耐强辐照的压电加速度传感器的制作方法

本技术涉及传感器，特别涉及一种耐强辐照的压电加速度传感器。

背景技术：

1、压电式加速度传感器又称压电加速度计，它是利用某些物质如压电陶瓷的压电效应，在加速度计受振时，质量块加在压电元件上的力也随之变化，当被测振动频率远低于加速度计的固有频率时，则力的变化与被测加速度成正比。

2、随着核设施，如核电站、核动力船舶等，使用越来越广泛，现在的核设施中对设备的健康监测也越来越迫切，压电加速度传感器作为振动测试的电子产品，其在核设施中的使用也愈发重要，但是，由于核辐射的复杂性，对电子元器件有着不同程度的影响，而通常的压电加速度传感器在设计时并没考虑这方面的影响，尤其强辐射的情况，因此，现有的压电加速度传感器要么在核辐射环境下直接失效，要么性能、寿命受到严重影响。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种耐强辐照的压电加速度传感器，采用分体式设计，并对高温线缆和电路板进行屏蔽保护，从而达到耐高温，且能在强辐照的环境下正常工作。

2、为达到上述目的，本实用新型第一方面实施例提出了一种耐强辐照的压电加速度传感器，包括：传感器本体，所述传感器本体包括连接器；高温线缆，所述高温线缆一端通过输入端连接器与所述连接器相连接，所述高温线缆包括信号线、套接在信号线外的第一屏蔽层以及套接在第一屏蔽层外的第二屏蔽层；电荷放大器本体，所述电荷放大器本体与所述高温线缆的另一端相连接，所述电荷放大器本体内设置有屏蔽罩，所述屏蔽罩内安装有电路板。

3、根据本实用新型实施例的耐强辐照的压电加速度传感器，将高温线缆一端通过输入端连接器与连接器相连接，高温线缆包括信号线、套接在信号线外的第一屏蔽层以及套接在第一屏蔽层外的第二屏蔽层；电荷放大器本体与高温线缆的另一端相连接，电荷放大器本体内设置有屏蔽罩，屏蔽罩内安装有电路板；因此，通过采用分体式设计成独立的传感器和电荷放大器两部分，并对高温线缆和电路板进行屏蔽保护，从而达到耐高温，且能在强辐照的环境下正常工作。

4、另外，根据本实用新型上述实施例提出的耐强辐照的压电加速度传感器，还可以具有如下附加的技术特征：

5、可选地，所述传感器本体还包括外壳、底座和压电陶瓷，所述外壳采用激光焊接在所述底座上，所述压电陶瓷设置在所述外壳内。

6、可选地，所述压电陶瓷的材料为铌酸铋钠。

7、可选地，外壳、底座和连接器的材料为合金材料。

8、可选地，所述输入端连接器包括螺母，所述输入端连接器通过所述螺母与所述连接器相连接。

9、可选地，所述高温线缆还包括设置在信号线和第一屏蔽层之间的第一隔离层、设置在所述第一屏蔽层和第二屏蔽层之间的第二隔离层和设置在所述第二屏蔽层外的外皮护套。

10、可选地，所述屏蔽罩包括屏蔽罩底座、屏蔽罩上盖和屏蔽罩支架，所述屏蔽罩支架设置在所述屏蔽罩底座上，所述电路板放置在所述屏蔽罩支架上，所述屏蔽罩上盖盖合在所述屏蔽罩支架上。

技术特征：

1.一种耐强辐照的压电加速度传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的耐强辐照的压电加速度传感器，其特征在于，所述传感器本体还包括外壳、底座和压电陶瓷，所述外壳采用激光焊接在所述底座上，所述压电陶瓷设置在所述外壳内。

3.如权利要求2所述的耐强辐照的压电加速度传感器，其特征在于，所述压电陶瓷的材料为铌酸铋钠。

4.如权利要求2所述的耐强辐照的压电加速度传感器，其特征在于，外壳、底座和连接器的材料为合金材料。

5.如权利要求1所述的耐强辐照的压电加速度传感器，其特征在于，所述输入端连接器包括螺母，所述输入端连接器通过所述螺母与所述连接器相连接。

6.如权利要求1所述的耐强辐照的压电加速度传感器，其特征在于，所述高温线缆还包括设置在信号线和第一屏蔽层之间的第一隔离层、设置在所述第一屏蔽层和第二屏蔽层之间的第二隔离层和设置在所述第二屏蔽层外的外皮护套。

7.如权利要求1所述的耐强辐照的压电加速度传感器，其特征在于，所述屏蔽罩包括屏蔽罩底座、屏蔽罩上盖和屏蔽罩支架，所述屏蔽罩支架设置在所述屏蔽罩底座上，所述电路板放置在所述屏蔽罩支架上，所述屏蔽罩上盖盖合在所述屏蔽罩支架上。

技术总结
本技术公开一种耐强辐照的压电加速度传感器，包括：传感器本体、高温线缆和电荷放大器本体，将高温线缆一端通过输入端连接器与传感器本体的连接器相连接，高温线缆包括信号线、套接在信号线外的第一屏蔽层以及套接在第一屏蔽层外的第二屏蔽层；电荷放大器本体与高温线缆的另一端相连接，电荷放大器本体内设置有屏蔽罩，屏蔽罩内安装有电路板；因此，通过采用分体式设计成独立的传感器和电荷放大器两部分，并对高温线缆和电路板进行屏蔽保护，从而达到既耐高温，又能在强辐照的环境下正常工作。

技术研发人员：李坚,陈昌鹏,庄锦芳,陈俊龙,柯银鸿,翁新全,许静玲
受保护的技术使用者：厦门乃尔电子有限公司
技术研发日：20230731
技术公布日：2024/1/25