双电流磁场传感器的制作方法

背景技术：

1、有很多应用需要测量电流。作为一个示例，可能期望测量电动车辆的电池系统的一个或多个电流。在另一示例中，可能期望测量提供给负载(诸如电动机)的一个或多个电流。在又一示例中，可能期望测量配电系统的一个或多个电流或者电路中的一个或多个电流。

2、因为流经载流导体(current-carrying conductor)的电流产生的磁场通量密度与电流大小成比例，所以磁场传感器可以用作电流传感器。通过将磁场传感器放置在载流导体附近，磁场传感器可以生成与由磁场传感器感测到的磁场成比例的可测量的量，诸如电压。然而，注意，载流导体周围空间中的磁场通量密度随着距载流导体的距离而显著降低。因此，磁场传感器的传感器元件被放置为靠近载流导体。

技术实现思路

1、在一些实现方式中，一种电流传感器布置包括在第一方向上延伸并且被配置为沿着第一方向承载第一电流的第一导体结构，其中第一电流产生第一磁场；在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二导体结构，其中第二导体结构被配置为沿着第二方向承载第二电流，并且其中第二电流产生第二磁场；以及布置在第一导体结构与第二导体结构之间并且被配置为接收第一磁场和第二磁场的磁场传感器，其中第一导体结构和第二导体结构在垂直于第一方向和第二方向两者的第三方向上与磁场传感器重叠，并且其中磁场传感器包括对第一磁场敏感并且被配置为基于第一磁场生成第一传感器信号的第一传感器元件，并且磁场传感器还包括对第二磁场敏感并且被配置为基于第二磁场生成第二传感器信号的第二传感器元件。

2、在一些实现方式中，一种电流传感器布置包括在第一轴线上延伸并且被配置为沿着第一轴线承载第一电流的第一导体结构，其中第一电流产生第一磁场；在垂直于第一轴线的第二轴线上延伸的第二导体结构，其中第二导体结构被配置为沿着第二轴线承载第二电流，并且其中第二电流产生第二磁场；以及布置在第一导体结构与第二导体结构之间并且被配置为接收第一磁场和第二磁场的磁场传感器，其中第一导体结构和第二导体结构沿着垂直于第一轴线和第二轴线两者的第三轴线与磁场传感器重叠，并且其中磁场传感器包括对第一磁场敏感并且被配置为基于第一磁场生成第一传感器信号的第一传感器元件，并且磁场传感器还包括对第二磁场敏感并且被配置为基于第二磁场生成第二传感器信号的第二传感器元件。

3、在一些实现方式中，一种用于感测第一电流和第二电流的方法包括通过在第一导体结构中流动的第一电流产生第一磁场，其中第一导体结构沿着第一轴线延伸并且被配置为沿着第一轴线承载第一电流；通过在第二导体结构中流动的第二电流产生第二磁场，其中第二导体结构沿着第二轴线延伸并且被配置为沿着第二轴线承载第二电流；通过布置在第一导体结构与第二导体结构之间的磁场传感器接收第一磁场和第二磁场，其中第一导体结构和第二导体结构沿着垂直于第一轴线和第二轴线两者的第三轴线与磁场传感器重叠；通过磁场传感器的第一传感器元件生成第一传感器信号，其中第一传感器元件对第一磁场敏感；以及通过磁场传感器的第二传感器元件生成第二传感器信号，其中第二传感器元件对第二磁场敏感。

技术特征：

1.一种电流传感器布置，包括：

2.根据权利要求1所述的电流传感器布置，其中所述第一导体结构和所述第二导体结构在所述第三方向上重叠，其中所述第一导体结构和所述第二导体结构的重叠部分被布置在平分所述磁场传感器的轴线上。

3.根据权利要求1所述的电流传感器布置，其中：

4.根据权利要求1所述的电流传感器布置，其中所述第一传感器信号独立于所述第二传感器信号。

5.根据权利要求1所述的电流传感器布置，其中：

6.根据权利要求5所述的电流传感器布置，其中：

7.根据权利要求1所述的电流传感器布置，还包括：

8.根据权利要求7所述的电流传感器布置，其中：

9.根据权利要求7所述的电流传感器布置，其中：

10.根据权利要求7所述的电流传感器布置，其中：

11.根据权利要求10所述的电流传感器布置，其中所述第一传感器元件和所述第二传感器元件被布置在所述第二主表面处。

12.根据权利要求7所述的电流传感器布置，其中：

13.根据权利要求12所述的电流传感器布置，其中所述第二导体结构被布置为与所述芯片封装接触。

14.根据权利要求1所述的电流传感器布置，还包括：

15.根据权利要求14所述的电流传感器布置，其中：

16.根据权利要求15所述的电流传感器布置，其中：

17.根据权利要求1所述的电流传感器布置，还包括：

18.根据权利要求17所述的电流传感器布置，其中：

19.一种电流传感器布置，包括：

20.一种用于感测第一电流和第二电流的方法，所述方法包括：

技术总结
本公开涉及双电流磁场传感器。一种电流传感器布置包括在第一方向上延伸并且被配置为沿着第一方向承载第一电流的第一导体结构；在垂直于第一方向的第二方向上延伸并且被配置为沿着第二方向承载第二电流的第二导体结构；以及布置在第一导体结构与第二导体结构之间并且被配置为接收由第一电流产生的第一磁场和由第二电流产生的第二磁场的磁场传感器。第一导体结构和第二导体结构在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上与磁场传感器重叠。磁场传感器包括对第一磁场敏感的第一传感器元件和对第二磁场敏感的第二传感器元件。

技术研发人员：S·莱森海默,R·海因茨
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/22