低成本的B方法高压隔离筛选测试与流程

背景技术：

1、高压封装电子器件包括在不同电压水平下操作的电路，不同电压域之间具有高压隔离。例如，高压电容器可以提供在不同电压域中操作的发送电路与接收电路之间的隔离。其他隔离电路包括变压器或光隔离部件。对于所有这些高压隔离技术，隔离电路都需要对隔离进行高压测试。虽然集成隔离电路系统可以在制造期间被测试，但由于标准所要求的测试时间较长，因此用于高压隔离筛选的封装级最终测试插入具有高成本。

技术实现思路

1、在一方面，一种方法包括：将ac测试电压信号施加到电子器件的端子，该ac测试电压信号具有100hz以上的测试频率；感测在ac测试电压信号的施加期间该电子器件的电流信号；以及响应于电流信号小于电流阈值，将电子器件标识为通过隔离测试。

2、在另一方面，一种方法包括：将ac测试电压信号施加到电子器件的端子，该ac测试电压信号具有100hz以上的测试频率；测量在ac测试电压信号的施加期间电子器件的局部放电；以及响应于局部放电小于局部放电阈值，将电子器件标识为通过局部放电测试。

3、在另一方面，一种系统包括测试端子、ac电源和信号处理系统。测试端子被适配成耦合至电子器件的端子。ac电源具有耦合至测试端子的输出端。ac电源被配置成将第一ac测试电压信号施加到测试端子持续0.1秒以上0.5秒以下的第一持续时间。第一ac测试电压信号具有100hz以上的测试频率，并且第一ac测试电压信号具有1kv rms以上10kv rms以下的幅度。信号处理系统具有电压感测输入端和电流感测输入端。电压感测输入端耦合到测试端子，并且电流感测输入端耦合到电流传感器，以便感测在第一ac测试电压信号的施加期间电子器件的电流信号。信号处理系统被配置为响应于电流信号小于电流阈值，将电子器件标识为通过隔离测试。ac电源被配置为在电子器件被标识为通过隔离测试之后，将第二ac测试电压信号施加到测试端子持续0.1秒以上0.5秒以下的第二持续时间，该第二ac测试电压信号具有100hz以上的第二测试频率，并且该第二ac测试电压信号具有1kv rms以上5kv rms以下的幅度。信号处理系统被配置为测量在第二ac测试电压信号的施加期间电子器件的局部放电，并且响应于局部放电小于局部放电阈值，将电子器件标识为通过局部放电测试。

技术特征：

1.一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述ac测试电压信号施加到所述电子器件的端子持续0.01秒以上0.5秒以下的持续时间。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述ac测试电压信号为正弦波。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述ac测试电压信号为方波。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述ac测试电压信号作为双极性信号被施加在所述电子器件的端子与第二端子之间。

8.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，测量所述电子器件的局部放电包括：

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二测试频率等于所述测试频率。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二ac测试电压信号具有1kv rms以上5kvrms以下的幅度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，将所述第二ac测试电压信号施加到所述电子器件的所述端子持续0.01秒以上0.5秒以下的持续时间。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二ac测试电压信号为正弦波。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二ac测试电压信号为方波。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

16.一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其中，测量所述电子器件的局部放电包括：

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述ac测试电压信号具有1kv rms以上5kv rms以下的幅度。

19.根据权利要求16所述的方法，其中，将所述ac测试电压信号施加到所述电子器件的端子持续0.01秒以上0.5秒以下的持续时间。

20.一种用于测试电子器件的系统，所述系统包括：

技术总结
一种方法(100)包括：将AC测试电压信号(VT)施加(110)到电子器件的端子，该AC测试电压信号(VT)具有300Hz至100kHz的测试频率(F1)；感测(112)在AC测试电压信号(VT)的施加期间该电子器件的电流信号(IT)；以及响应于电流信号(IT)小于电流阈值(ITH)，将电子器件(200)标识(115)为通过隔离测试。在将电子器件标识(115)为通过隔离测试之后，方法(100)包括：将第二AC测试电压信号(VT)施加(116)到电子器件的端子，该第二AC测试电压信号(VT)具有300Hz至100kHz的第二测试频率(F2)；测量(118)在施加第二AC测试电压信号(VT)期间该电子器件的放电；以及响应于放电小于放电阈值(DTH)，将电子器件(200)标识(121)为通过放电测试。

技术研发人员：T•D•博尼菲尔德
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15