触控荧屏以及坐标定位方法

文档序号:6470054阅读:214来源:国知局
专利名称:触控荧屏以及坐标定位方法
技术领域
本发明是有关于一种触控技术,且特别是有关于一种一种触控荧屏以及 一种坐标定位方法。
背景技术
近年来,由于科技的发展快速,手持式装置,例如智能型手机、数字个
人助理(Personal Digital Assistant, PDA)、卫星导航系统(Global Position System, GPS)等等,也跟着越来越普及。由于上述装置都是使用触控荧屏, 因此触控式传感器的技术变的十分重要。在传统的技术中,触控式传感器一 般是使用电阻式传感器。此种电阻式传感器必须要靠压力来感测指标在荧屏 上的坐标。由于目前此种手持式装置通常是使用液晶荧屏,而电阻式传感器 又必须与液晶荧屏重叠。因此当压迫到电阻式传感器时,相对的也就压迫到 了液晶荧屏。长久下去,液晶荧屏可能会因此损毁。另外,电阻式传感器的 解析度较低,常常会有坐标定位不准确的情况发生。
在现有技术中,还有一种触控式传感器,就是电容式触控板。电容式触 控板在目前被广泛的应用在到手持式装置的触控荧屏中。然而,传统的电容 式触控板在触控版电路布局上,必须要使用四层布局。图1是传统电容式触 控板的结构剖面图。请参考图1,此电容式触控板包括Y轴感应层101、 X轴 感应层102、接地层103以及电子零组件层104,其中,电子零组件层104是 用以配置电子元件的放置与连接处(包含控制IC、电阻、电容等等元件)。图2 与图3分别绘示X轴感应层102以及Y轴感应层101的结构。请参考图2以 及图3,Y轴感应层101及X轴感应层102分别包括多个平行的感应电极XOO 以及YOO。另外,传统的电容式触控板还有另一种结构,是采用六层式的铟锡氧化
物(Indium Tin Oxide,ITO)玻璃结构。图4是传统铟锡氧化物玻璃结构的电 容式触控板的结构剖面图。请参考图4,其第一层401为二氧化硅(Si02)层, 用来保护Y轴感应层;其第二层402为Y轴感应层;其第三层403为玻璃层; 其第四层404为X轴感应层;其第五层405为二氧化硅层,用来保护X轴感 应层;第六层406为噪声(noise)遮蔽(Shielding)层,用来隔离噪声。
然而,传统的电容式触控板为了应用在二维平面的感应,需将印刷电路 板或铟锡氧化物玻璃结构布线成二维的平面,因此,使得制作程序复杂化。 相对的,成本的要求也相对的较高。

发明内容
有鉴于此,本发明的一目的就是在提供一种坐标定位方法以及使用其的 触控荧屏,其主要是利用一维的感应方式进而得到二维平面坐标,不但提高
感应的解析度,也进一步降低了印刷电路板或铟锡氧化物(ITO)玻璃的制作成本。
本发明的另一 目的就是在提供一种触控荧屏的坐标校准方法,用以使电 容式传感器的坐标转换为显示面板的坐标。
为达上述或其他目的,本发明提出一种触控荧屏,此触控荧屏包括一感 应阵列层以及一微处理器。感应阵列层包括MXN个电容式传感器,其中, 沿着第一轴方向,配置M列电容式传感器,沿着第二轴方向,配置N行电容 式传感器。微处理器包括多个接脚,对应的耦接上述电容式传感器。当触控 荧屏被触碰,导致感应阵列层中的电容式传感器的至少一感测值产生变化时, 微处理器利用上述电容式传感器所感测到的感测值,进行内插计算,以决定 一被触碰的坐标。
另外,本发明提出一种坐标定位方法。此方法包括下列步骤提供一触 控荧屏;在上述触控荧屏中,提供一感应阵列层,其包括MXN个电容式传感器,其中,沿着第一轴方向,配置M列电容式传感器,沿着第二轴方向,
配置N行电容式传感器;提供上述电容式传感器对应的多个参考坐标,每一 参考坐标包括第一轴坐标以及第二轴坐标;当上述触控荧屏被触碰,导致感 应阵列层中的电容式传感器的至少一感测值产生变化时,利用上述电容式传 感器所感测到的感测值,以及其对应的参考坐标的第一轴坐标与第二轴坐标, 进行一内插计算,以决定一被触碰的坐标。
