用于基于光谱测量结构的方法和系统与流程

发明构思涉及结构测量，并且更具体地，涉及用于基于光谱测量结构的方法和系统。

背景技术：

1、由于半导体工艺的进步，集成电路可具有高集成度并且可包括复杂的结构。为了验证通过半导体工艺制造的集成电路，测量包括在集成电路中的结构可能需要大量时间和高成本，并且可能需要破坏集成电路。因此，在不破坏集成电路的情况下有效地测量包括在集成电路中的结构的方法可以是有益的。

技术实现思路

1、发明构思提供一种用于基于光谱有效地测量结构的方法和系统。

2、根据发明构思的方面，提供了一种用于基于结构的光谱来测量所述结构的方法，所述方法包括：获得基于仿真数据训练的第一模型，第一模型包括第一子模型和在第一子模型之后的第二子模型；生成第二模型，使得第二模型包括从第一子模型的至少一部分生成的第三子模型；基于通过测量样本结构的光谱而生成的样本光谱数据，来训练第二模型；以及基于训练后的第二模型，从通过测量所述结构的光谱而生成的测量光谱数据估计所述结构。

3、根据发明构思的另一方面，提供了一种系统，所述系统包括：至少一个处理器；以及非暂时性存储介质，存储指令，所述指令在由所述至少一个处理器执行时，指示所述至少一个处理器执行基于结构的光谱测量所述结构的处理。测量所述结构的处理包括：获得基于仿真数据训练的第一模型，第一模型包括第一子模型和在第一子模型之后的第二子模型；生成第二模型，使得第二模型包括从第一子模型的至少一部分生成的第三子模型；基于训练后的第二模型，从通过测量所述结构的光谱而生成的测量光谱数据估计所述结构。

4、根据发明构思的另一方面，提供了一种存储指令的非暂时性存储介质，所述指令在由至少一个处理器执行时，指示所述至少一个处理器执行基于结构的光谱测量所述结构的处理，其中，测量所述结构的处理包括：获得基于仿真数据训练的第一模型，第一模型包括第一子模型和在第一子模型之后的第二子模型；生成第二模型，使得第二模型包括从第一子模型的至少一部分生成的第三子模型；基于通过测量样本结构的光谱而生成的样本光谱数据，来训练第二模型；以及基于训练后的第二模型，从通过测量所述结构的光谱而生成的测量光谱数据估计所述结构。

5、根据发明构思的另一方面，提供了一种用于基于光谱来测量结构的方法，所述方法包括：获得基于仿真数据训练的第一模型，第一模型包括第一子模型和在第一子模型之后的第二子模型；基于第一模型生成第二模型；基于通过测量样本结构的光谱而生成的样本光谱数据来训练第二模型；基于第一模型的输出数据和训练后的第二模型的输出数据来验证训练后的第二模型；以及基于验证后的第二模型，从通过测量所述结构的光谱而生成的测量光谱数据估计所述结构。

技术特征：

1.一种用于基于结构的光谱来测量所述结构的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，获得第一模型的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，获得第一模型的步骤包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：基于第一模型的输出数据和第二模型的输出数据来验证第二模型，

8.根据权利要求7所述的方法，其中，训练第二模型的步骤包括：

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法，还包括：

10.一种用于基于结构的光谱来测量所述结构的系统，包括：

11.根据权利要求10所述的系统，其中，获得第一模型的处理包括：

12.根据权利要求11所述的系统，其中，获得第一模型的处理包括：

13.根据权利要求10所述的系统，其中，

14.根据权利要求13所述的系统，其中，

15.根据权利要求10所述的系统，其中，测量所述结构的处理还包括：

16.根据权利要求10所述的系统，其中，

17.根据权利要求16所述的系统，其中，训练第二模型的处理包括：训练第二模型，使得与第一关系与第二关系之间的误差成比例的损失减小。

18.一种用于基于结构的光谱来测量所述结构的方法，所述方法包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，验证第二模型的步骤包括：

20.根据权利要求19所述的方法，其中，训练第二模型的步骤包括：训练第二模型，使得与第一关系与第二关系之间的误差成比例的损失减小。

技术总结
公开了用于基于光谱测量结构的方法和系统。所述用于基于光谱测量所述结构的方法包括：获得第一模型，第一模型包括第一子模型和在第一子模型之后的第二子模型并且基于仿真数据被训练；生成第二模型，第二模型包括与第一子模型相同的第三子模型；基于通过测量样本结构的光谱而生成的样本光谱数据，来训练第二模型；以及基于训练后的第二模型，从通过测量所述结构的光谱而生成的测量光谱数据估计所述结构。

技术研发人员：金奎焕,金载润,卢弦均,马阿米,李成熙,张圭伯,全优宁,郑载勳
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25