本发明涉及导电通道测试领域，具体地，涉及一种获取阻变器件导电通道分布的方法。
背景技术：
1、阻变器件具有高密度、低功率、低成本和小尺寸等优点，在非易失性存储器件中有着广泛的应用前景，其中每个阻变器件包括上电极-阻变层-下电极，通过对上下电极施加电场，使阻变层发生软击穿，进而形成导电通道，导电通道的联通代表着阻变单元为低电阻状态，导电通道的断开代表着阻变单元为高电阻状态，可见，阻变器件的开关态与阻变层中导电通道的形成密切相关。但是，目前对阻变器件中导电通道的测试还停留在研究单个阻变器件单元，缺少对阵列级别阻变器件的测试。
2、因此，目前的获取阻变器件导电通道分布的方法仍有待改进。
技术实现思路
1、申请中是基于发明人对以下问题的发现而做出的：
2、发明人发现，目前针对导电细丝形貌的测试多为取单个阻变器件单元进行测试，缺少对阵列级别阻变器件中导电通道的统计分布；另一方面，目前的导电通道的测试方法针对的是特定结构的器件，缺少对实际应用的阵列级别阻变器件的测试；又一个方面，目前的测试针对的是单个阻变器件特定的阻态，缺少对阵列级别阻变器件中阻态为中间态和特殊状态的导电通道的测试。
3、本申请旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
4、在本申请的一个方面，本申请提出了一种获取阻变器件导电通道分布的方法，包括：提供阻变器件，所述阻变器件包括层叠设置的第一阵列电极层、阻变层以及第二阵列电极层，所述第一阵列电极层、所述阻变层以及所述第二阵列电极层中的至少之一包括多个阵列排布的子结构，所述阻变器件包括多个阵列排布的阻变器件单元；调控所述阻变器件的外界电压，并剥离所述第一阵列电极层和/或所述第二阵列电极层以暴露所述阻变层，以获得不同阻态的待测阻变器件单元；通过扫描所述阻变层的表面信息，所述表面信息包括导电通道的数量和分布位置，以获得所述不同阻态的所述待测阻变器件单元的电流分布；对所述阻变层进行平面取样，以获得待测平面，所述待测平面为平行于所述阻变层一侧表面的平面；令所述待测平面沿轴向旋转，通过扫描所述待测平面多个不同角度的结构信息，以获得所述待测平面在多个不同角度下的所述结构信息的二维数据集；对所述结构信息的二维数据集进行三维重构，得到所述不同阻态的所述待测阻变器件单元的微观结构的三维分布，所述结构信息包括导电通道的形貌状态、分布位置、晶相结构、元素分布和元素价态。由此，可以获得阵列级别阻变器件导电通道电流分布与导电通道的微观结构的三维分布之间的对应关系。
5、根据本发明的实施例，所述剥离的方式包括在俄歇电子显微镜监控下通过氩离子束剥离所述第一阵列电极层和/或所述第二阵列电极层以暴露所述阻变层。由此，可以提高剥离的精度，使得剥离位置精确停留在阻变层表面。
6、根据本发明的实施例，所述剥离的剥离速度为3(nm/min)-10(nm/min)。由此，可以进一步提高剥离电极层暴露阻变层的精确度。
7、根据本发明的实施例，所述通过扫描所述阻变层的表面信息包括采用导电探针原子力显微镜测试所述阻变层的导电通道的数量和分布位置。由此，可以获得阵列级别阻变器件的电流分布。
8、根据本发明的实施例，所述平面的定位取样包括采用聚焦离子束显微镜和/或导电探针原子力显微镜进行所述定位取样。由此，采用聚焦离子束显微镜和/或导电探针原子力显微镜进行定位取样，可以进一步提高定位取样的准确性。
9、根据本发明的实施例，所述通过扫描所述待测平面的所述多个不同角度的结构信息包括采用透射电镜测试所述待测平面的所述多个不同角度的导电通道的形貌状态、分布位置、晶相结构、元素分布和元素价态。由此，可以获得阵列级别阻变器件阻变层导电通道微观结构的三维分布。
10、根据本发明的实施例，所述采用透射电镜扫描所述待测平面的所述多个不同角度的导电通道的形貌状态、分布位置、晶相结构、元素分布和元素价态包括：令所述待测平面沿轴向旋转多个角度，以使所述透射电镜的电子束照射至所述待测平面，其中，初始状态以0°计，所述旋转的角度范围为-75°至+75°。由此，可以获得获得待测平面的结构信息的二维数据集。
11、根据本发明的实施例，所述阻变器件包括金属型阻变器件、氧离子型阻变器件和相变型阻变器件中的至少之一。由此，本发明的方法可以应用于多种类型的阵列级别阻变器件。
12、根据本发明的实施例，所述阻变器件的面积为0.1μm2-2mm2。由此，本发明的方法可以应用于不同面积的阵列级别阻变器件。
13、根据本发明的实施例，所述对所述结构信息切片数据集进行三维重构包括采用模拟软件进行所述三维重构，所述模拟软件包括数学计算软件、蒙特卡洛模拟计算、电镜数据处理软件和三维可视化软件中的至少之一种。由此，可以获得阵列级别阻变器件导电通道微观结构的三维分布。
1.一种获取阻变器件导电通道分布的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离的方式包括在俄歇电子显微镜监控下通过氩离子束剥离所述第一阵列电极层和/或所述第二阵列电极层以暴露所述阻变层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述剥离的剥离速度为3(nm/min)-10(nm/min)。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过扫描所述阻变层的表面信息包括采用导电探针原子力显微镜测试所述阻变层的导电通道的数量和分布位置。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平面的定位取样包括采用聚焦离子束显微镜和/或导电探针原子力显微镜进行所述定位取样。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过扫描所述待测平面的所述多个不同角度的结构信息包括采用透射电镜测试所述待测平面的所述多个不同角度的导电通道的形貌状态、分布位置、晶相结构、元素分布和元素价态。
7.根据权利要求6的所述的方法，其特征在于，所述采用透射电镜扫描所述待测平面的多个不同角度的导电通道的形貌状态、分布位置、晶相结构、元素分布和元素价态包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻变器件包括金属型阻变器件、氧离子型阻变器件和相变型阻变器件中的至少之一。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻变器件的面积为0.1μm2-2mm2。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述结构信息的二维数据集进行三维重构包括采用模拟软件进行所述三维重构，所述模拟软件包括数学计算软件、蒙特卡洛模拟计算、电镜数据处理软件和三维可视化软件中的至少之一种。