根据本发明较佳实施例所述的触控荧屏,上述触控荧屏还包括一电子元 件层以及一接地层,其中接地层配置于感应阵列层以及电子元件层之间。在 另 一实施例中,上述触控荧屏还包括一第一氧化硅层以及一第二氧化硅层, 其中,感应阵列层配置于第一氧化硅层以及第二氧化硅层之间。
本发明的精神是利用在一触控面板中,配置一感应阵列层,其中,此感 应阵列层配置了MXN个电容式传感器,其中,沿着第一轴方向,配置M列 电容式传感器,沿着第二轴方向,配置N行电容式传感器,并且每一个电容 式传感器都耦接到一微处理器。因此,只要触控面板被碰触时,对应的位置 的电容式传感器的感测值会产生变化,经由计算便可以得知所触碰的位置。 由于此结构与传统触控面板的明显不同,本发明只需要一层感应层便可以做 到原先传统需要两层感应层才能进行的坐标定位。不但提高感应的解析度, 也进一步降低了先前技术中,印刷电路板或铟锡氧化物(ITO)玻璃的制作成本。


图1是传统电容式触控板的结构剖面图。 图2绘示传统电容式触控板的X轴感应层102的结构。 图3绘示传统电容式触控板的Y轴感应层101的结构。 图4是传统铟锡氧化物玻璃结构的电容式触控板的结构剖面图。 图5是根据本发明实施例所绘示的触控荧屏的电路结构图。 图6是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的判断X轴方向的坐 标的方法示意图。图7是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的判断Y轴方向的坐
标的方法示意图。
图8是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的坐标配置。
图9是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的另一坐标配置。
图IO是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的结构图。
图11是根据本发明实施例所绘示的多个手指或导电性质的材料接触的感
测方式示意图。
图12是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的结构剖面图。 图13是根据本发明实施例所绘示的坐标定位方法的流程图。 图14是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的布线阻抗示意图。 图15是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏上的电容式传感器 C50在相同状态下所感应到的感应值示意图。 附图标号
101、 402: Y轴感应层
102、 405: X轴感应层 103:接地层
104:电子零组件层
XOO、 Y00:感应电极 401、 404: 二氧化硅 403:玻璃层 501:感应阵列层 502:微处理器 C50:电容式传感器
1201:本发明实施例的触控荧屏的第1层 1202:本发明实施例的触控荧屏的第2层 1203:本发明实施例的触控荧屏的第3层 S1300 S1306:本发明实施例的步骤
具体实施例方式
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较 佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
图5是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的结构图。请参考图5 , 此电容式触控荧屏包括一感应阵列层501以及一微处理器502。在此实施例中, 此感应阵列层501包括12个电容式传感器C50,配置成3X4的阵列。每一 个电容式传感器C50皆耦接到微处理器502。且每一个电容式传感器C50分 别具有一代表其的坐标(O,O) (3, 2)。
