气体分析仪的制作方法

本发明涉及一种气体分析仪。

背景技术：

1、以往，已知利用光谱分析的气体分析仪(例如，参照专利文献1和非专利文献1)。

2、专利文献1：日本专利特开2001-188043号公报

3、非专利文献1：quantitative spectroscopy radiative transfer vol.56,no.2,pp.187-208,1996、johan mellqvist and arne rosen“doas for flue gas monitoring-i.temperature effects in the u.v./visible absorption spectra of no,n02,so2and nh3”(定量光谱学辐射传输第56卷，第2期，第187-208页，1996年，johan mel lqvist和arne rosen，“烟气监测差分吸收光谱技术——i.no、n02、so2和nh3的紫外/可见吸收光谱中的温度效应”)

4、发明所要解决的技术问题

5、气体分析仪优选能够高精度地测定气体浓度。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，在本发明的第1方式中，提供一种气体分析仪，对样品气体中包含的测定对象成分的浓度进行测定。气体分析仪可以包括光源部，该光源部射出含有所述测定对象成分的吸收波长的光。气体分析仪可以包括单元，该单元在密封了所述样品气体的空间中容纳一个以上用于反射所述光的反射镜。气体分析仪可以包括受光元件，该受光元件用于获取通过了所述单元的所述光的辐射光谱。气体分析仪可以包括陷波滤光片，该陷波滤光片配置在从所述光源部到所述受光元件的任意光路中，并且具有用于减小所述光源部所射出的所述光的辐射光谱中的任意峰的强度的限制频带。气体分析仪可以包括处理部，该处理部处理所述受光元件的受光信号，并测定所述测定对象成分的浓度。

2、所述陷波滤光片可以配置在所述单元的内部。

3、所述单元可以具有入射窗，该入射窗用于使来自所述光源部的所述光射入到所述单元的内部。一个以上所述反射镜可以含有从所述入射窗射入的所述光最先到达的第1反射镜。所述陷波滤光片可以配置在所述入射窗和所述第1反射镜之间的所述光路中。

4、所述陷波滤光片可以配置在所述光源部和所述单元之间的所述光路中。

5、所述单元可以具有用于将所述光射出到所述单元的外部的出射窗。一个以上所述反射镜可以含有从所述出射窗射出的所述光最后反射的第2反射镜。所述陷波滤光片可以配置在所述第2反射镜与所述受光元件之间的所述光路中。

6、气体分析仪还可以包括调整部，该调整部用于调整所述陷波滤光片的限制频带的波长。

7、所述调整部可以通过调整所述光相对于所述陷波滤光片的入射角度来调整所述限制频带的波长。

8、在所述调整部调整了所述入射角度的情况下，所述处理部可以校正所述受光信号的强度。

9、在调整了所述入射角度的情况下，所述调整部可以调整至少一个所述反射镜的反射面的角度。

10、在所述调整部中，可以设定能够变更所述入射角度的变更范围。

11、所述陷波滤光片可以以与所述入射角度对应的出射角度射出所述光。

12、在所述出射角度改变的情况下，至少一个所述反射镜上被所述光照射的光斑位置可以在第1方向上变化。

13、所述至少一个所述反射镜可以具有反射面，该反射面的大小将相对于所述陷波滤光片的所述入射角度从所述变更范围内的最小值变更到最大值时的所述光的所述光斑位置包含在内。

14、气体分析仪可以将所述陷波滤光片设置在不同的多个位置。

15、另外，上述发明概要并不是对本发明的所有必要特征进行列举。此外，这些特征组的子组合也可以构成发明。

技术特征：

1.一种气体分析仪，对样品气体中含有的测定对象成分的浓度进行测定，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的气体分析仪，其特征在于，

3.如权利要求2所述的气体分析仪，其特征在于，

4.如权利要求1所述的气体分析仪，其特征在于，

5.如权利要求1所述的气体分析仪，其特征在于，

6.如权利要求1至5中任一项所述的气体分析仪，其特征在于，

7.如权利要求6所述的气体分析仪，其特征在于，

8.如权利要求7所述的气体分析仪，其特征在于，

9.如权利要求7所述的气体分析仪，其特征在于，

10.如权利要求7所述的气体分析仪，其特征在于，

11.如权利要求1至5中任一项所述的气体分析仪，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种气体分析仪，该气体分析仪对样品气体中含有的测定对象成分的浓度进行测定，包括：光源部，其射出含有所述测定对象成分的吸收波长的光；单元，其在密封了所述样品气体的空间中容纳一个以上用于反射所述光的反射镜；受光元件，其用于获取通过了所述单元的所述光的辐射光谱；陷波滤光片，其配置在从所述光源部到所述受光元件的任意光路中，并且具有用于减小所述光源部所射出的所述光的辐射光谱中的任意峰的强度的限制频带；以及处理部，其处理所述受光元件的受光信号，并测定所述测定对象成分的浓度。

技术研发人员：大登正敬,武田直希,东亮一,李波
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15