本技术涉及晶体管晶圆检测,更具体地说,涉及一种晶体管晶圆检测装置。
背景技术:
1、晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅;高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅;硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆;在晶圆划片工作中,切割完的晶圆,由于芯片还未扩张,芯粒间还是相互紧挨着,容易造成漏检,例如无法检出双晶,即相邻两芯片未被分割的情况,就需要通过显微镜进行检查,利用显微镜检查比价麻烦,增加了工作人员的劳动强度,降低了工作效率,还容易发生漏检的情况。
技术实现思路
1、1.要解决的技术问题
2、针对现有技术中存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种晶体管晶圆检测装置,它可以实现,本方案省去了显微镜的使用,提高了检测效率,降低了检测员的劳动强度,能有效的避免发生漏检的情况。
3、2.技术方案
4、为解决上述问题,本实用新型采用如下的技术方案。
5、一种晶体管晶圆检测装置,包括底座,所述底座的顶端外壁上固定有检测台,所述检测台的顶端外壁上开设有凹槽,所述凹槽的底端内壁上开设有锥形槽,所述检测台位于凹槽一侧的顶端外壁上固定有安装板,所述安装板的一侧上开设有移动槽,所述移动槽的内部上转动安装有丝杆,所述丝杆的外壁上套接有移动块,所述移动块位于凹槽正上方的外壁上固定有密封罩,所述密封罩的顶端内壁上固定有光传感器,所述锥形槽的底端外壁上安装有led灯,所述检测台的一侧上安装有指示灯,所述检测台位于指示灯一侧的外壁上安装有处理器。
6、进一步的,所述检测台的一侧外壁上镶嵌有蓄电池。
7、进一步的,所述凹槽的内壁上安装有密封圈。
8、进一步的,所述底座位于检测台一侧的外壁上安装有卡座,所述卡座的外壁上安装有安装杆,所述安装杆的一端上固定有吸盘。
9、进一步的,所述处理器与光传感器、指示灯和led灯电性连接
10、进一步的,所述蓄电池与处理器电性连接。
11、3.有益效果
12、相比于现有技术,本实用新型的优点在于:
13、(1)本方案设置的检测台、蓄电池、指示灯、锥形槽、凹槽、密封圈、led灯、安装板、移动槽、丝杆、移动块、密封罩、光传感器和旋转电机的配合,切割完的晶圆,无法检出双晶,即相邻两芯片未被分割的情况,把晶圆放置在锥形槽,通过密封罩使锥形槽形成黑暗的密封空间,通过led灯照在晶圆的背面,利用光传感器检测晶圆的切割道是否漏光,通过检测晶圆的切割道是否漏光,并判断是否出现双晶,省去显微镜的使用,提高了检测效率,降低了检测员的劳动强度,能有效的避免发生漏检的情况。
1.一种晶体管晶圆检测装置,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的顶端外壁上固定有检测台(2),所述检测台(2)的顶端外壁上开设有凹槽(6),所述凹槽(6)的底端内壁上开设有锥形槽(5),所述检测台(2)位于凹槽(6)一侧的顶端外壁上固定有安装板(9),所述安装板(9)的一侧上开设有移动槽(10),所述移动槽(10)的内部上转动安装有丝杆(11),所述丝杆(11)的外壁上套接有移动块(12),所述移动块(12)位于凹槽(6)正上方的外壁上固定有密封罩(13),所述密封罩(13)的顶端内壁上固定有光传感器(14),所述锥形槽(5)的底端外壁上安装有led灯(8),所述检测台(2)的一侧上安装有指示灯(4),所述检测台(2)位于指示灯(4)一侧的外壁上安装有处理器(19)。
2.根据权利要求1所述的一种晶体管晶圆检测装置,其特征在于:所述检测台(2)的一侧外壁上镶嵌有蓄电池(3)。
3.根据权利要求1所述的一种晶体管晶圆检测装置,其特征在于:所述凹槽(6)的内壁上安装有密封圈(7)。
4.根据权利要求1所述的一种晶体管晶圆检测装置,其特征在于:所述底座(1)位于检测台(2)一侧的外壁上安装有卡座(16),所述卡座(16)的外壁上安装有安装杆(18),所述安装杆(18)的一端上固定有吸盘(17)。
5.根据权利要求2所述的一种晶体管晶圆检测装置,其特征在于:所述处理器(19)与光传感器(14)、指示灯(4)和led灯(8)电性连接。
6.根据权利要求2所述的一种晶体管晶圆检测装置,其特征在于:所述蓄电池(3)与处理器(19)电性连接。