当人体的手指或是任何带有导电性质的材料未接触到电容式触控荧屏 时,上述的电容式传感器C50的电容值不会有任何变化,因此,微处理器502 所接收的每一个电容感应值不会有变动。 一般来说,微处理器502对应于每 一个电容式传感器C50会提供一初始值(BaseValue), —般来说是0。当手指 或是任何带有导电性质的材料接触到本实施例的电容式触控荧屏时,被接触 到的部分的电容式传感器C50或是其邻近的电容式传感器C50所对应的电容 感应值(ADCValue)将产生变化。而微处理器502会进行以下判断 (ADCValue - BaseValue) >Th,
其中,Th表示门槛値。
当判断出上述数值大于上述门槛值时,微处理器502判定此时有手指或 是任何带有导电性质的材料接触到电容式传感器C50。
图6是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的判断X轴方向的坐 标的方法示意图。请参考图6,在本实施例中,当要判断X轴坐标时,微处 理器502会根据以下顺序,对电容式传感器C50所对应的电容感应值进行扫 描
(O,O) — (1,0) — (2,0) — (3,0) — (O,l) — (l,l) — (2,1)— (3, 1) .... —— (3,2)。当检测到有两邻近的电容式传感器C50所对应的电容感应值皆大于门槛值时,便会进行内插计算,以得到触碰物(例如导体或手指)所触碰的坐标。此内插计算如下-
Xjposition= -^~^-xS
其中,Xjositkm为判断出的X坐标;i与i+l分别是邻近的电容式传感
器C50的X坐标;K为第i个X坐标所检测到的电容感应值;L为第i+1个
X坐标所检测到的电容感应值;S是两个X坐标之间的坐标间隔数。
举例来说,假设此电容式触控荧屏的每一个电容式传感器C50的X作坐标的坐标间隔数内建是32。当手指碰触到坐标为(1,0)以及(2,0)的电容式传感器C50之间时,坐标为(l,O)的电容式传感器C50所检测到的电容感应值是70,而垒标为(2, 0)的电容式传感器C50所检测到的电容感应值是80,则X坐标即
(70 X 1+80 X 2) X 32+(70+80)=49.067 49 。
同样的道理,图7是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的判断Y轴方向的坐标的方法示意图。请参考图7,在本实施例中,当要判断Y轴坐标时,微处理器502会根据以下顺序,对电容式传感器C50所对应的电容感应值进行扫描
(O,O) — (0,1) — (0,2) — (l,O) — (1,1) — (1,2) — (2,0)—(2, 1) .... — (3,2)。
当检测到有两邻近的电容式传感器C50所对应的电容感应值皆大于门槛值时,便会进行内插计算,以得到触碰物(例如导体或手指)所触碰的坐标。此内插计算如下
Y_position= -^~~p-x 6
A +丄其中,Yjosition为判断出的Y坐标;j与j+l分别是邻近的电容式传感器C50的Y坐标;K为第j个Y坐标所检测到的电容感应值;L为第j+1个
Y坐标所检测到的电容感应值;S是两个坐标之间的坐标间隔数。
举例来说,假设此电容式触控荧屏的每一个电容式传感器C50的Y坐标的坐标间隔数内建是40。当手指碰触到坐标为(1,1)以及(1,2)的电容式传感器C50之间时,坐标为(1,1)的电容式传感器C50所检测到的电容感应值是90,而坐标为(1,2)的电容式传感器C50所检测到的电容感应值是150,则Y坐标即<formula>formula see original document page 14</formula>
接下来,图8是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的坐标配置。图9是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的另一坐标配置。请同时参考图8以及图9,图8是上述实施例中的标准坐标配置;图9是另一种形式的标准坐标配置。 一般来说,根据客户的需求或者固件的编码的不同,坐标配置可以如上述的变化。若是以图9的坐标配置,若要改变为图8的坐标配置,必须进行一坐标转换计算,其中,此坐标转换计算可由微处理器502进行。
