一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置的制作方法

本申请涉及电路，尤其涉及一种p沟道mos场效应晶体管的验证装置。

背景技术：

1、mos场效应晶体管具有集成度高、低功耗、输入阻抗高等优点，广泛应用于变频调速、航天开关电源、汽车电源、电视机等领域中，可用于控制电路中的电流、电压、信号、功率等。近年来，随着国内元器件厂家的设计和生产能力的不断提高，元器件厂家自主研制了大量的mos场效应晶体管，因缺乏对国产元器件的应用验证，导致大量的国产芯片没有得到很好的应用。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种p沟道mos场效应晶体管的验证装置，用以解决p沟道mos场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。

2、本申请实施例提供p沟道mos场效应晶体管的验证装置，包括：

3、电源转换模块，用以将外部输入电源转换为待测元器件的典型工作电压；

4、信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通；

5、被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件；

6、数据采集模块，用于采集被测器件的测试数据，并输入外围测试仪器，以完成验证。

7、可选的，所述电源转换模块包括两组电源输入端，第一组电源输入端包括第一正极接入点u42，第一负极接入点u60，第二组电源输入端包括第二正极接入点u41，第二负极接入点u61，其中：

8、第一正极接入点u42通过电阻r30连接至所述第二正极接入点u41，第二正极接入点u41通过电阻r28连接至三极管q1的基极；

9、第一负极接入点u60、第二负极接入点u61均为接地点。

10、可选的，所述信号控制模块包括三极管q1；

11、所述三极管q1，其发射极接地，其基极通过电阻r29连接至其发射极，其基极还通过电阻r31连接至输出端测试点u43，其集电极通过电阻r32连接所述被测器件验证板的栅极接入点1-g。

12、可选的，所述被测器件验证板包括多个与p沟道mos场效应晶体管适配的多个接入点，其中：

13、栅极接入点1-g，通过电阻r33连接至源极接入点3-s；

14、源极接入点3-s，引出，作为输出端测试点u43；

15、漏极接入点2-d，通过电容c73、电容c74、电容c75的并联接地，其引出作为输出端测试点u44。

16、可选的，还包括输出端测试点u62和输出端测试点u63，且所述输出端测试点u62和和输出端测试点u63均为接地点。

17、本申请实施例的p沟道mos场效应晶体管的验证装置能够解决p沟道mos场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。

18、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

技术特征：

1.一种p沟道mos场效应晶体管的验证装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的p沟道mos场效应晶体管的验证装置，其特征在于，所述被测器件验证板包括多个与p沟道mos场效应晶体管适配的多个接入点，其中：

3.如权利要求1所述的p沟道mos场效应晶体管的验证装置，其特征在于，还包括输出端测试点u62和输出端测试点u63，且所述输出端测试点u62和和输出端测试点u63均为接地点。

技术总结
本申请公开了一种P沟道MOS场效应晶体管的验证装置，包括：电源转换模块，用以将外部输入电源转换为待测元器件的典型工作电压；信号控制模块，用于为被测器件提供控制信号，以控制所述被测器件导通；被测器件验证板，用于提供接口，接入所述被测器件；数据采集模块，用于采集被测器件的测试数据，并输入外围测试仪器，以完成验证。本申请实施例的P沟道MOS场效应晶体管的验证装置能够解决P沟道MOS场效应晶体管的电特性、板级工作稳定性的验证问题。

技术研发人员：肖保军,田峰,王晶,田立冬,李晓丹,张玮
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十五研究所
技术研发日：20230512
技术公布日：2024/1/15