本申请涉及检测,尤其涉及一种芯片检测电路及方法。
背景技术:
1、随着现代电子技术的快速发展,集成电路的逐步完善和升级对半导体制造工艺提出了更高的要求。在半导体制造过程中,晶圆级导体层的加工工艺是非常关键的一步,其质量的好坏直接影响到晶圆中芯片的质量和性能。因此,如何监控和评估芯片的导体层的加工工艺质量是半导体工业面临的重要问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此,本实施例提供了一种芯片检测电路及方法,可快速地检测待检测芯片导体层的加工工艺的质量,且不会对芯片造成损伤。
2、根据本实施例的一方面,提供了一种芯片检测电路,包括:
3、第一端,用于连接晶圆中的待检测芯片的第一检测部;
4、第二端,用于连接待检测芯片的第二检测部;其中,待检测芯片的至少一个导体层至少覆盖部分第一检测部,待检测芯片的至少一个导体层至少覆盖部分第二检测部;
5、检测模块,用于检测第一检测部与第二检测部之间的电性参数,电性参数用于评估至少一个导体层的加工工艺质量。
6、可选地,第一端,用于连接晶圆中的待检测芯片的第一检测部包括:第一端用于连接晶圆中的待检测芯片的第一检测部的第一检测点;第二端,用于连接晶圆中的待检测芯片的第二检测部包括:第二端用于连接晶圆中的待检测芯片的第二检测部的第二检测点;检测模块,用于检测第一检测部与第二检测部之间的电性参数包括:检测模块用于检测第一检测点与第二检测点之间的电性参数。
7、可选地,第一检测部和第二检测部包括焊盘,第一检测点和第二检测点设置于焊盘的表面,焊盘用于设置于待检测芯片的两端。
8、可选地,上述检测模块包括:
9、电流产生单元,与第一检测点和第二检测点构成电流回路,用于产生电流信号;
10、接触电阻单元,用于限制电流回路中的电流大小;
11、电压检测单元,用于检测第一检测点与第二检测点之间的电压差。
12、可选地,上述检测模块还包括:
13、电阻计算单元,用于根据电压差计算第一检测点与第二检测点之间的电阻值。
14、可选地,上述芯片检测电路还包括:
15、处理模块,用于根据电性参数和参数预设值评估待检测芯片的至少一个导体层的加工工艺质量。
16、根据本实施例的另一方面,提供了一种芯片检测方法,包括:
17、在晶圆中的待检测芯片上设置第一检测部和第二检测部;
18、在待检测芯片的至少一个导体层的加工工艺中,将导体层至少覆盖部分第一检测部,将导体层至少覆盖部分第二检测部;
19、通过检测电路检测第一检测部与第二检测部之间的电性参数;
20、基于电性参数评估待检测芯片的至少一个导体层的加工工艺质量。
21、可选地,在晶圆中的待检测芯片上设置第一检测部和第二检测部包括:在晶圆中的待检测芯片上设置第一检测部和第二检测部;第一检测部包括第一检测点,第二检测部包括第二检测点;
22、通过检测电路检测第一检测部与第二检测部之间的电性参数包括:通过检测电路检测第一检测点与第二检测点之间的电性参数。
23、可选地,通过检测电路检测第一检测点与第二检测点之间的电性参数,包括:
24、在一个或多个导体层加工工艺完成时,将检测电路的第一端与第一检测点连接,将检测电路的第二端与第二检测点连接;
25、通过检测电路产生电流信号,并基于电流信号测量第一检测点与第二检测点之间的电压差;
26、根据电压差计算第一检测点与第二检测点之间的电阻值。
27、可选地,基于电性参数评估待检测芯片的至少一个导体层的加工工艺质量,包括:
28、根据电性参数和参数预设值评估待检测芯片的至少一个导体层的加工工艺质量;
29、上述芯片检测方法还包括:
30、在非导体层加工工艺中,不使用非导体层覆盖第一检测部和第二检测部。
31、本申请实施例中提供的芯片检测电路及方法,可检测第一检测部与第二检测部之间的电性参数,为导体层的加工工艺质量提供评估依据。可用于自动化测试,能够极大地缩减测试的周期和成本、提高生产效率,且不会对待检测芯片造成损伤。
1.一种芯片检测电路,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的芯片检测电路,其特征在于,所述第一端,用于连接晶圆中的待检测芯片的第一检测部包括:所述第一端用于连接晶圆中的待检测芯片的第一检测部的第一检测点;所述第二端,用于连接晶圆中的待检测芯片的第二检测部包括:所述第二端用于连接晶圆中的待检测芯片的第二检测部的第二检测点;所述检测模块,用于检测所述第一检测部与所述第二检测部之间的电性参数包括:所述检测模块用于检测所述第一检测点与所述第二检测点之间的电性参数。
3.根据权利要求2所述的芯片检测电路,其特征在于,所述第一检测部和所述第二检测部包括焊盘,所述第一检测点和所述第二检测点设置于所述焊盘的表面,所述焊盘用于设置于所述待检测芯片的两端。
4.根据权利要求2所述的芯片检测电路,其特征在于,所述检测模块包括:
5.根据权利要求4所述的芯片检测电路,其特征在于,所述检测模块还包括:
6.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片检测电路,其特征在于,所述芯片检测电路还包括:
7.一种芯片检测方法,其特征在于,包括:
8.根据权利要求7所述的芯片检测方法,其特征在于,所述在晶圆中的待检测芯片上设置第一检测部和第二检测部包括:在所述晶圆中的所述待检测芯片上设置所述第一检测部和所述第二检测部;所述第一检测部包括第一检测点,所述第二检测部包括第二检测点;
9.根据权利要求8所述的芯片检测方法,其特征在于,所述通过所述检测电路检测所述第一检测点与所述第二检测点之间的电性参数,包括:
10.根据权利要求7至9中任一项所述的芯片检测方法,其特征在于,所述基于所述电性参数评估所述待检测芯片的所述至少一个导体层的加工工艺质量,包括: