一种氮化镓晶体管的测试系统的制作方法

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种氮化镓晶体管的测试系统。

背景技术：

1、在集成电路的应用过程中，对于各类器件的测试，通常是采用特定的测试系统进行测试。

2、在实际操作过程中，本申请的研发人员发现，对于功率器件的测试，尤其是对于氮化镓(gan)晶体管的测试，每一项测试都对应有不同的测试系统，进行多项功能测试过程复杂，影响了测试效率。

技术实现思路

1、本申请主要解决的技术问题是提供一种氮化镓晶体管的测试系统，能够进行多项功能测试，简化测试流程，提高测试效率。

2、为解决上述技术问题，本申请采用的一种技术方案是：提供一种氮化镓晶体管的测试系统，包括：驱动电路和控制电路，其中，驱动电路基于输入信号产生高压脉冲信号；控制电路与所述驱动电路的输出端连接，在待测晶体管耦接所述控制电路时，所述控制电路基于所述高压脉冲信号产生测试信号并输出至所述待测晶体管的漏极，进行单脉冲动态导通电阻测试，或者控制所述待测晶体管的栅极与源极短路，进行反向偏压应力测试。

3、区别于当前技术，本申请提供的氮化镓晶体管的测试系统，包括驱动电路和控制电路，其中，驱动电路基于输入信号产生高压脉冲信号；控制电路与驱动电路的输出端连接，在待测晶体管耦接控制电路时，控制电路基于高压脉冲信号产生测试信号并输出至待测晶体管的漏极，进行单脉冲动态导通电阻测试，或者控制待测晶体管的栅极与源极短路，进行反向偏压应力测试。即本申请的技术方案能够根据不同的功能测试，进行相对应的电路调控，实现多种不同的功能测试，简化测试流程，降低成本，提高测试效率。

技术特征：

1.一种氮化镓晶体管的测试系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的测试系统，其特征在于，所述测试系统还包括：

3.根据权利要求2所述的测试系统，其特征在于，所述测试座中设置有插槽，所述待测晶体管通过设置于所述插槽与所述测试座耦接。

4.根据权利要求3所述的测试系统，其特征在于，所述测试座包括三个独立的第一引脚、第二引脚和第三引脚；所述第一引脚通过保险元件耦接所述驱动电路的输出端，所述第二引脚耦接电源负极或地端；

5.根据权利要求2所述的测试系统，其特征在于，所述控制电路进一步包括：

6.根据权利要求5所述的测试系统，其特征在于，所述钳位单元包括：

7.根据权利要求1所述的测试系统，其特征在于，所述驱动电路包括：

8.根据权利要求7所述的测试系统，其特征在于，所述脉冲单元包括：

9.根据权利要求8所述的测试系统，其特征在于，所述第一脉冲元件进一步包括：

10.根据权利要求8所述的测试系统，其特征在于，所述测试系统进一步包括：

技术总结
本技术公开了一种氮化镓晶体管的测试系统，包括驱动电路和控制电路，其中，驱动电路基于输入信号产生高压脉冲信号；控制电路与驱动电路的输出端连接，在待测晶体管耦接控制电路时，控制电路基于高压脉冲信号产生测试信号并输出至待测晶体管的漏极，进行单脉冲动态导通电阻测试，或者控制待测晶体管的栅极与源极短路，进行反向偏压应力测试。即本申请的技术方案能够根据不同的功能测试，进行相对应的电路调控，实现多种不同的功能测试，简化测试流程，降低成本，提高测试效率。

技术研发人员：张建山,许亚坡
受保护的技术使用者：湖南三安半导体有限责任公司
技术研发日：20230529
技术公布日：2024/2/8