一种基于LM139AD的发射高压检测电路的制作方法

本发明涉及集成电路，特别涉及一种基于lm139ad的发射高压检测电路。

背景技术：

1、在声纳发射机中，根据总体技术要求，时常需要加载较高的发射电压。在发射机进入水下后，干端无法对实际加载的发射电压进行判断。若在发射电压较高时发生误操作现象，下发错误指令，极易造成发射三极管瞬间击穿，导致发射电路故障，同时通过大电流反馈引起前级电路损坏的情况。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种基于lm139ad的发射高压检测电路，以解决传统发射电路无法判断实际加载的发射电压，若在发射电压较高的情况下触发错误指令，易造成发射电路故障，同时通过大电流反馈引起前级电路损坏的问题。

2、为解决上述技术问题，本发明提供了一种基于lm139ad的发射高压检测电路，包括电压比较器lm139ad；所述电压比较器lm139ad包括四路差分比较器，分别为比较器u1a、比较器u1b、比较器u1c、比较器u1d、电阻r7～r20以及电容c11～c16；

3、电阻r7的第一端接发射高压hv，第二端同时接比较器u1a、u1b、u1c、u1d的负相端、电阻r8的第一端和电容c11的第一端；电阻r8的第二端和电容c11的第二端均接电容c16的第二端，电容c16的第一端接电源vcc；

4、电阻r9、r11、r12、r14、r15、r17、r18、r20的第一端均接电源vcc，电阻r9的第二端接电阻r10的第一端，电阻r11的第二端接比较器u1a的输出端，电阻r12的第二端接电阻r13的第一端，电阻r14的第二端接比较器u1b的输出端，电阻r15的第二端接电阻r16的第一端，电阻r17的第二端接比较器u1c的输出端，电阻r18的第二端接电阻r19的第一端，电阻r20的第二端接比较器u1d的输出端；电阻r10、r13、r16、r19、电容c12、c13、c14、c15的第二端均接电容c16的第二端；

5、比较器u1a的同相端接在电阻r9和r10之间，比较器u1b的同相端接在电阻r12和r13之间，比较器u1c的同相端接在电阻r15和r16之间，比较器u1d的同相端接在电阻r18和r19之间；

6、电容c12、c13、c14、c15的第一端分别接比较器u1a、u1b、u1c、u1d的同相端。

7、在一种实施方式中，所述差分比较器的其中一路同相端输入参考电压vr，与反相端的输入电压vin相比较，当同相端电压vin大于反相端电压vr，所述差分比较器的输出信号vo为高电位；当同相端电压vin小于反相端电压vr，所述差分比较器的输出信号vo为零电位。

8、在一种实施方式中，所述电压比较器lm139ad采用单电源供电，电源vcc为2-32vdc宽范围供电。

9、在一种实施方式中，所述电源vcc的电压为15v。

10、本发明提供的一种基于lm139ad的发射高压检测电路，利用四通道电压比较器lm139ad，增加发射高压检测电路，用于判断发射高压是否已达到所需电压值和是否已降至安全值，便于了解发射机状态和进行下一步操作，稳定可靠且成本较低，提高了发射机稳定性。

技术特征：

1.一种基于lm139ad的发射高压检测电路，其特征在于，包括电压比较器lm139ad；所述电压比较器lm139ad包括四路差分比较器，分别为比较器u1a、比较器u1b、比较器u1c、比较器u1d、电阻r7～r20以及电容c11～c16；

2.如权利要求1所述的基于lm139ad的发射高压检测电路，其特征在于，所述差分比较器的其中一路同相端输入参考电压vr，与反相端的输入电压vin相比较，当同相端电压vin大于反相端电压vr，所述差分比较器的输出信号vo为高电位；当同相端电压vin小于反相端电压vr，所述差分比较器的输出信号vo为零电位。

3.如权利要求1所述的基于lm139ad的发射高压检测电路，其特征在于，所述电压比较器lm139ad采用单电源供电，电源vcc为2-32vdc宽范围供电。

4.如权利要求1所述的基于lm139ad的发射高压检测电路，其特征在于，所述电源vcc的电压为15v。

技术总结
本发明公开一种基于LM139AD的发射高压检测电路，属于集成电路领域，包括电压比较器LM139AD。本发明利用四通道电压比较器LM139AD，增加发射高压检测电路，用于判断发射高压是否已达到所需电压值和是否已降至安全值，便于了解发射机状态和进行下一步操作，稳定可靠且成本较低，提高了发射机稳定性。同时，该发射高压检测电路可与高压控制信号相结合。干端通过FPGA的回码判断出发射高压已升至所需电压档位后，即令FPGA关闭高压控制，这样在供电电压增加时，发射高压会被限制在所需档位不再升高。保证了若发生误操作现象，能有效降低发射电路故障的风险。

技术研发人员：张培文,白小丽,徐彤彤
受保护的技术使用者：海鹰企业集团有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17