一种UV减粘膜的扩膜性能的测试方法与流程

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种uv减粘膜的扩膜性能的测试方法。

背景技术：

1、在半导体技术领域，经常需要涉及扩膜工序，例如，将晶圆切割成多个阵列的晶粒，将晶粒置于uv减粘膜上，对uv减粘膜进行扩膜，使晶粒间的间隔距离增大，以进行相应的分选或者测试等工作。

2、uv减粘膜的扩膜性能的好坏，对后续晶粒的分选、固晶或测试工序具有较大的影响。因此，在制备或者选用uv减粘膜时，有必要对uv减粘膜的扩膜性能进行测试。

技术实现思路

1、基于上述的不足，本申请示例提供了一种uv减粘膜的扩膜性能的测试方法，以部分或全部地改善相关技术中扩膜性能的测试问题。

2、本申请是这样实现的：

3、本申请的示例提供了一种uv减粘膜的扩膜性能的测试方法，包括：

4、uv减粘膜具有拉伸区域，沿第一预设方向，在拉伸区域上标记第一标点和第二标点；对拉伸区域进行周向的均匀拉伸，获得拉伸区域在拉伸前后，第一标点与第二标点之间单位长度的第一距离变化率，表征uv减粘膜的扩膜性能。

5、在上述实现过程中，预先在待测试的uv减粘膜的拉伸区域标记第一标点和第二标点，然后对拉伸区域进行周向的均匀拉伸。在对拉伸区域进行周向的均匀拉伸之后，拉伸区域的面积会沿周向发生扩张。因此，标记在拉伸区域上的第一标点和第二标点之间的间隔距离会增大。利用沿周向均匀的拉伸前后的拉伸区域上的第一标点和第二标点之间的单位长度的第一距离变化率，可以反映拉伸区域的uv减粘膜在沿周向均匀拉伸过程后(扩膜之后)的扩膜性能。

6、利用周向的均匀拉伸的数据表征uv减粘膜的扩膜性能，能够更加贴近uv减粘膜在实际扩膜过程中的扩膜特点，更加真实的反映待测试的uv减粘膜的扩膜性能。

7、在本申请示例提供的一种可能的实施方式中，在拉伸区域上标记多组第一标点和第二标点，获得多组第一距离变化率，共同表征uv减粘膜的扩膜性能。

8、可选地，在拉伸区域上标记5-10组第一标点和第二标点，获得5-10组第一距离变化率。

9、在本申请示例提供的一种可能的实施方式中，利用多组第一距离变化率，获得第一平均值、第一方差和/或第一标准差，表征uv减粘膜的扩膜性能。

10、在上述实现过程中，在待测试的拉伸区域上，预先标记多组第一标点和第二标点，可以在沿周向的均匀拉伸之后，同时获得多组第一距离变化率。利用多组第一距离变化率同时表征uv减粘膜的扩膜性能，能够减小测试误差，更加真实的反映uv减粘膜的扩膜性能。

11、在本申请示例提供的一种可能的实施方式中，沿第二预设方向，在拉伸区域上标记第三标点和第四标点，获得拉伸区域在拉伸前后，第三标点与第四标点之间单位长度的第二距离变化率；第二预设方向与第一预设方向相交；根据第一距离变化率和第二距离变化率，共同表征uv减粘膜的扩膜性能。

12、可选地，第二预设方向与第一预设方向垂直；

13、可选地，沿第二预设方向，在拉伸区域上标记多组第三标点和第四标点，获得多组第二距离变化率；

14、可选地，根据多组第二距离变化率，获得第二平均值、第二方差和/或第二标准差。

15、在上述实现过程中，在拉伸区域沿第一预设方向标记第一标点和第二标点的同时，还沿第二预设方向标记第三标点和第四标点，可以获得拉伸区域在扩膜之后，沿不同方向的拉伸性能。利用多组不同方向的距离变化数据，可以进一步的表征uv减粘膜在扩膜过程中的扩膜特性，更加真实的表征uv减粘膜的扩膜性能。

16、在本申请示例提供的一种可能的实施方式中，对拉伸区域进行周向的均匀拉伸前，第一标点与第二标点之间的第一间隔距离，以及第三标点与第四标点之间的第二间隔距离，均不大于100μm。

17、可选的，第一间隔距离和第二间隔距离均位于50-100μm。

18、在上述实现过程中，在测试uv减粘膜的扩膜性能前，在拉伸区域标记的各个标点之间的间隔距离不超过100μm，避免由于原始间隔距离过大，而在uv减粘膜的扩张之后无法有效的记录到标点之间的距离变化率。

19、在本申请示例提供的一种可能的实施方式中，第一标点与第二标点之间的第一距离变化值，以及第三标点与第四标点之间的第二距离变化值均不超过500μm；

20、可选的，第一距离变化值和第二距离变化值均不超过300μm。

21、在上述实现过程中，限制第一距离变化值和第二距离变化值不超过500μm，减小沿周向拉伸的拉力过大而导致拉伸后获得距离变化率过大或者拉断uv减粘膜的几率，能够更加有效的反映uv减粘膜在具有小扩张范围特点的扩膜工艺时的扩膜性能。

