检查装置的制作方法

本公开涉及一种检查装置。本申请基于2022年3月9日向日本专利局提出的特愿2022-036204号主张优先权，并将其内容援引于此。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种反射型的太赫兹波计测装置(检查装置)，其构成为能够向构造物的表面照射作为电磁波的一种的太赫兹波，并且构成为能够检测被构造物反射后的太赫兹波。该太赫兹波计测装置具备作为太赫兹波发送单元的太赫兹波发送器、以及作为太赫兹波检测单元的太赫兹波检测器。在该太赫兹波计测装置中，太赫兹波发送器使用具备共振隧穿二极管(rtd)等的太赫兹波产生元件或光导天线(pca)，太赫兹波发送器使用由rtd构成的太赫兹波检测元件。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-26991号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、但是，在专利文献1所示的现有结构中，太赫兹波发送器由rtd、pca等半导体元件构成，因此由太赫兹波发送器发送的太赫兹波微弱，sn比(信噪比)小，难以检查位于难透过材料的下层的检查对象物。

3、另一方面，当由芯片激光器等光束光源构成光源时，成为比从半导体元件照射的太赫兹波强(高输出)的太赫兹波，能够检查位于难透过材料的下层的检查对象物。由难透过材料的表面反射后的后方散射成分(不需要成分)比由检查对象物反射后的反射成分(信号成分)强，因此由检查对象物反射后的反射成分(信号成分)隐藏于由难透过材料的表面反射后的后方散射成分(不需要成分)的阴影中，难以进行检查对象物的检查。

4、鉴于上述情况，本发明的至少一实施方式的目的在于，提供一种能够检查位于难透过材料的下层的检查对象物的检查装置。

5、用于解决课题的方案

6、本发明的至少一实施方式的检查装置具备：

7、光源，其输出时间宽度为10皮秒至10纳秒的脉冲激发光；

8、非线性光学晶体，其通过所述脉冲激发光的光波长转换而产生太赫兹波；

9、偏振部，其反射所述太赫兹波由检查对象物反射后的反射波的至少一部分；以及

10、检测器，其检测由所述偏振部反射后的反射波。

11、发明效果

12、根据本发明的至少一实施方式，由难透过材料的表面反射后的后方散射成分(不需要成分)透过偏振部，由位于难透过材料的下层的检查对象物反射后的反射成分(信号成分)由偏振部反射。由此，由难透过材料的表面反射后的后方散射成分(不需要成分)与由检查对象物反射后的反射成分(信号成分)分离。因此，能够用检测器检测来自检查对象物的反射成分(信号成分)，能够进行检查对象物的检查。

技术特征：

1.一种检查装置，其中，

2.根据权利要求1所述的检查装置，其中，

3.根据权利要求1所述的检查装置，其中，

4.根据权利要求3所述的检查装置，其中，

5.根据权利要求3或4所述的检查装置，其中，

6.根据权利要求1所述的检查装置，其中，

7.根据权利要求1至4中任一项所述的检查装置，其中，

8.根据权利要求1至4中任一项所述的检查装置，其中，

技术总结
本发明提供一种能够检查位于难透过材料的下层的检查对象物的检查装置。检查装置具备：光源，其输出时间宽度为10皮秒至10纳秒的脉冲激发光；非线性光学晶体，其通过所述脉冲激发光的光波长转换而产生太赫兹波；偏振部，其反射所述太赫兹波由检查对象物反射后的反射波的至少一部分；以及检测器，其检测由所述偏振部反射后的反射波。

技术研发人员：山本修作,梶川敬介,神纳祐一郎,南出泰亚,绳田耕二
受保护的技术使用者：三菱重工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15