在说明此坐标转换计算之前,先做以下假设。假设图9的X坐标与Y坐标的代号分别为X_positi0n以及Y_position;图8的X坐标与Y坐标的代号分别为Xo以及Yo; m与n分别表示电容式传感器C50的行数与列数。贝ij
<formula>formula see original document page 14</formula>
将上述联立方程式以矩阵方式表示
<formula>formula see original document page 14</formula>
因此,可经由反矩阵运算,进而得到映射至二维坐标(XO,YO):
<formula>formula see original document page 14</formula><formula>formula see original document page 15</formula>图io是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的结构图。请参考图
10,上述举例虽使用12个电容式传感器C50的触控荧屏做举例,但是本领域技术人员应当知道,电容式传感器C50的数目越多,解析度越高,撷取与计算坐标的位置越准确。另外,图11是根据本发明实施例所绘示的多个手指或导电性质的材料接触的感测方式示意图。请参考图11,在此实施例中,我们定义使用者的单根手指接触到的电容感应器数目为4个邻近的电容式传感器C50作为一个群组。经由上述流程,可以通过手指或是任何带有导电性质的材料从任意两个电容感测器之间移动,得到内插位移点。
由上述几个实施例可以看出,本发明仅需要一个感应阵列层便可以做到先前技术中,需要两个感应层才可以做得到的二维坐标定位。图12是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的结构剖面图。请参考图12,若以本发明的方式实施于印刷电路板的触控荧屏工艺时,仅需要3层结构。第1层1201是本发明实施例的感应阵列层;第2层1202是接地层;第3层1203是电子零组件层。同样的道理,若以本发明的方式实施于铟锡氧化物(ITO)的触控荧屏工艺,亦仅需要3层结构。第1层1201是二氧化硅层;第2层1202是本发明实施例的感应阵列层;第3层1203是玻离层;以及第四层1204为噪声遮蔽(Shielding)层。
上述实施例,可以简单归纳成一个坐标定位方法。图13是根据本发明实施例所绘示的坐标定位方法的流程图。请参考图13,此方法包括下列步骤
步骤S1300:开始。
步骤S1301:提供一触控荧屏。
步骤S1302:在上述触控荧屏中,提供一感应阵列层,其包括MXN个电容式传感器,其中,沿着第一轴方向,配置M列电容式传感器,沿着第二轴方向,配置N行电容式传感器。步骤S1303:提供上述电容式传感器对应的多个参考坐标,每一参考坐标包括第一轴坐标以及第二轴坐标。例如上述图8或图9的坐标系统。
步骤S1304:判断当触控荧屏是否被触碰。此步骤可利用微处理器502检测电容式传感器C50的电容感应值是否大于门槛值来判定。当判定为否时,回到步骤S1304,持续做判定。
步骤S1305:当触控荧屏被触碰,导致该感应阵列层中的所述这些电容式传感器的至少一感测值产生变化时,利用上述电容式传感器所感测到的感测值,以及其对应的参考坐标的第一轴坐标与第二轴坐标,进行一内插计算,以决定被触碰的坐标。内插计算的部分已经于上述实施例中详加叙述,故在此不予赘述。
步骤S1306:结束。
