度监控装置，包括：

3、设备电气柜；

4、温感探头，设置于所述设备电气柜中用于检测所述设备电气柜内的温度并输出温度检测信号；

5、温度监控器，包括信号收发模块、处理模块和显示模块，所述信号收发模块分别与所述处理模块、所述显示模块通信连接；所述温感探头的信号输出端与所述温度监控器的信号收发模块通信连接；

6、声光报警装置，所述声光报警装置与所述温度监控器的信号收发模块通信连接。

7、优选地，所述温感探头为热敏电阻制成的温感探头。

8、优选地，所述热敏电阻的测量温度范围为-50℃～200℃。

9、优选地，所述温感探头的数量为一个或多个。

10、优选地，所述设备电气柜的内壁上设置有大电流开关，所述温感探头设置于靠近所述大电流开关的所述内壁上；和/或，所述温感探头设置于所述设备电气柜中变压器的外壁上，和/或，所述温感探头设置于所述设备电气柜的热排风口处。

11、优选地，还包括电源，所述电源的电力输出端设置有转接的电源插座，所述温度监控器电连接所述电源插座。

12、优选地，所述信号收发模块、所述处理模块和所述显示模块分别与所述电源插座电连接。

13、优选地，所述声光报警装置包括蜂鸣器以及警示灯，所述蜂鸣器和所述警示灯分别与所述温度监控器的信号收发模块的通信连接。

14、优选地，所述信号收发模块还通信连接有远程服务器。

15、优选地，所述信号收发模块和所述远程服务器之间通过网线相连。

16、本实用新型通过在半导体设备电气柜内部设置温度感应探头实时采集温度数据，例如在电气柜的大电流开关、变压器、热排风口等处设置温感探头，温感探头将获取的数据传输给电柜外部的温度监控器中，温度监控器显示获取的温度数据以实时监控，温度监控器还在温度超出预设的温度报警范围时控制声光报警装置发出声光报警，进行超温警示，温度监控器还能够通过secs协议经网线传输到远程中控机或fdc系统，实现远程实时监控，从而及早发现并解决隐患，保证设备、产品和人员安全，减少损失。

技术特征：

1.一种半导体设备电气柜的温度监控装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体设备电气柜的温度监控装置，其特征在于，还包括电源，所述电源的电力输出端设置有转接的电源插座，所述温度监控器电连接所述电源插座。

3.如权利要求2所述的半导体设备电气柜的温度监控装置，其特征在于，所述信号收发模块、所述处理模块和所述显示模块分别与所述电源插座电连接。

4.如权利要求1所述的半导体设备电气柜的温度监控装置，其特征在于，所述信号收发模块和所述远程服务器之间通过网线相连。

技术总结
本技术提供了一种半导体设备电气柜的温度监控装置，涉及电气柜技术领域。一种半导体设备电气柜的温度监控装置，包括设备电气柜；温感探头，设置于设备电气柜中用于检测设备电气柜内的温度并输出温度检测信号；温度监控器，包括信号收发模块、处理模块和显示模块，信号收发模块分别与所述处理模块、所述显示模块通信连接；温感探头的信号输出端与所述温度监控器的信号收发模块通信连接；声光报警装置。通过在半导体设备电气柜内部设置温度感应探头实时采集温度数据以实时监控，以及使声光报警装置进行超温警示，从而及早发现并解决隐患，保证设备、产品和人员安全，减少损失。

技术研发人员：杨保勋,杨立华,陈诚,黄斌
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：20220929
技术公布日：2024/1/13