一种射频芯片测试系统的制作方法

文档序号:35881917发布日期:2023-10-28 15:50阅读:25来源:国知局
一种射频芯片测试系统的制作方法

本技术涉及通信,具体为一种射频芯片测试系统。


背景技术:

1、在通信领域,rf(radio frequency,射频)芯片的两个关键指标,tx(transmitter,发射)发射功率,rx(receiver,接收)接收灵敏度,测试方法有多种,最常见的是用频谱仪测试发射功率,矢量信号源测试灵敏度。这种测试方法优点在于测试结果精确度较高,但缺点也比较明显,如测试设备很贵,前期投入比较大;自动化开发难,测试效率低;初学者需要花费大量时间和精力学习仪器操作等。

2、另一种测试方法是借助标准芯片进行测试,基于标准芯片能读取较准确的rssi(received signal strength indication接收的信号强度指示)值,并且tx的发送功率可配成已知值。此种方法环境搭建简单,投入小,但由于缺少规范,测试结果不够精确,且手动操作效率也比较低,难以实现批量化的测试。

3、因此如何在降低成本的同时能实现高精度及自动化批量化的测试成为一个必要的课题。


技术实现思路

1、本实用新型的目的是为了解决上述技术问题,提出一种射频芯片测试系统,提高重复操作性,实现芯片自动化的批量测试,以及节约成本和提升效率。

2、为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案如下:

3、一种射频芯片测试系统,其包括测试组件、对比组件、程控衰减器以及测试分析终端,所述测试组件与对比组件都与程控衰减器和测试分析终端连接,所述程控衰减器与测试分析终端连接;

4、所述测试组件包括第一屏蔽箱、第一夹具、第一固定衰减器和第二固定衰减器,所述第一夹具、第一固定衰减器设置在第一屏蔽箱内,第二固定衰减器位于第一屏蔽箱外,且第一夹具与第一固定衰减器连接,第一固定衰减器与第二固定衰减器连接,第二固定衰减器与程控衰减器连接;

5、所述对比组件包括第二屏蔽箱、第二夹具、第三固定衰减器和第四固定衰减器,所述第二夹具、第四固定衰减器设置在第二屏蔽箱内,第三固定衰减器位于第二屏蔽箱外,且第二夹具与第四固定衰减器连接,第四固定衰减器与第三固定衰减器连接,第三固定衰减器与程控衰减器连接。

6、进一步地,所述测试分析终端包括计算机和控制模块,所述计算机与控制模块连接,控制模块分别再与测试组件和对比组件连接,控制模块用于测试分析待测芯片数据和标准芯片数据;所述控制模块采用fpga。

7、进一步地,所述第一固定衰减器与第二固定衰减器分别安装在第一屏蔽箱的内箱体和外箱体上,所述第三固定衰减器与第四固定衰减器分别安装在第二屏蔽箱的外箱体和内箱体上。

8、进一步地;所述第一夹具和第二夹具上均设置有芯片固定区域。

9、本实用新型相比现有技术具有如下优点:

10、本实用新型结构简单,硬件环境只需要标准芯片和fpga,大大节约了仪器的成本;

11、采用了控制模块,实现自动测试,自动分析结果并回传保存,效率更高;除此之外还可反复更换待测芯片实现批量化测试,可多套并行进一步提升效率,因此可实际应用于生产的ft(final test)测试。

12、测试过程操作简单,即便是初学者也不影响测试向效率,另外,待测芯片可以随时快速的更换,实现射频芯片的批量化测试。



技术特征:

1.一种射频芯片测试系统,其特征在于包括测试组件、对比组件、程控衰减器以及测试分析终端,所述测试组件与对比组件都与程控衰减器和测试分析终端连接,所述程控衰减器与测试分析终端连接;

2.根据权利要求1所述的射频芯片测试系统,其特征在于,所述测试分析终端包括计算机和控制模块,所述计算机与控制模块连接,控制模块分别再与测试组件和对比组件连接,控制模块用于测试分析待测芯片数据和标准芯片数据。

3.根据权利要求2所述的射频芯片测试系统,其特征在于,所述控制模块采用fpga。

4.根据权利要求1所述的射频芯片测试系统,其特征在于,所述第一固定衰减器与第二固定衰减器分别安装在第一屏蔽箱的内箱体和外箱体上,所述第三固定衰减器与第四固定衰减器分别安装在第二屏蔽箱的外箱体和内箱体上。

5.根据权利要求1所述的射频芯片测试系统,其特征在于,所述第一夹具和第二夹具上均设置有芯片固定区域。


技术总结
本技术公开了一种射频芯片测试系统,其包括测试组件、对比组件、程控衰减器以及测试分析终端,所述测试组件与对比组件都与程控衰减器和测试分析终端连接,所述程控衰减器与测试分析终端连接。本技术结构简单,硬件环境只需要标准芯片和FPGA,大大节约了仪器的成本;采用了控制模块,实现自动测试,自动分析结果并回传保存,效率更高;除此之外还可反复更换待测芯片实现批量化测试,可多套并行进一步提升效率,因此可实际应用于生产的FT(final test)测试。

技术研发人员:黄大峰,梁宏明,黄强,赖程奇
受保护的技术使用者:四川思凌科微电子有限公司
技术研发日:20230919
技术公布日:2024/1/15
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