老化装置的制作方法

文档序号:35584523发布日期:2023-09-27 12:10阅读:28来源:国知局
老化装置的制作方法

本公开涉及测试设备领域,具体地,涉及一种老化装置。


背景技术:

1、器件高温老化试验是检验器件质量的关键手段,高温老化试验对器件的结温(junction temperature)和样本量有严格要求。并且,器件在老化过程中存在热耗,而热耗的变化会影响结温,因此,在高温老化试验的过程中,需要控制热耗和试验的底温,以使器件的结温稳定。

2、目前常见的高温老化试验方法是采用高温老化箱。具体地,将待老化器件设置在高温老化箱中,设置器件的结温达到试验所需要的结温。

3、高温老化箱的空间有限,且高温老化箱成本高,因此,对试验样本量存在制约。因样本量少,测试结果无法真实反应器件的老化规律。

4、因此,如何构建老化环境、以获得准确的老化测试结果,成为本领域亟待解决的技术问题。


技术实现思路

1、本公开实施例提供一种老化装置,其中,所述老化装置包括老化板和底温板,

2、所述老化板包括老化基板,所述底温板与所述老化基板层叠设置;所述老化基板背离所述底温板的表面为承载表面;

3、所述底温板包括底温基板和多个导热凸台,所述底温基板与所述老化基板相对设置,所述导热凸台连接在所述老化基板和所述底温基板之间。

4、在利用所述老化装置对待老化器件进行老化测试时,将待老化器件设置在所述承载表面上,并为所述待老化器件供电。待老化器件上电后发热,且待老化器件产生的热量通过老化基板传递至底温板,该底温板升温后,提供老化测试所需要的底温。并且,每颗待老化器件的功耗都可以单独调节。

5、在本公开中,通过设置老化板的承载面的面积使得老化板可以承载足够多的待老化器件,在测试样本足够多的情况下,最终得到测试数据也较为准确。

6、除此之外,利用待老化器件在测试的过程中产生的热量对底温板进行加热,并获得测试所需要的底温,所述底温板上设置有导热凸台,将待老化器件设置在导热凸台对应的位置处,可以确保底温基板的热量相对精确地传导至相应位置处的待老化器件,进而实现在没有温箱的情况下达到器件老化室的高结温,降低老化测试的成本。



技术特征:

1.一种老化装置,其特征在于,所述老化装置包括老化板和底温板,

2.根据权利要求1所述的老化装置,其特征在于,所述承载表面上形成有多个承载位,所述承载位用于承载待老化器件,多个所述导热凸台与多个所述承载位一一对应,且所述导热凸台的一端在于该导热凸台相对应的承载位的位置处于所述老化板相连,所述导热凸台的另一端与所述底温基板相连。

3.根据权利要求1所述的老化装置,其特征在于,所述老化装置还包括多个连接件,所述老化板上形成多个第一定位孔,所述底温板上形成有多个第二定位孔,多个所述第一定位孔与多个所述第二定位孔一一对应,所述连接件设置在互相对应的第一定位孔和第二定位孔中,以将所述老化板和所述底温板连接。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的老化装置,其特征在于,所述老化板还包括供电模块,所述供电模块设置在所述老化基板上,所述供电模块用于与外部供电设备电连接,并为所述老化装置供电。

5.根据权利要求4所述的老化装置,其特征在于,所述供电模块包括供电子模块和功率匹配子模块,所述供电子模块包括漏压供电端子、和多个栅压控制端子,所述功率匹配子模块与所述供电子模块的所述漏压供电端子电连接,且所述功率匹配子模块用于对多个待老化器件进行功率匹配。

6.根据权利要求5所述的老化装置,其特征在于,所述供电子模块设置在所述老化基板的一侧;

7.根据权利要求4所述的老化装置,其特征在于,所述老化板还包括至少一个温度传感器,所述温度传感器设置在所述老化基板上。

8.根据权利要求7所述的老化装置,其特征在于,所述老化装置还包括调温模块和控制模块,所述控制模块与所述供电模块、所述调温模块、以及所述温度传感器均电连接;

9.根据权利要求8所述的老化装置,其特征在于,所述老化装置还包括上位机,所述上位机通过串口与所述控制模块通信连接。

10.根据权利要求8所述的老化装置,其特征在于,所述底温板包括多个支撑件,所述支撑件设置在所述底温板背离所述老化板的一侧,所述调温模块设置在多个所述支撑件限定的空间内。


技术总结
本公开提供一种老化装置,其中,所述老化装置包括老化板和底温板,所述老化板包括老化基板,所述底温板与所述老化基板层叠设置;所述老化基板背离所述底温板的表面为承载表面;所述底温板包括底温基板和多个导热凸台,所述底温基板与所述老化基板相对设置,所述导热凸台连接在所述老化基板和所述底温基板之间。在所述老化装置中,利用待老化器件在测试的过程中产生的热量对底温板进行加热,并获得测试所需要的底温,所述底温板上设置有导热凸台,将待老化器件设置在导热凸台对应的位置处,可以确保底温基板的热量相对精确地传导至相应位置处的待老化器件,进而实现在没有温箱的情况下达到器件老化室的高结温,降低老化测试的成本。

技术研发人员:张光祖,代云飞,杨云博,孔飞,王灿
受保护的技术使用者:中兴通讯股份有限公司
技术研发日:20230509
技术公布日:2024/1/14
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