永磁体寿命评估方法

文档序号:36831544发布日期:2024-01-26 16:46阅读:18来源:国知局
永磁体寿命评估方法

本发明涉及永磁材料,尤其涉及一种永磁体寿命评估方法。


背景技术:

1、永磁材料已广泛应用社会生活的各个方面,如航空航天设备、轨道交通设备、新能源交通工具、高端医疗器械、信息通讯设备、日用电机电器等,可以说与国计民生息息相关。其中烧结钕铁硼永磁材料是主要的永磁体应用类型,其市场份额高达95%。大规模的应用引起对永磁体产品的寿命预测与评估的重视,但至今缺乏直接针对其寿命评估的研究方法,多是研究采用各种不同配方或工艺手段提高磁体各方面的性能。

2、不过,对永磁体性能的众多研究可以为其寿命评估提供参考,比如永磁体的长时间热稳定性、耐腐蚀性等方面的研究。一般来说,永磁体的常规使用寿命很长,比如几年、十几年,有的甚至长达几十年,通过实验直接获得其老化寿命是很难的。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种,针对目前对永磁体有着实际寿命评估需求却缺乏永磁体寿命评估方法的现状,提出一种永磁体寿命评估方法,致力于获取永磁体的寿命评估模型。

2、为实现前述发明目的,本发明采用的技术方案包括:

3、本发明提供一种永磁体寿命评估方法,其包括:

4、选择加速寿命试验方法对烧结钕铁硼永磁体进行预测评估;

5、选择永磁体的功能性能指标并明确所述功能性能指标对应的检测方法和失效判据,选择影响所述永磁体寿命的加速应力;

6、基于所述加速应力对永磁体样品进行老化试验,并根据所述检测方法结合所述失效判据获取所述永磁体样品的加速寿命;

7、基于所述应力水平与加速寿命的相关关系,建立或选择与所述相关关系匹配的寿命预测模型;

8、利用所述寿命预测模型预测所述永磁体在使用环境下的使用寿命。

9、基于上述技术方案,与现有技术相比,本发明的有益效果至少包括:

10、本发明首次提供了直接可操作的永磁体寿命评估的思路步骤,填补缺乏永磁体寿命评估方法研究的缺陷;首次选择引用包括但不限于加速寿命试验方法的试验方法经对永磁体进行寿命评估工作,节省时间和成本,并为永磁体寿命数据分析提供高效率的模型选择方法,能够直接快捷地获取永磁体寿命模型。

11、上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够使本领域技术人员能够更清楚地了解本申请的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合详细附图说明如后。



技术特征:

1.一种永磁体寿命评估方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的永磁体寿命评估方法,其特征在于,所述永磁体包括钕铁硼永磁体、钐钴永磁体、铝镍钴永磁体、铁氧体中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的永磁体寿命评估方法,其特征在于,所述功能性能指标包括磁体矫顽力、剩磁、磁能积、磁通量、质量、密度中的任意一种或两种以上的组合。

4.根据权利要求1所述的永磁体寿命评估方法,其特征在于,所述加速应力包括温度、湿度、盐雾环境、外加磁场、磁路开闭路状态、磁体形状、磁体规格、磁体尺寸比中的任意一种或两种以上的组合;

5.根据权利要求4所述的永磁体寿命评估方法,其特征在于,当应力水平恒定时,寿命-应力模型中的应力项是定值,即v=c(常数);当采用步进应力时,v=n a+b,nt≤t<(n+1)t;当采用序进应力时,需要将应力项变为连续函数,设置为线性变化v=t=a×t+b,或自然对数变化v=t=a×ln(t)+b;

6.根据权利要求1所述的永磁体寿命评估方法,其特征在于,具体包括:

7.根据权利要求6所述的永磁体寿命评估方法,其特征在于,所述加速寿命模型包括特征寿命评估模型、平均寿命评估模型、中位寿命评估模型中的任意一种或两种以上的组合。

8.根据权利要求7所述的永磁体寿命评估方法,其特征在于,所述加速寿命模型包括arrhenius模型、eyring模型、逆幂律模型、温湿度模型中的任意一种;

9.根据权利要求6所述的永磁体寿命评估方法,其特征在于,还包括:

10.根据权利要求9所述的永磁体寿命评估方法,其特征在于,具体包括:


技术总结
本发明公开了一种永磁体寿命评估方法。所述评估方法包括:选择引用包括但不限于加速寿命试验方法,选择永磁体的功能性能指标并明确对应的检测方法和失效判据,选择加速应力;基于加速应力进行老化试验,并获取加速寿命;基于应力水平与加速寿命的相关关系,建立或选择匹配的寿命预测模型;利用寿命预测模型预测永磁体在使用环境下的使用寿命。本发明首次提供了直接可操作的永磁体寿命评估的思路步骤,填补缺乏永磁体寿命评估方法研究的缺陷;首次选择引用包括但不限于加速寿命试验方法的试验方法经对永磁体进行寿命评估工作,节省时间和成本,并为永磁体寿命数据分析提供高效率的模型选择方法,能够直接快捷地获取永磁体寿命模型。

技术研发人员:卢相明,董生智,李晴,乔祖强,陈仁杰,郭帅,丁广飞,郑波,刘壮,曹学静
受保护的技术使用者:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
技术研发日:
技术公布日:2024/1/25
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