基于多晶片转换的晶控探头及晶控系统的制作方法

【】本技术涉及真空镀膜领域，尤其是基于多晶片转换的晶控探头及晶控系统。

背景技术

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背景技术：

1、晶控装置是利用石英晶片的谐振频率与膜层厚度之间的关系来控制镀膜的厚度。在真空镀膜膜厚控制技术中，作为膜厚实时监测技术使用最普遍的是石英晶体膜厚控制仪，它是利用石英晶体的压电效应，当石英晶振片上镀上了某种膜层材料时，它的固有频率会相应衰减。石英膜厚控制仪就是通过测量安装在镀膜机真空室内的探头上石英晶片频率或与频率有关参量的变化而监控沉积薄膜的厚度。当石英晶片上沉积的膜层厚度达到一定量时，石英晶片的振荡会停止失效，后续镀膜不能继续进行。由于单一晶片上可以沉积的膜层厚度有限，为了镀制多层有时甚至是100多层需要用到多晶片探头，当一片晶片失效时，可以通过转换新的晶体继续镀膜。

2、目前市场上所采用的晶控探头，其转动换位动力装置用的是旋转气缸，旋转气缸制作困难、成本高，并且在转动换位时，定位精度差，容易造成晶体与通孔之间的位置偏差，影响后续生产。

技术实现思路

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技术实现要素：

1、为了解决晶控探头使用的旋转气缸制作困难、成本高，并且在转动换位时，定位精度差的问题，本实用新型的目的在于提供基于多晶片转换的晶控探头及晶控系统。

2、本申请是通过以下技术方案实现的：基于多晶片转换的晶控探头，包括伺服电机、探头组件、装设于所述伺服电机输出端的联轴器、以及连接所述联轴器和所述探头组件的转轴，所述探头组件包括与所述转轴连接的探头本体、以及套设于所述探头本体远离所述伺服电机一侧的盖体，所述探头本体朝向所述盖体的一端上设有多个晶片装配位，所述盖体对应所述晶片装配位设有通孔，所述伺服电机通过所述转轴带动多个所述晶片装配位相对所述通孔转动换位。

3、如上所述的基于多晶片转换的晶控探头，所述探头本体包括穿设于所述转轴上的水冷座、套设于所述水冷座上的装配筒、装设于所述水冷座朝向所述盖体一侧上的探头和晶片座，所述晶片装配位设置于所述晶片座上，所述转轴与所述晶片座连接，以带动所述晶片座转动。

4、如上所述的基于多晶片转换的晶控探头，所述水冷座上设有进水口、出水口、以及连通所述进水口和所述出水口且对应所述装配筒内壁设置的腔体，所述进水口和所述出水口设置于所述水冷座远离所述装配筒的一侧上。

5、如上所述的基于多晶片转换的晶控探头，所述水冷座两端上设有供所述转轴穿设的第一连接孔和第二连接孔，所述第一连接孔和第二连接孔上分别设有轴承。

6、如上所述的基于多晶片转换的晶控探头，所述第二连接孔上还设有第一密封圈。

7、如上所述的基于多晶片转换的晶控探头，所述探头与所述水冷座之间设有紫铜弹簧片，所述紫铜弹簧片与所述探头之间有绝缘垫。

8、如上所述的基于多晶片转换的晶控探头，所述水冷座靠近所述盖体一侧的周侧上凸设有限位柱，所述盖体边缘处对应所述限位柱设有限位槽，以使所述盖体和所述装配筒连接固定。

9、基于多晶片转换的晶控系统，包括真空室、晶控仪、控制装置以及如上所述的基于多晶片转换的晶控探头，所述控制装置与所述伺服电机电连接，所述晶控仪与所述探头电连接，所述探头组件装配于所述真空室上且其一端嵌入至所述真空室内。

10、如上所述的基于多晶片转换的晶控系统，所述装配筒上设有朝向周侧延伸的凸缘，所述凸缘朝向所述真空室的一侧上装设有第二密封圈。

11、与现有技术相比，本申请有如下优点：

12、本实用新型的基于多晶片转换的晶控探头及晶控系统，通过伺服电机驱动从而带动所述转轴转动，以带动所述晶片装配位相对所述通孔转动，切换至另一所述晶片装配位，其能够实现任意位数晶片的转换和精确定位，成本较低，使用方便，有利于生产制作更多高级镀膜产品。

