一种光斑分析系统的制作方法

本发明涉及光斑分析系统，属于激光。

背景技术：

1、在激光应用过程中，会根据实际的使用要求，对激光的光斑进行光束质量分析，其中包括激光能量分布分析和激光光斑圆度分析等。而光路中的光斑分析使用普通的测量相机就可以实现。但是对于聚焦焦点的激光，在进行光斑分析时，由于焦点的激光能量一般都会非常大，极容易出现打坏测量相机的问题，导致普通的测量相机难以实现测量。而专用的焦点测量相机价格非常高，大大升高了使用成本。

技术实现思路

1、本发明提供一种光斑分析系统，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种光斑分析系统，通过调整光路，有利于避免聚焦光斑对测量相机造成破坏。

2、本发明的技术方案涉及光斑分析系统，包括：

3、壳体，所述壳体设置有开口；

4、分析组件，设置于所述壳体内，用于光斑分析；所述分析组件包括准直透镜和用于将激光分解成反射光束和透射光束的楔形棱镜，以及用于测量所述反射光束的测量相机和用于吸收所述透射光束的尾光吸收器；所述准直透镜设置于所述开口处，所述楔形棱镜设置于所述准直透镜和所述测量相机之间；其中一个所述分析组件设置有聚焦透镜，所述聚焦透镜设置于所述楔形棱镜和所述测量相机之间。

5、进一步，所述分析组件包括有两组，两组所述分析组件对称设置于所述壳体上。

6、进一步，所述反射光束与激光的入射光束形成直角，所述透射光束与激光的入射光束形成钝角。

7、进一步，所述尾光吸收器包括多个锥形吸收件，两个相邻的所述锥形吸收件的一个底边重合。

8、进一步，所述尾光吸收器包括多个锥形吸收件，所述楔形棱镜设置有多个，多个所述锥形吸收件的排列成弧形并围设于多个所述楔形棱镜的外周。

9、进一步，所述锥形吸收件为四棱锥形。

10、进一步，所述锥形吸收件的表面涂覆有吸收材料。

11、进一步，所述锥形吸收件的腔长与所述锥形吸收件的底边边长的比值设置于3至5之间。

12、进一步，一个所述锥形吸收件未被吸收的激光被反射到其他所述锥形吸收件。

13、进一步，所述测量相机为ccd相机。

14、本发明的有益效果如下。

15、本发明的光斑分析系统，可应用于不同光路的光斑分析，特别适用于不同波长的大功率激光测量分析，同时实现成本的降低。采用楔形棱镜提取少量激光进行聚光光斑测量，有利于保证进入测量相机的激光能量满足相机损伤阈值要求，从而有利于实现装置对不同光路的测量，特别是对不同波长激光的聚焦激光测量。同时，将激光的入射光路垂直设置及将楔形棱镜的反射光路水平设置，从而通过调整楔形棱镜的入射角度，调整激光焦点到准直棱镜的距离，可调整进入到测量相机的激光能量，其调节方便容易操作。同时，设置有两组分析组件和第二分析组件，可实现装置对多波长激光聚焦光斑的分析需求。通过改进尾光吸收器的结构，提高折射光束吸收效率，同时有利于降低成本。

技术特征：

1.一种光斑分析系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光斑分析系统，其特征在于，所述分析组件(200)包括有两组，两组所述分析组件(200)对称设置于所述壳体(100)上。

3.根据权利要求1所述的光斑分析系统，其特征在于，所述反射光束与激光的入射光束形成直角，所述透射光束与激光的入射光束形成钝角。

4.根据权利要求1所述的光斑分析系统，其特征在于，所述尾光吸收器(250)包括多个锥形吸收件(251)，两个相邻的所述锥形吸收件(251)的一个底边重合。

5.根据权利要求4所述的光斑分析系统，其特征在于，所述楔形棱镜(230)设置有多个，多个所述锥形吸收件(251)的排列成弧形并围设于多个所述楔形棱镜(230)的外周。

6.根据权利要求4所述的光斑分析系统，其特征在于，所述锥形吸收件(251)为四棱锥形。

7.根据权利要求6所述的光斑分析系统，其特征在于，所述锥形吸收件(251)的表面涂覆有吸收材料。

8.根据权利要求6所述的光斑分析系统，其特征在于，所述锥形吸收件(251)的腔长与所述锥形吸收件(251)的底边边长的比值设置于3至5之间。

9.根据权利要求8所述的光斑分析系统，其特征在于，一个所述锥形吸收件(251)未被吸收的激光被反射到其他所述锥形吸收件(251)。

10.根据权利要求1所述的光斑分析系统，其特征在于，所述测量相机(240)为ccd相机。

技术总结
本发明涉及光斑分析系统，其包括壳体和分析组件，壳体设置有开口，设置于壳体内，用于光斑分析，分析组件包括准直透镜和用于将激光分解成反射光束和透射光束的楔形棱镜，以及用于测量反射光束的测量相机和用于吸收透射光束的尾光吸收器，准直透镜设置于开口处，楔形棱镜设置于准直透镜和测量相机之间，其中一个分析组件设置有聚焦透镜，聚焦透镜设置于楔形棱镜和测量相机之间。本发明可应用于不同波长的大功率激光测量分析，同时实现成本的降低。

技术研发人员：董岱,杨军,张贤俊
受保护的技术使用者：珠海东辉半导体装备有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15