专利名称：一种新型的防盗电保安器的制作方法
技术领域：
本实用新型是属电气保安工具。
目前国内市场广泛推出的是防触电保安器，它不能对付盗电及超负荷用电的情况，同时也存在着体积大，功能单一，成本较高的不足。
本实用新型的目的就是针对现有技术中存在着的电气保安功能单一、成本较高的不足，而提供一种具有防盗电和防超负荷用电等功能的保安器。
本实用新型的技术解决方案与实施例可参照附
图1、2、3加以说明。
本实用新型所采用的是互感器次级同相位电位差技术，图1是防盗电保安器电路原理图。防盗电保安器主要由变压器T1，T2，T3，整流器(1)，限流电阻R2(可调)，整流二极管D5，单相可控硅3CT，磁铁K4，电源开关K5，倾斜开关K1，磁性开关K2，检测开关K2，电阻R1，电容C等组成。其中整流器(1)是包括二极管D1～D4。变压器T1与T3的初级线圈串接，而次级的同相位端分别接至限流电阻R4两端，再经整流管D5连接单相可控硅3CT的控制极G，再由P极经磁铁K4与电源开关K5相接。变压器T2经整流器(1)直接与单相可控硅3CT控制极G连接。
在正常负荷时，即用电器W1接于a、b两点间，当用电器W1上流过的电流≤8安培时，变压器T1、T3次级的同相位电位差小于单相可控硅3CT的开启电压0.75V，电源开关K5不跳闸，可保证正常供电。一旦负荷加大，用电器W1上的电流大于8安培，变压器T1与T3的次级同相位电位差便升高，此电压经限流电阻R2与整流管D5加至单相可控硅3CT的控制极G，单相可控硅3CT导通，磁铁K4受电生磁，便自动切断电源开关K5，待负荷被调整到正常值后，可合闸供电。
当用电器W2接于C、D两点间时，且用电器W2上电流＞0.2安培，此时变压器T1次级的感应电压一旦＞0.75V，导致单相可控硅3CT导通，使其磁铁K4吸合，自动切断电源开关K5，待用电器W2由C、D间移接到a、b间后，可合闸供电。
当线路发生漏电和触电，且用电器W3上电流＞30毫安时，因变压器T2初级单边通过电流，其次级的感应电压驱动单相可控硅3CT导通，导致电源开关K5被切断，可保证人身安全。
图2是防盗电保安器与电度表间的接线关系图，防盗电保安器(2)包括控制器(3)和执行器(4)，其中执行器(4)是由倾斜开关K1，磁性开关K2以及变压器T3并联构成，并位于电度表附加盒(5)内，变压器T3与电度表附加盒(5)中的电流线圈(6)相连接。倾斜开关K1是由接线版(7)，金属导线(8)，金属环(9)以及重心锤(10)组成，如图3所示。金属导线(8)焊接在铜箔(11)的支点(12)上，且铜箔(11)接有导线B，其金属导线(8)穿过焊接在铜箔(13)上的金属环(9)，且连接重心锤(10)，铜箔(13)与导线A连接。接线版(7)固定于电度表附加盒(5)内。当电度表(14)偏离正常位置时，金属导线(7)便受重心锤(10)作用与金属环(9)接触，即倾斜开关K1吸合，变压器T3被短路，变压器T1，T3失去平衡，电源开关K5被切断，待电度表(14)摆正后，可合闸供电。也可在导线A与B间接一钢簧管(15)，若电度表(14)周围出现强磁场时，钢簧管(15)立刻吸合，即磁性开关K2导通，同样将电源开关K5切断。
附图1 防盗电保安器电路原理图。
附图2 防盗电保安器与电度表间的线路关系图。
附图3 倾斜开关K1和磁性开关K2的结构示意图。
本实用新型与现有技术相比，不但具有防触电和漏电功能，还具备防盗电及防超负荷用电等多种功能，可为国家节约大量能源，本实用电路结构简单，新颖，适用范围广，功能齐全且成本低廉，它是家用电器中不可缺少的一种防盗电保安工具，也是电力管理部门实行科学管理用电的方便易行的管理装置。
权利要求1.一种新型的防盗电保安器，包括变压器T3，整流器(1)，其特征在于变压器T1与T3的次级同相位端分别接限流电阻R2两端，再经整流管D5连至单相可控硅3CT控制极G，其P极通过磁铁K4与电源开关K5连接，变压器T3与整流器(1)串联相接后连至单相可控硅3CT控制极G，倾斜开关K1或磁性开关K2并联于变压器T3两端后，放置电度表附加盒(5)内，变压器T3与电流线圈(6)相接。
2.根据权利要求1所述的防盗电保安器，其特征在于倾斜开关K1是由线路版(7)，金属导线(8)，金属环(9)，铜箔(11)、(13)，重心锤(10)以及支点(12)等组成，线路版(7)固定于电度表附加盒(5)内，金属导线(7)由支点(12)焊于铜箔(11)，其另一端穿过焊接于铜箔(13)的金属环(9)中，且接有一重心锤(10)，铜箔(13)、(11)分别连接A、B导线。
3.根据权利要求1所述的防盗电保安器，其特征在于磁性开关K2是由焊接在导线A、B间的钢簧管(15)构成。
专利摘要一种新型的防盗电保安器，是属电器保安工具。本实用新型是由变压器，整流器，限流电阻，单相可控硅及倾斜开关等组成，采用互感器次级同相位电位差技术，控制单相可控硅导通，从而实现防触电、漏电，盗电及超负荷用电等功能，具有结构简单，安装方便之功效。
文档编号G01R11/00GK2087344SQ9120683
公开日1991年10月23日 申请日期1991年4月29日 优先权日1991年4月29日
发明者赵万清, 马金波, 刘天福 申请人:赵万清