图14是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏的布线阻抗示意图。请参考图14,在图14上的每一个点,由左到右依序分别表示第一列的4个电容式传感器C50所耦接的感应线的布线电阻、第二列的4个电容式传感器C50所耦接的感应线的布线电阻以及第三列的4个电容式传感器C50所耦接的感应线的布线电阻。在本发明的实施例中,所提出的利用一维电容式传感器阵列扩展为二维平面的架构,因此每个电容式传感器C50都需要有对应的一条感应线以耦接到微处理器502,当电容式传感器C50离微处理器502愈远的话,对应的感应线的布线电阻也愈大,使得微处理器502所感测到的感应值也愈小,而电容式传感器C50若离微处理器502的愈近,对应的感应线的所产生的布线电组也愈小,使得微处理器502所得到的感应值也愈大。
接下来,请参考图15,图15是根据本发明实施例所绘示的电容式触控荧屏上的电容式传感器C50在相同状态下所感应到的感应值示意图。如图15所示,在此种布线电阻长度分布不平均的情况下,将会得到分布不平均的感应值。为了得到良好的判定效果,以判定是否有手指或导体置放或接近感应平面,本发明另外提出了两个实现方式-
16(1) 以列为单位,对每一列的电容式传感器C50所感应到的感应值去进行增益上的调整;举例来说,若是第I列的电容式传感器C50所耦接的感应线的布线电组小于第列1+1的电容式传感器C50所耦接的感应线的布线电阻,则第I列的感应值会大于第I+1列的感应值。因此,在设计上,微处理器502可以将第1+1列的增益大于第I列的增益,使得每一个电容式传感器C50所对应的增益值依照布线电阻的不同,给予适当的增益,以达到在相同碰触情况下,让每一个电容式传感器C50所感应到的感应值皆相近。
(2) 以列为单位,对每一列的电容式传感器C50所感应到的感应值到达的门槛值进行调整;在先前的文章己提到,当手指放在感应区上,微处理器502会得到一感应值(ADCVaule),故当(ADCValue-BaseValue) >门槛值
(Threshold)时,会判定此时有手指在感应区上。因此,为了克服布线电阻,在设计上,微处理器502可以以列为单位,对每一列的电容式传感器C50所对应的门槛值(Threshold)去做调整。举例来说,若是第I列的电容式传感器C50所对应的布线电阻小于第1+1列的电容式传感器C50所对应的布线电阻,则第I列的电容式传感器C50所对应的感应值会大于第列1+1的电容式传感器C50所对应的感应值。因此,适当的设计微控制器502内建的第I+1列的门槛值(Threshold 1+1)使其小于第I列的门槛值(Threshold 1),使得每一个电容式传感器C50所对应的增益值依照布线电阻的不同,给予适当的门槛值,以达到让每一列皆能正确地判定手指或导体接触或接近电容式传感器C50与否。
综上所述,本发明的精神在于利用在一触控面板中,配置一感应阵列层,其中,此感应阵列层配置了MXN个电容式传感器,其中,沿着第一轴方向,配置M列电容式传感器,沿着第二轴方向,配置N行电容式传感器,并且每一个电容式传感器都耦接到一微处理器。因此,只要触控面板被碰触时,对应的位置的电容式传感器的感测值会产生变化,经由计算便可以得知所触碰的位置。由于此结构与传统触控面板的明显不同,本发明只需要一层感应层便可以做到原先传统需要两层感应层才能进行的坐标定位。不但提高感应的解析度,也进一步降低了先前技术中,印刷电路板或铟锡氧化物(ITO)玻璃 的制作成本。
在较佳实施例的详细说明中所提出的具体实施例仅用以方便说明本发明 的技术内容,而非将本发明狭义地限制于上述实施例,在不超出本发明的精 神及以下权利要求的情况,所做的种种变化实施,皆属于本发明的范围。因 此本发明的保护范围当视以权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种触控荧屏,其特征在于,所述触控荧屏包括一感应阵列层,包括M×N个电容式传感器,其中,沿着第一轴方向,配置M列电容式传感器,沿着第二轴方向,配置N行电容式传感器;以及一微处理器,包括多个接脚,对应的耦接所述这些电容式传感器,当所述触控荧屏被触碰,导致所述感应阵列层中的所述这些电容式传感器的至少一感测值产生变化时,所述微处理器利用上述电容式传感器所感测到的感测值,进行内插计算,以决定被触碰的坐标。