技术特征：

1.基于多晶片转换的晶控探头，其特征在于，包括伺服电机(1)、探头组件(2)、以及连接所述伺服电机(1)和所述探头组件(2)的转轴(4)，所述探头组件(2)包括与所述转轴(4)连接的探头本体(21)、以及套设于所述探头本体(21)远离所述伺服电机(1)一侧的盖体(22)，所述探头本体(21)朝向所述盖体(22)的一端上设有多个晶片装配位(23)，所述盖体(22)对应所述晶片装配位(23)设有通孔(24)，所述伺服电机(1)通过所述转轴(4)带动多个所述晶片装配位(23)相对所述通孔(24)转动换位。

2.根据权利要求1所述的基于多晶片转换的晶控探头，其特征在于，所述探头本体(21)包括穿设于所述转轴(4)上的水冷座(211)、套设于所述水冷座(211)上的装配筒(212)、装设于所述水冷座(211)朝向所述盖体(22)一侧上的探头(213)和晶片座(214)，所述晶片装配位(23)设置于所述晶片座(214)上，所述转轴(4)与所述晶片座(214)连接，以带动所述晶片座(214)转动。

3.根据权利要求2所述的基于多晶片转换的晶控探头，其特征在于，所述水冷座(211)上设有进水口(215)、出水口(216)、以及连通所述进水口(215)和所述出水口(216)且对应所述装配筒(212)内壁设置的腔体(217)，所述进水口(215)和所述出水口(216)设置于所述水冷座(211)远离所述装配筒(212)的一侧上。

4.根据权利要求2所述的基于多晶片转换的晶控探头，其特征在于，所述水冷座(211)两端上设有供所述转轴(4)穿设的第一连接孔(218)和第二连接孔(219)，所述第一连接孔(218)和第二连接孔(219)上分别设有轴承(210)。

5.根据权利要求4所述的基于多晶片转换的晶控探头，其特征在于，所述第二连接孔(219)上还设有第一密封圈(25)。

6.根据权利要求2所述的基于多晶片转换的晶控探头，其特征在于，所述探头(213)与所述水冷座(211)之间设有紫铜弹簧片(5)，所述紫铜弹簧片(5)与所述探头(213)之间有绝缘垫。

7.根据权利要求2所述的基于多晶片转换的晶控探头，其特征在于，所述水冷座(211)靠近所述盖体(22)一侧的周侧上凸设有限位柱(6)，所述盖体(22)边缘处对应所述限位柱(6)设有限位槽(26)，以使所述盖体(22)和所述装配筒(212)连接固定。

8.基于多晶片转换的晶控系统，其特征在于，包括真空室(7)、晶控仪(8)、控制装置(9)以及如权利要求1-7任一项所述的基于多晶片转换的晶控探头，所述控制装置(9)与所述伺服电机(1)电连接，所述晶控仪(8)与所述探头(213)电连接，所述探头组件(2)装配于所述真空室(7)上且其一端嵌入至所述真空室(7)内。

技术总结
本技术涉及真空镀膜领域，尤其是基于多晶片转换的晶控探头及晶控系统，包括伺服电机、探头组件、装设于所述伺服电机输出端的联轴器、以及连接所述联轴器和所述探头组件的转轴，所述探头组件包括与所述转轴连接的探头本体、以及套设于所述探头本体远离所述伺服电机一侧的盖体，所述探头本体朝向所述盖体的一端上设有多个晶片装配位，所述盖体对应所述晶片装配位设有通孔，所述伺服电机通过所述转轴带动多个所述晶片装配位相对所述通孔转动换位。本申请提供的基于多晶片转换的晶控探头及晶控系统，其能够实现任意位数晶片的转换和精确定位，成本较低，使用方便，有利于生产制作更多高级镀膜产品。

技术研发人员：卢志坚,李素坤
受保护的技术使用者：李素坤
技术研发日：20230313
技术公布日：2024/1/15