一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置的制作方法

本技术涉及智能手表夹具，尤其是一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置。

背景技术：

1、智能手表表壳内部要求不能有真空表面处理涂层，以免电镀层影响其导电性能，因此，在对智能手表表壳进行涂层电镀时，需要对智能手表表壳内部进行遮挡。

2、但是现有技术并没有相应的装置以解决上述问题，现有技术主要是通过在手表表壳内部贴上胶纸，以实现表壳内部遮挡，然后再对智能手表表壳外部进行电镀处理，但是这种方式严重影响电镀效率。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本实用新型提供一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置。

2、本实用新型的技术方案为：一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，包括遮蔽片、遮蔽体、卡口夹，所述的遮蔽片中央位置开设有一出水孔；所述的出水孔位置处的遮蔽片上设置有遮蔽体；所述的卡口夹卡设在遮蔽片的出水孔以及遮蔽体内，通过所述的卡口夹将遮蔽体固定在遮蔽片上。

3、作为优选的，所述的遮蔽片、遮蔽体、卡口夹均采用304、316不锈钢材质制成。

4、作为优选的，所述的遮蔽片为圆形结构，且其与手表壳体内径贴合且不溢镀为准。

5、作为优选的，所述的遮蔽片为方形结构，且四角为圆弧形结构，其与手表壳体内径贴合且不溢镀为准。

6、作为优选的，所述的遮蔽片下端还设置有把手。

7、作为优选的，所述的遮蔽体包括柱体和设置在柱体上端的遮蔽盘。

8、作为优选的，所述的遮蔽体的柱体为中空结构。

9、作为优选的，所述的遮蔽体为圆形或者方形结构。

10、作为优选的，所述的卡口夹为v型折叠卡口夹。

11、作为优选的，所述的v型折叠卡口夹包括两个结构相同的夹臂，两个所述的夹臂形成v型结构。

12、作为优选的，所述的夹臂包括多个弯折部。

13、本实用新型的有益效果为：

14、1、本实用新型结构简单，适用性强，通过遮蔽片和遮蔽盘实现表壳上下端开口的抵接，从而实现在电镀时遮挡表壳内部；避免电镀影响表壳内部；从而影响手表的性能。

15、2、本实用新型遮蔽体的柱体的长度与表壳的厚度相同，而且所述的遮蔽片、遮蔽体、卡口夹三者可以快速拆装，避免需要在表壳内部贴胶带导致的电镀效率低的问题。

技术特征：

1.一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：包括遮蔽片(1)、遮蔽体(2)、卡口夹(3)，所述的遮蔽片(1)中央位置开设有一出水孔(11)；所述的出水孔((11)位置处的遮蔽片(1)上设置有遮蔽体(2)；所述的卡口夹(3)卡设在遮蔽片(1)的出水孔(11)以及遮蔽体(2)内，通过所述的卡口夹(3)将遮蔽体(2)固定在遮蔽片(1)上。

2.根据权利要求1所述的一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：所述的遮蔽片(1)、遮蔽体(2)、卡口夹(3)均采用304、316不锈钢材质制成。

3.根据权利要求2所述的一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：所述的遮蔽片(1)为圆形结构，且其与手表壳体内径贴合且不溢镀为准。

4.根据权利要求2所述的一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：所述的遮蔽片(1)为方形结构，且四角为圆弧形结构，其与手表壳体内径贴合且不溢镀为准。

5.根据权利要求3或4所述的一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：所述的遮蔽片(1)下端还设置有把手(12)。

6.根据权利要求2所述的一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：所述的遮蔽体(2)包括柱体(21)和设置在柱体(21)上端的遮蔽盘(22)。

7.根据权利要求6所述的一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：所述的遮蔽体(2)的柱体(21)为中空结构。

8.根据权利要求7所述的一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：所述的遮蔽体(2)为圆形或者方形结构。

9.根据权利要求1所述的一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：所述的卡口夹(3)为v型折叠卡口夹(3)。

10.根据权利要求9所述的一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，其特征在于：所述的v型折叠卡口夹(3)包括两个结构相同且对称设置的夹臂(31)，两个所述的夹臂(31)形成v型结构；所述的夹臂(31)包括多个弯折部(32)。

技术总结
本技术提供一种智能手表表壳用真空表面处理遮蔽装置，包括遮蔽片、遮蔽体、卡口夹，所述的遮蔽片中央位置开设有一出水孔；所述的出水孔位置处的遮蔽片上设置有遮蔽体；所述的卡口夹卡设在遮蔽片的出水孔以及遮蔽体内，通过所述的卡口夹将遮蔽体固定在遮蔽片上。本技术结构简单，适用性强，通过遮蔽片和遮蔽盘实现表壳上下端开口的抵接，从而实现在电镀时遮挡表壳内部；避免电镀影响表壳内部；从而影响手表的性能。本技术遮蔽体的柱体的长度与表壳的厚度相同，而且所述的遮蔽片、遮蔽体、卡口夹三者可以快速拆装，避免需要在表壳内部贴胶带导致的电镀效率低的问题。

技术研发人员：范伟华,尹英发,黄裕坤
受保护的技术使用者：广东森美纳米科技有限公司
技术研发日：20221212
技术公布日：2024/1/12