22、在本申请示例提供的一种可能的实施方式中，在拉伸区域上标记第一标点、第二标点、第三标点和第四标点的方法包括：

23、沿第一预设方向，在拉伸区域上粘贴多组间隔设置的第一晶粒和第二晶粒；沿第二预设方向，在拉伸区域上粘贴多组间隔设置的第三晶粒和第四晶粒；

24、以第一晶粒为第一标点，以第二晶粒为第二标点，以第三晶粒为第三标点，和以第四晶粒为第四标点。

25、在上述实现过程中，相较于直接在拉伸区域上用记号笔标记而言，记号笔的线条的宽度过大可能会无法形成不超过100μm的标点间距，本示例在拉伸区域的相应标点处粘贴晶粒，可以实现小间距的粘贴。

26、在本申请示例提供的一种可能的实施方式中，uv减粘膜包括基板和设置于基板上的uv胶粘层；在拉伸区域上粘贴第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒的方法包括：

27、将晶圆片切割成多个呈阵列分布的晶粒，将晶粒倒模在拉伸区域的uv胶粘层上；晶粒包括多组第一晶粒和第二晶粒，以及第三晶粒和第四晶粒。

28、可选地，基板选自po板、pet板或pvc板。

29、在上述实现过程中，在实现较小间隔距离的各个第一晶粒和第二晶粒，以及第三晶粒和第四晶粒的粘贴时，可以将晶圆片切割成多个呈阵列分布的晶粒，各个相邻的晶粒之间具有更加均匀的较小的间隔距离。然后将多个呈阵列分布的晶粒倒模在拉伸区域的uv胶粘层上，以在po板、pet板或pvc板等基板上形成呈阵列分布的多个晶粒。然后根据需要，记录不同方向处的相邻晶粒之间，在基板扩膜前后的单位长度的间隔距离变化率。

30、在本申请示例提供的一种可能的实施方式中，对拉伸区域进行周向的均匀拉伸的方法包括：

31、利用扩膜机，对拉伸区域进行扩膜。

32、在上述实现过程中，利用扩膜机对拉伸区域进行扩膜，可以实现拉伸区域的沿周向的均匀拉伸。

33、在本申请示例提供的一种可能的实施方式中，对拉伸区域进行扩膜的高度为20-40mm。

34、在上述实现过程中，对拉伸区域进行扩膜的高度为20-40mm，可以有效的反映uv减粘膜在扩膜时的扩膜特性。

技术特征：

1.一种uv减粘膜的扩膜性能的测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述拉伸区域上标记多组所述第一标点和所述第二标点，获得多组所述第一距离变化率，共同表征所述uv减粘膜的扩膜性能；

3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，利用多组所述第一距离变化率，获得第一平均值、第一方差和/或第一标准差，表征所述uv减粘膜的扩膜性能。

4.根据权利要求1-3任一项所述的测试方法，其特征在于，沿第二预设方向，在所述拉伸区域上标记第三标点和第四标点，获得所述拉伸区域在拉伸前后，所述第三标点与所述第四标点之间单位长度的第二距离变化率；所述第二预设方向与所述第一预设方向相交；根据所述第一距离变化率和所述第二距离变化率，共同表征所述uv减粘膜的扩膜性能；

5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，对所述拉伸区域进行周向的均匀拉伸前，所述第一标点与所述第二标点之间的第一间隔距离，以及所述第三标点与所述第四标点之间的第二间隔距离，均不大于100μm；

6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述第一标点与所述第二标点之间的第一距离变化值，以及所述第三标点与所述第四标点之间的第二距离变化值均不超过500μm；

7.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，在所述拉伸区域上标记所述第一标点、所述第二标点、所述第三标点和所述第四标点的方法包括：

8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于，所述uv减粘膜包括基板和设置于所述基板上的uv胶粘层；在所述拉伸区域上粘贴所述第一晶粒、所述第二晶粒、所述第三晶粒和所述第四晶粒的方法包括：

9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述对所述拉伸区域进行周向的均匀拉伸的方法包括：

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，对所述拉伸区域进行扩膜的高度为20-40mm。

技术总结
一种UV减粘膜的扩膜性能的测试方法，属于半导体技术领域。UV减粘膜的扩膜性能的测试方法包括：在UV减粘膜上选取拉伸区域；沿第一预设方向，在拉伸区域上标记第一标点和第二标点；对拉伸区域进行周向的均匀拉伸，获得拉伸区域在拉伸前后，第一标点与第二标点之间单位长度的第一距离变化率，表征UV减粘膜的扩膜性能。

技术研发人员：孙宾,崔庆珑
受保护的技术使用者：威士达半导体科技（张家港）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12