一种薄膜压力传感器的制作方法

本技术涉及传感器，特别是涉及一种用于触感反馈智能笔的薄膜压力传感器。

背景技术：

1、随着各种智能设备的兴起，人们对电子化书写文件产生了越来越大的需求。目前出现了各种压感智能笔，其可以在特定的电子设备上如电容屏、电磁屏以及红外触摸屏等进行手写输入。智能笔的核心元器件为其中的压力传感器，书写过程中的压力信号可通过笔头、笔尖等传递到压力传感器，实现书写时的压力信号到传感器电信号的转换，配合其他传感器或特定的软件算法，实现书写位置、笔迹粗细的识别。

2、然而，现有智能笔中使用的电容型或者应变计型的传感器处理电路复杂，信号易受干扰，相对成本较高，很难在实际的商品中推广。而对于现有的压阻型的薄膜压力传感器，则存着压力触发点较高，过载稳定性不佳，长期使用寿命差等诸多问题。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种薄膜压力传感器，降低压力触发点，提高过载稳定性，提高使用寿命，降低成本。

2、本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种薄膜压力传感器，包括电极层、设置在所述电极层上的敏感层、覆盖在所述敏感层的基底层，所述电极层与所述敏感层的两端通过粘合层连接，所述电极层的另一表面设有垫片层，所述垫片层的厚度为20-150um。

4、优选地，所述基底层厚度为20-200um。

5、优选地，所述粘合层厚度为10-100um。

6、优选地，所述电极层厚度为20-150um。

7、优选地，所述基底层的材质为pet或pc或pu或pdms或sebs或聚酯纤维织布。

8、优选地，所述粘合层为双面胶或硅胶类胶水。

9、优选地，所述电极层为柔性fpc线路或基于银浆、碳浆的丝网印刷线路。

10、优选地，所述垫片层为丝网印刷的热固性树脂或点胶形成的硅胶类材料。

11、优选地，所述基底层、所述敏感层及所述电极层的宽度相同，所述垫片层的宽度小于所述基底层或所述敏感层或所述电极层的宽度。

12、优选地，若所述基底层或所述敏感层或所述电极层的宽度为b，所述垫片层的宽度为b，则b＝(2～2.5)b。

13、本实用新型实施例的一种薄膜压力传感器，与现有技术相比，其有益效果在于：本实用新型提供的薄膜压力传感器，在5g的压力下即可触发，降低了压力触发点；在5-500g的压力范围内显示出良好的压感响应，过载10倍依旧展现能快速恢复到原始状态，提高过载稳定性；满量程使用500万次传感器性能依旧不受影响，提高了使用寿命。此外，该薄膜压力传感器结构简单，制备工艺简单，成本较低，大大有利于其在智能压感笔上的推广使用。

技术特征：

1.一种薄膜压力传感器，其特征在于：包括电极层、设置在所述电极层上的敏感层、覆盖在所述敏感层的基底层，所述电极层与所述敏感层的两端通过粘合层连接，所述电极层的另一表面设有垫片层，所述垫片层的厚度为20-150um。

2.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于：所述基底层厚度为20-200um。

3.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于：所述粘合层厚度为10-100um。

4.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于：所述电极层厚度为20-150um。

5.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于：所述基底层的材质为pet或pc或pu或pdms或sebs或聚酯纤维织布。

6.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于：所述粘合层为双面胶或硅胶类胶水。

7.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于：所述电极层为柔性fpc线路或基于银浆、碳浆的丝网印刷线路。

8.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于：所述垫片层为丝网印刷的热固性树脂或点胶形成的硅胶类材料。

9.如权利要求1所述的薄膜压力传感器，其特征在于：所述基底层、所述敏感层及所述电极层的宽度相同，所述垫片层的宽度小于所述基底层或所述敏感层或所述电极层的宽度。

10.如权利要求9所述的薄膜压力传感器，其特征在于：若所述基底层或所述敏感层或所述电极层的宽度为b，所述垫片层的宽度为b，则b＝(2～2.5)b。

技术总结
本技术涉及传感器技术领域，公开了一种薄膜压力传感器，包括电极层、设置在所述电极层上的敏感层、覆盖在所述敏感层的基底层，所述电极层与所述敏感层的两端通过粘合层连接，所述电极层的另一表面设有垫片层，所述垫片层的厚度为20‑150um，本技术提供的薄膜压力传感器，在5g的压力下即可触发，降低了压力触发点；在5‑500g的压力范围内显示出良好的压感响应，过载10倍依旧展现能快速恢复到原始状态，提高过载稳定性；满量程使用500万次传感器性能依旧不受影响，提高了使用寿命。此外，该薄膜压力传感器结构简单，制备工艺简单，成本较低，大大有利于其在智能压感笔上的推广使用。

技术研发人员：秦泽昭,张通,鱼婧,杨小牛
受保护的技术使用者：广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院
技术研发日：20221117
技术公布日：2024/1/13