2. 如权利要求l所述的触控荧屏,其特征在于,所述触控荧屏更包括一电子元件层;以及一接地层,配置于所述感应阵列层以及所述电子元件层之间。
3. 如权利要求1所述的触控荧屏,其特征在于,所述触控荧屏更包括 一第一氧化硅层;以及一第二氧化硅层;其中,所述感应阵列层配置于所述第一氧化硅层以及所述第二氧化硅层之间。
4. 如权利要求1所述的触控荧屏,其特征在于,第i列、第j行的电容式 传感器的坐标表示为(i,j)。
5. 如权利要求4所述的触控荧屏,其特征在于,当所述触控荧屏被触碰, 导致所述感应阵列层中的第i行、第j列的电容式传感器的感测值以及第i+l行、第j列的电容式传感器的感测值产生变化时所述微处理器撷取所述第i行、第j列的电容式传感器的感测值,以及所 述第i+l行、第j列的电容式传感器的感测值,并进行以下内插计算,以得到 所述被触碰的坐标的第一轴坐标-第一轴坐标="~"~其中,K表示为所述第i行、第j列的电容式传感器的感测值,L表示为 所述第i+l行、第j列的电容式传感器的感测值,S表示每一所述这些电容式 传感器之间的间隔坐标数。
6. 如权利要求4所述的触控荧屏,其特征在于,当所述触控荧屏被触碰, 导致所述感应阵列层中的第i行、第j列的电容式传感器的感测值以及第i行、 '第j+l列的电容式传感器的感测值产生变化时-所述微处理器撷取所述第i行、第j列的电容式传感器的感测值,以及所 述第i行、第j+l列的电容式传感器的感测值,并进行以下内插计算,以得到 所述被触碰的坐标的第二轴坐标第二轴坐标=^ 1)xS《+丄其中,K表示为所述第i行、第j列的电容式传感器的感测值,L表示为 所述第i+l行、第j列的电容式传感器的感测值,S表示每一所述这些电容式 传感器之间的间隔坐标数。
7. 如权利要求1所述的触控荧屏,其特征在于,第i行、第j列的电容式 传感器的坐标(x,y)表示为(i+Nxj,Mxi+j)。
8. 如权利要求7所述的触控荧屏,其特征在于,所述微处理器还进行一 坐标转换计算,所述坐标转换计算如下-n_ _ x + 7/ x少 n— x ;c -少其中,(x0,y0)为转换后的电容式传感器的坐标。
9. 如权利要求1所述的触控荧屏,其特征在于,所述触控荧屏更包括MxN个感应线,每一个感应线分别用以电性连接上述MxN个电容式传 感器以及所述微处理器;其中,所述微处理器根据每一所述这些感应线的布线电阻,给予上述MxN 个电容式传感器对应的MxN个增益。
10. 如权利要求1所述的触控荧屏,其特征在于,所述触控荧屏更包括 MxN个感应线,每一个感应线分别用以电性连接上述MxN个电容式传感器以及所述微处理器;其中,所述微处理器根据每一所述这些感应线的布线电阻,给予上述MxN 个电容式传感器对应的MxN个门槛值,其中,所述微处理器根据第(I,J)电 容式传感器的感测值是否大于第(I,J)电容式传感器的门槛值以判定第(1, J) 电容式传感器是否被触碰。
11. 如权利要求1所述的触控荧屏,其特征在于,所述触控荧屏更包括 MxN个感应线,每一个感应线分别用以电性连接上述MxN个电容式传感器以及所述微处理器;其中,所述微处理器根据每一所述这些感应线的布线电阻,给予上述MxN 个电容式传感器对应的MxN个门槛值,其中,所述微处理器根据第(I,J)电 容式传感器的感测值减第(I,J)电容式传感器的基础值是否大于第(I,J)电 容式传感器的门槛值以判定第(I,J)电容式传感器是否被触碰。
12. —种坐标定位方法,其特征在于,所述坐标定位方法包括 提供一触控荧屏;在所述触控荧屏中,提供一感应阵列层,其包括MxN个电容式传感器, 其中,沿着第一轴方向,配置M列电容式传感器,沿着第二轴方向,配置N 行电容式传感器;提供所述这些电容式传感器对应的多个参考坐标,每一参考坐标包括第 一轴坐标以及第二轴坐标;当所述触控荧屏被触碰,导致所述感应阵列层中的所述这些电容式传感 器的至少一感测值产生变化时,利用上述电容式传感器所感测到的感测值, 以及其对应之参考坐标的第一轴坐标与第二轴坐标,进行一内插计算,以决 定被触碰的坐标。
