氢计的标定方法及标定装置与流程

本申请实施例涉及氢气检测，具体涉及一种氢计的标定方法及标定装置。

背景技术：

1、扩散式氢计是根据氢通过镍的扩散渗透原理工作的。扩散式氢计以薄壁镍管作为传感器，传感器的一侧与蒸汽发生器或过热器的钠与氩气相连，另一侧与真空系统相接。当水/水蒸气泄漏时，钠水反应生成氢气和氢离子，钠和氩气中的氢浓度增加，氢便通过镍管扩散至真空系统，这样真空系统中的氢分压升高，与高真空系统相连的离子泵可以探测到氢分压的变化，从而得知泄漏及泄漏率的大小。

2、快中子反应堆中用氢计检测液态金属钠或高温氩气中的氢浓度时，需要氢计在氢浓度发生变化时能准确地检测到氢浓度变化并产生响应的信号。因此，扩散型氢计设备在使用前或长期使用后需要对其进行标定，以保证监测数据的有效性。

技术实现思路

1、针对上述技术问题，本申请实施例提供了一种氢计的标定方法及标定装置，以对氢计进行标定。

2、本申请的一个方面提供了一种氢计的标定方法，其中，氢计包括测量腔、氢渗透结构、质谱仪以及含有离子泵的高真空系统，测量腔用于接收含氢的标定气体，氢渗透结构位于测量腔内，高真空系统用于为氢渗透结构提供高真空环境以使标定气体中的氢气渗透进入氢渗透结构内；标定方法包括：向测量腔提供标定气体；利用高真空系统使标定气体中的氢气渗透进入氢渗透结构内；利用质谱仪检测进入氢渗透结构的气体组成成分；利用离子泵检测进入氢渗透结构的气体浓度；根据标定气体中氢气的浓度和质谱仪检测的气体组成成分，对离子泵检测的气体浓度进行标定。

3、本申请的另一个方面提供了一种氢计的标定装置，其中，氢计包括测量腔、氢渗透结构、质谱仪以及含有离子泵的高真空系统，测量腔用于接收含氢的标定气体，氢渗透结构位于测量腔内，高真空系统用于为氢渗透结构提供高真空环境以使标定气体中的氢气渗透进入氢渗透结构内，其中，标定装置包括：标定容器，标定容器具有容纳腔和与容纳腔连通的标定接口，标定接口用于连接氢计的测量腔，以使容纳腔中的标定气体能够进入氢计的测量腔；氢气供应部，用于向容纳腔中供应氩气和含氢氩气以在标定容器中形成标定气体；控制部，用于控制氢计的高真空系统开启，以使进入测量腔的标定气体进入氢渗透结构，控制质谱仪检测进入氢渗透结构的气体组成成分，控制离子泵检测进入氢渗透结构的气体浓度；以及处理部，用于根据标定气体中氢气的浓度以及质谱仪检测的气体组成成分对离子泵检测的气体浓度进行标定。

4、本申请实施例提供的氢计的标定方法及标定装置，能够根据标定气体中氢气的浓度以及质谱仪检测的气体组成成分对离子泵检测的气体浓度进行标定，从而使得标定后的氢计的检测结果更加准确可靠。

技术特征：

1.一种氢计的标定方法，所述氢计包括测量腔、氢渗透结构、质谱仪以及含有离子泵的高真空系统，所述测量腔用于接收含氢的标定气体，所述氢渗透结构位于所述测量腔内，所述高真空系统用于为所述氢渗透结构提供高真空环境以使所述标定气体中的氢气渗透进入所述氢渗透结构内，其中，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述根据所述标定气体中氢气的浓度和所述质谱仪检测的气体组成成分对所述离子泵检测的气体浓度进行标定，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，根据所述标定质谱仪检测的气体组成成分确定所述标定气体中氢气的浓度之后，所述方法还包括：

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

7.一种氢计的标定装置，所述氢计包括测量腔、氢渗透结构、质谱仪以及含有离子泵的高真空系统，所述测量腔用于接收含氢的标定气体，所述氢渗透结构位于所述测量腔内，所述高真空系统用于为所述氢渗透结构提供高真空环境以使所述标定气体中的氢气渗透进入所述氢渗透结构内，其中，所述标定装置包括：

8.根据权利要求7所述的标定装置，其中，所述处理部还用于：

9.根据权利要求7所述的标定装置，还包括：

10.根据权利要求9所述的标定装置，其中，

技术总结
本申请实施例提供了一种氢计的标定方法及标定装置。氢计包括测量腔、氢渗透结构、质谱仪以及含有离子泵的高真空系统，测量腔用于接收含氢的标定气体，氢渗透结构位于测量腔内，高真空系统用于为氢渗透结构提供高真空环境以使标定气体中的氢气渗透进入氢渗透结构内。标定方法包括：向测量腔提供标定气体；利用高真空系统使标定气体中的氢气渗透进入氢渗透结构内；利用质谱仪检测进入氢渗透结构的气体组成成分；利用离子泵检测进入氢渗透结构的气体浓度；根据标定气体中氢气的浓度和质谱仪检测的气体组成成分，对离子泵检测的气体浓度进行标定。本申请实施例提供的氢计的标定方法及标定装置，能够使标定后的氢计的检测结果更加准确可靠。

技术研发人员：宋德宽,段天英,余华金,张川,杨红义,吴水金,侯斌,杨建伟,刘林顶
受保护的技术使用者：中国原子能科学研究院
技术研发日：
技术公布日：2024/2/19