防静电二极管表面缺陷检测系统的制作方法

本技术涉检测领域，具体是防静电二极管表面缺陷检测系统。

背景技术：

1、防静电二极管是防止物体表面静电积聚的一种器件，它由两个电极和一块半导体材料组成。

2、施加反向电压时，在两个电极之间形成一个高电阻的电容。由于该电容的存在使得加在导体上的电荷不能迅速释放掉，从而可以避免电荷累积而导致的电击事故发生。

3、防静电二极管在出厂前需要进行检测，基本包括两类，一种为二极管内部导通性检测，另外一种为二极管外部损坏检测；

4、现有的防静电二极管外部损坏检测方式，基本将二极管放置在检测台上，通过视觉采集器采集二极管外部是否存在缺陷，然而多数二极管呈圆柱体，单纯的放置在检测台上显然无法完全检测二极管外部缺陷情况，容易出现检测位置或者视角缺失的情况。

技术实现思路

1、实用新型目的：提供防静电二极管表面缺陷检测系统，以解决现有技术存在的上述问题。

2、技术方案：防静电二极管表面缺陷检测系统，包括：

3、基座；

4、还包括：

5、旋转位，安装在基座上，包括两组对称设置的旋转单元；

6、检测位，安装在基座上，且工作区域面向旋转位；

7、所述旋转单元包括：

8、基础件，安装在所述基座上；

9、延伸件，安装在所述基础件上；

10、旋转件，与所述延伸件连接，包括与延伸件连接的旋转电机，设置在所述旋转电机输出端的旋转轴；

11、夹具，与所述旋转轴连接，所述夹具为现有技术，可以在常规的夹具中选取。

12、通过设计旋转位进行带动防静电二极管进行转动，进而配合检测位进行完成对防静电二极管表面的缺陷检测工作，当旋转位带动防静电二极管转动一周后，即可完成对防静电二极管表面的全部检测工作，与现有技术相比，检测更加全面。

13、在进一步实施例中，所述基础件包括：

14、旋转立柱，安装在基座上；

15、旋转台，安装在旋转立柱上。

16、在进一步实施例中，所述延伸件包括：

17、活动气缸，安装在旋转台上，活动气缸输出端设有活动伸缩杆；

18、旋转连接架，与活动伸缩杆固定连接。

19、在进一步实施例中，所述旋转电机安装在旋转连接架上。

20、在进一步实施例中，所述检测位包括：

21、基础部，安装在所述基座上，包括检测立柱，以及安装在所述检测立柱上的检测台；

22、一字滑台，安装在所述检测台上，所述一字滑台为现有技术，可以为常规的直线运动机构；

23、可以包括为设置在检测台上的检测架，设置在所述检测架端部的检测电机，设置在所述检测电机输出端的检测输出轴，与所述检测输出轴连接且与为于所述检测架内的检测丝杆；

24、所述检测连接架套接于所述检测丝杆且与所述检测架适配。

25、检测连接架，设置在所述一字滑台上，沿着一字滑台滑动；

26、检测部，与所述检测连接架连接。

27、在进一步实施例中，所述检测部包括：

28、视觉采集器，与检测连接架连接；

29、补光灯，与检测连接架连接，位于视觉采集器下方。

30、旋转位搭配补光灯的设计，使得防静电二极管中出现缺陷时，可以更加明显的检测出，当防静电二极管表面存在缺陷时，由于防静电二极管在旋转位的带动下转动，至少有一个最佳视角与补光灯搭配，并被检测位的视觉采集器采集到，进而避免漏检。

31、有益效果：本实用新型公开了防静电二极管表面缺陷检测系统，本实用新型通过设计旋转位进行带动防静电二极管进行转动，进而配合检测位进行完成对防静电二极管表面的缺陷检测工作，当旋转位带动防静电二极管转动一周后，即可完成对防静电二极管表面的全部检测工作，与现有技术相比，检测更加全面。

技术特征：

1.防静电二极管表面缺陷检测系统，包括：

2.根据权利要求1所述的防静电二极管表面缺陷检测系统，其特征是：所述基础件包括：

3.根据权利要求2所述的防静电二极管表面缺陷检测系统，其特征是：所述延伸件包括：

4.根据权利要求3所述的防静电二极管表面缺陷检测系统，其特征是：所述旋转电机(26)安装在旋转连接架(25)上。

5.根据权利要求1所述的防静电二极管表面缺陷检测系统，其特征是：所述检测位(3)包括：

6.根据权利要求5所述的防静电二极管表面缺陷检测系统，其特征是：所述检测部包括：

技术总结
本技术公开了防静电二极管表面缺陷检测系统包括：基座；还包括：旋转位，安装在基座上，包括两组对称设置的旋转单元；检测位，安装在基座上，且工作区域面向旋转位；所述旋转单元包括：基础件，安装在所述基座上；延伸件，安装在所述基础件上；旋转件，与所述延伸件连接，包括与延伸件连接的旋转电机，设置在所述旋转电机输出端的旋转轴；夹具，与所述旋转轴连接，所述夹具为现有技术，可以在常规的夹具中选取。通过设计旋转位进行带动防静电二极管进行转动，进而配合检测位进行完成对防静电二极管表面的缺陷检测工作，当旋转位带动防静电二极管转动一周后，即可完成对防静电二极管表面的全部检测工作，与现有技术相比，检测更加全面。

技术研发人员：张哲民,肖步文
受保护的技术使用者：无锡惠吉通半导体有限公司
技术研发日：20230227
技术公布日：2024/1/13