13. 如权利要求12所述的坐标定位方法,其特征在于,第i列、第j行的 电容式传感器的坐标表示为(i,j)。
14. 如权利要求13所述的坐标定位方法,其特征在于,当所述触控荧屏 被触碰,导致所述感应阵列层中的第i行、第j列的电容式传感器的感测值以 及第i+l行、第j列的电容式传感器的感测值产生变化时撷取所述第i行、第j列的电容式传感器的感测值,以及所述第i+l行、 第j列的电容式传感器的感测值,并进行以下内插计算,以得到所述被触碰的坐标的第一轴坐标第一轴坐标- """("1)MA +丄其中,K表示为所述第i行、第j列的电容式传感器的感测值,L表示为 所述第i+l行、第j列的电容式传感器的感测值,S表示每一所述这些电容式 传感器之间的间隔坐标数。
15. 如权利要求13所述的坐标定位方法,其特征在于,当所述触控荧屏 被触碰,导致所述感应阵列层中的第i行、第j列的电容式传感器的感测值以 及第i行、第j+l列的电容式传感器的感测值产生变化时撷取所述第i行、第j列的电容式传感器的感测值以及所述第i行、第j+l 列的电容式传感器的感测值,并进行以下内插计算,以得到所述被触碰的坐 标的第二轴坐标第二轴坐标=其中,K表示为所述第i行、第j列的电容式传感器的感测值,L表示为 所述第i+l行、第j列的电容式传感器的感测值,S表示每一所述这些电容式 传感器之间的间隔坐标数。
16. 如权利要求12所述的坐标定位方法,其特征在于,第i行、第j列的电容式传感器的坐标(x,y)表示为(i+Nxj,Mxi+j)。
17. 如权利要求16所述的坐标定位方法,其特征在于,所述坐标定位方法更包括下列步骤进行一坐标转换计算,所述坐标转换计算如下y。= -^其中,(x0,y0)为转换后的电容式传感器的坐标。
18. 如权利要求12所述的坐标定位方法,其特征在于,所述坐标定位方法更包括提供MxN个感应线,每一个感应线分别用以电性连接上述MxN个电容式传感器以及一微处理器;以及根据每一所述这些感应线的布线电阻,给予上述MxN个电容式传感器对应的MxN个增益。
19. 如权利要求12所述的坐标定位方法,其特征在于,所述坐标定位方法更包括-提供MxN个感应线,每一个感应线分别用以电性连接上述MxN个电容式传感器以及一微处理器;根据每一所述这些感应线的布线电阻,给予上述MxN个电容式传感器对应的MxN个门槛值;以及根据第(I,J)电容式传感器的感测值是否大于第(I,J)电容式传感器的门槛值以判定第(I,J)电容式传感器是否被触碰。
20. 如权利要求12所述的坐标定位方法,其特征在于,所述坐标定位方法更包括提供MxN个感应线,每一个感应线分别用以电性连接上述MxN个电容式传感器以及一微处理器;根据每一所述这些感应线的布线电阻,给予上述MxN个电容式传感器对应的MxN个门槛值;以及根据第(I,J)电容式传感器的感测值减第(I,J)电容式传感器的基础值是否大于第(I,J)电容式传感器的门槛值以判定第(I,J)电容式传感器是否被触碰。
全文摘要
本发明是关于一种触控荧屏以及坐标定位方法,该触控荧屏包括一感应阵列层以及一微处理器。感应阵列层包括M×N个电容式传感器,其中,沿着第一轴方向,配置M列电容式传感器,沿着第二轴方向,配置N行电容式传感器。微处理器包括多个接脚,对应的耦接该电容式传感器。当触控荧屏被触碰,导致感应阵列层中的电容式传感器的至少一感测值产生变化时,微处理器利用上述电容式传感器所感测到的感测值,进行内插计算,以决定一被触碰的坐标。本发明只需要一层感应层便可以做到原先传统需要两层感应层才能进行的坐标定位。不但提高感应的解析度,也进一步降低了先前技术中,印刷电路板或铟锡氧化物玻璃的制作成本。
文档编号G06F3/041GK101667086SQ20081021375
公开日2010年3月10日 申请日期2008年9月4日 优先权日2008年9月4日
发明者席铭杰, 邱延诚 申请人:义隆电子股份有限公司
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