检测基板、检测器以及检测装置的制作方法

文档序号:36505277发布日期:2023-12-28 12:32阅读:89来源:国知局
检测基板的制作方法

本公开涉及检测基板、检测器以及检测装置。


背景技术:

1、在专利文献1中,公开了利用squid元件,测量试样的各点上的磁场的装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2016-014541号


技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、在专利文献1记载的技术中,在试样和squid元件之间插入蓝宝石窗,并且,需要在蓝宝石窗和squid元件之间设置用于绝热的一定距离。因此,不能使squid元件靠近试样。因此,难以将接近的磁场分布分离而分别观察。如此地,检测精度存在改善的余地。

3、解决课题的手段

4、一种实施方式的检测基板,具备:在一边的表面形成nv中心的金刚石晶体;以及,位于所述金刚石晶体中的与形成nv中心的表面相反的一侧的表面的辐射体。

5、一种实施方式的检测器,具备:检测基板以及电介质基体;所述检测基板具备:形成nv中心的金刚石晶体;以及,设置在所述金刚石晶体的辐射体。

6、一种实施方式的检测装置,具备上述的检测器、发光元件以及受光元件;所述发光元件向所述nv中心照射光;所述受光元件接收所述nv中心的荧光。

7、发明效果

8、根据本公开的一种方式的检测基板、检测器以及检测装置,能够高精度地检测磁场。



技术特征:

1.检测基板,具备:

2.根据权利要求1所述的检测基板,所述nv中心配置在所述金刚石晶体的一边的表面;

3.根据权利要求2所述的检测基板,所述金刚石晶体的一边的表面配置为靠近检测对象。

4.根据权利要求1所述的检测基板,所述辐射体具有:

5.检测器,具备:权利要求1至4中任一项所述的检测基板;以及,

6.根据权利要求5所述的检测器,所述nv中心配置在所述金刚石晶体的一边的表面;

7.根据权利要求6所述的检测器,所述金刚石晶体的一边的表面配置为靠近检测对象。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的检测器,所述电介质基体经由所述辐射体与所述检测基板电连接。

9.根据权利要求8所述的检测器,所述电介质基体具备振荡元件,所述振荡元件与所述电介质基体上的配线电连接;

10.根据权利要求9所述的检测器,所述振荡元件与所述电介质基体接触。

11.根据权利要求10所述的检测器,所述振荡元件位于与形成所述nv中心的表面相反的一侧的表面。

12.根据权利要求5至11中任一项所述的检测器,所述电介质基体形成为容纳所述检测基板的筒状。

13.根据权利要求5至12中任一项所述的检测器,所述辐射体形成为环状;

14.根据权利要求5至13中任一项所述的检测器,所述金刚石晶体中的形成所述nv中心的表面是平滑的表面。

15.检测装置,具备权利要求5至14中任一项所述的检测器、发光元件以及受光元件;

16.根据权利要求15所述的检测装置,所述发光元件和所述受光元件,紧贴所述金刚石晶体中的与形成所述nv中心的表面的相反的一侧的表面中的、未配置所述辐射体的部分而配置。

17.根据权利要求16所述的检测装置,所述发光元件和所述受光元件,与所述金刚石晶体中的与形成所述nv中心的表面的相反的一侧的表面中的、未配置所述辐射体的部分的正上方隔开一定距离而配置。

18.根据权利要求17所述的检测装置,所述检测器包括光学窗,所述光学窗容纳在所述电介质基体中,并配置为与所述检测基板相对。


技术总结
检测基板(11)具备形成NV中心(112)的金刚石晶体(111);以及,设置在金刚石晶体(111)的天线导体(113)。

技术研发人员:岸田裕司,吉川博道
受保护的技术使用者:京瓷株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1