一种用于单晶合金性能数据的统计方法

本发明涉及金属材料和信息，具体涉及用于铸造单晶合金的不同晶体学取向在耦合条件下的性能数据统计方法。

背景技术：

1、单晶制备技术消除了晶界对合金性能的影响，可提高合金的力学性能。但由于晶体存在各向异性的特点，单晶体中不同取向的原子排列的周期性和疏密程度不尽相同，由此导致晶体在不同方向的物理化学特性也不同。此外，单晶合金可用于航空发动机和燃气轮机的叶片制备，叶片因其结构特点在不同取向上表现出的性能也有差别。为提高叶片的冷却效果，通常采用空心铸造和机加孔技术，叶片壁厚较薄处和机加孔处常存在应力集中，因此在与合金不同取向的耦合作用下表现出的性能不同。因此，亟需研究一种单晶合金的不同晶体学取向在耦合条件下的性能数据的统计方法，为单晶合金在工程技术应用中提供数据支撑。

技术实现思路

1、本发明的目的在于采用一种用于单晶合金性能数据的统计方法，对铸造单晶合金的晶体学取向与多种耦合条件下测得的性能数据在圆周内绘制曲线，以获得数据分布图，降低了数据的分散度。

2、为实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

3、一种用于单晶合金性能数据的统计方法，其特征在于：对铸造单晶合金的不同晶体学取向在多种耦合条件下测得的性能数据在圆周内绘制曲线，以获得性能数据分布图，降低了性能数据的分散度。

4、所述的铸造单晶合金，其特征在于：所述的金属为钴、镍和铁其中的一种或多种为基体的单晶合金。

5、所述的晶体学取向，其特征在于：单晶合金的晶体学取向为一次枝晶或二次枝晶的生长方向，包含但不限于[001]、[010]、[100]、方向。

6、所述的耦合条件，其特征在于：耦合条件为在两种或多种条件下对铸造单晶合金性能的影响，条件包含但不限于试样厚度和试样结构(空心，实心，有机加孔，无机加孔)等。

7、所述的性能数据，其特征在于：所述的性能数据包含但不限于持久寿命、蠕变性能、疲劳行为、拉伸性能、高温氧化行为、热腐蚀行为其中的一种或多种。

8、疲劳行为，包含但不限于高周疲劳、低周疲劳、热疲劳、腐蚀疲劳、接触疲劳、微动磨损疲劳等。

9、所述的统计方法，其特征在于：将单晶合金的不同晶体学取向在耦合条件下测得的试验数据在圆周内绘制曲线。

10、本发明有如下优点和有益效果：

11、(1)本发明所述的性能数据统计，是将单晶合金的不同晶体学取向在耦合条件下测得的数据进行统计，以获得不同晶体学取向试样在不同条件下的性能数据分布图，可为合金的工程化应用提供数据支撑。

12、(2)本发明所述的统计方法，是将单晶合金不同晶体学取向在耦合条件下测得的数据在圆周内进行绘制，通过此方法绘制的性能数据分布图，既可直观查阅单晶合金不同晶体学取向在不同条件的性能数据，又可降低数据的分散性，便于工程技术人员参考合金性能数据。

技术特征：

1.一种用于单晶合金性能数据的统计方法，其特征在于：对铸造单晶合金的不同晶体学取向在多种耦合条件下测得的性能数据在圆周内绘制曲线，以获得性能数据分布图，降低了性能数据的分散度；金属为钴、镍和铁其中的一种或多种为基体的单晶合金。

2.根据权利要求1所述的用于单晶合金性能数据的统计方法，其特征在于：单晶合金的晶体学取向为一次枝晶或二次枝晶的生长方向，包含但不限于[001]、[010]、[100]、方向。

3.根据权利要求1所述的用于单晶合金性能数据的统计方法，其特征在于：耦合条件为在两种或多种条件下对铸造单晶合金性能的影响，条件包含但不限于试样厚度和试样结构，试样结构为空心、实心、有机加孔和无机加孔。

4.根据权利要求1所述的用于单晶合金性能数据的统计方法，其特征在于：所述的性能数据包含但不限于持久寿命、蠕变性能、疲劳行为、拉伸性能、高温氧化行为、热腐蚀行为其中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的用于单晶合金性能数据的统计方法，其特征在于：对铸造单晶合金的不同晶体学取向在多种耦合条件下测得的性能数据在圆周内绘制曲线，将单晶合金的不同晶体学取向在耦合条件下测得的试验数据在圆周内绘制曲线。

6.根据权利要求4所述的用于单晶合金性能数据的统计方法，其特征在于：所述的疲劳行为，包含但不限于高周疲劳、低周疲劳、热疲劳、腐蚀疲劳、接触疲劳、微动磨损疲劳。

技术总结
一种用于单晶合金性能数据的统计方法，属于金属材料和信息技术领域，通过对铸造单晶合金的晶体学取向在多种耦合条件下测得的性能数据在圆周内绘制曲线，以获得数据分布图。通过对铸造单晶合金的晶体学取向在多种耦合条件下测得的性能数据在圆周内绘制曲线，以获得数据分布图。用于统计单晶合金的不同晶体学取向在不同条件下的持久寿命、蠕变性能、疲劳行为、拉伸性能、高温氧化行为、热腐蚀行为等。该统计方法绘制的数据分布图可直观读取单晶合金在任何晶体学取向上的性能数据，降低了性能数据的分散度，适用于单晶合金性能测试数据统计。

技术研发人员：王莉,王迪,李凯文,董加胜,楼琅洪
受保护的技术使用者：中国科学院金属研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16