专利名称：一种用于存储少量可更改信息的rom模拟改写方法
技术领域：
本发明涉及一种可模拟改写ROM内容的实现方法，属于家用电器产品的信息改写 技术领域，特别适用含ROM单片机/IC的电磁炉产品。
背景技术：
随着单片机/IC技术在电子应用领域的普及，越来越多的电子产品开始使用单片 机/IC，尤其是涉及程序化产品。依据单片机/IC的永久记忆体是否可以重复拆写分ROM, EEPROM，FLASH。前者只可以编程一次，后两种可以进行多次编程，但价格比ROM高很多。在 产品竞争剧烈的环境下，不少厂家纷纷采用ROM单片机/IC，特别是家电领域。
因为ROM单片机/IC只可以编程一次，是优点也是缺点。优点是程序或信息一旦 写入ROM无法再变更，信息相对安全可靠。缺点则是一旦程序或信息写错，将引起此单片机 /IC的更换或报废，因此要承受相当大风险。 在家电应用上，有时需要将一些关键信息放置于单片机/IC的R0M里，以方便查阅 或跟踪品质等，如将生产日期，批次等信息组成的电子条码写入单片机/IC的ROM中。可问 题是一旦写入错的电子条码就无法得到修正。如果需要修正只有弃用此颗已经写入错误电 子条码的单片机/IC，而更换空白的单片机/IC，重新烧入正确的电子条码。这对生产是一 个极大的浪费。 使用EEPROM， FLASH单片机/IC虽然可以克服上述缺点，但其成本高。不是最好的 解决方案。
发明内容
本发明的目的提供一种用于存储少量可更改信息的ROM模拟改写方法，能在现有 ROM单片机/IC的基础上，实现有限次数ROM改写功能，相当于使含有ROM的单片机/IC具 有了可擦写的功能。 本发明包括如下技术特征一种用于存储少量可更改信息的ROM模拟改写方法， 包括如下步骤 a、在单片机/IC的ROM烧录固定程序后的余下空间里，区分若干个可外部指定的 ROM地址； b、依据外部设定条件判断是否需要改写ROM内容，如需要改写，对指定的ROM地址 进行烧录； c、通过指针跳转到指定的ROM地址，读取数据取代原来数据，实现数据改写。
本发明所述的少量可更改信息为家电产品的电子条码。 通过外部电阻模块的电平组合实现是否需要改写ROM内容的条件判断和对ROM地 址的外部指定。具体为所述外部电阻模块包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6 ;电阻R1与R4 组成的串联电路一端接电源，另一端接地；电阻R2与R5组成的串联电路一端接电源，另一 端接地；电阻R3与R6组成的串联电路一端接电源，另一端接地，含有ROM的单片机/IC的端口 SI接在电阻Rl与R4之间；含有ROM的单片机/IC的端口 S2接在电阻R2与R5之间； 含有ROM的单片机/IC的端口 S3接在电阻R3与R6之间。 本发明通一个可显示ROM内容的显示装置显示信息数据并判断是否正确。所述的 显示装置是LED灯、液晶屏、VFD或数码管。 本发明是一种基于低成本的ROM单片机/IC的技术方案，具体为一种用于存储少 量可更改信息的ROM模拟改写方法，应用此方法可克服ROM只可以编程一次而不能再更改 其内容的弊端。 一般在程序设计时，ROM内部空间不会全部用完，还会留有空余区域用作程 序扩展升级，利用此特性，在ROM空余区域再安排一小部分空白空间用作存放要改写ROM内 容的数据。因为此部分是没有烧录过的，可以输入任意我们需要的数据，依据地址的分配， 可以实现多次输入，从而实现多次改写的目的。
图1为本发明各部件的连接框图， 图2为本发明判定改写ROM内容的不同电平组合与对应的改写次数图，
图3为本发明第一实施例的存储体分布图，
图4为本发明第一实施例的改写ROM内容流程图，
图5为本发明第一实施例的烧录装置工作流程图，
具体实施例方式
下面结合附图1至5的实施例对本发明作进一步描述。 配合如图1的硬件系统连接框图，发明包括包含ROM的单片机/IC，外部电阻模块 4，显示装置2和烧录装置3。电阻Rl与R4组成的串联电路一端接+5V电源，另一端接地； 电阻R2与R5组成的串联电路一端接+5V电源，另 一端接地；电阻R3与R6组成的串联电路 一端接+5V电源，另一端接地。此三组串联电路之间又相互并联。含有R0M的单片机/IC 的端口 SI接在电阻Rl与R4之间；含有ROM的单片机/IC的端口 S2接在电阻R2与R5之 间；含有ROM的单片机/IC的端口 S3接在电阻R3与R6之间。 图2给出是否需要改写ROM内容以及改写次数的电平组合图。控制程序完成初始
化，随后完成其他任务，单片机/IC开始判断端口 Sl， S2， S3的电平状态。 如果SI = 0， S2 = 0， S3 = 0，即T = 0，说明不用更改，程序读取默认地址数据即
为正确值，然后程序继续执行其他任务即可。 如果SI = 0， S2 = 0， S3 = 1，即T = 1，则依照其数值的指向，使指针跳转到指定 ROM地址读取相应数据来取代默认数据，这样便可以实现用新数据代替原来数据，完成了 一 次改写数据过程。 如果SI = 0，S2 = 1，S3 = 0，即T = 2，则指针跳转到另外一个指定ROM地址读取 相应数据来取代默认数据，完成了第二次改写。
其他次数读取原理同此，依次类推。 其中，所述的指定ROM地址所对应的空间由于原来是空白的，因此可以由烧录装 置输入任意所需要的数据。 烧录装置工作流程依照图5，同样是完成初始化，其他任务，然后判断S1，S2，S3的电平状态， 如果SI = 0， S2 = 0， S3 = 0，即T = 0，说明不用烧录了 。 如果SI = 0， S2 = 0， S3 = 1，即T = l，则到指定ROM地址去烧入需要的数据，完成了一次改变数据功能。 如果Sl =0，S2= 1，S3 = O，即T = 2，则到另外一个指定R0M地址去烧入需要的
数据，完成了第二次改变数据功能。 其他次数原理同此，依次类推。 当然，由于ROM空间是有限的，所以改写次数理论是有限的，本例中举例为7次。
实际应用中，可以扩展端口的个数或命令，扩展ROM空间，从而实现更多次改写。
以电磁炉产品为例，在生产时，需要将生产日期，批号等信息制作成电子条码用烧录装置输入单片机/IC的ROM中，以方便查询跟踪产品品质，去向等。 在生产过程查询时，通过相关按键进入显示程序，将电子条码数据(实际是ROM内容)显示在显示装置的LED或其他显示屏上。此时通过校验，确认是否正确，正确就不用更改了，正常出货。 如果发现数据有错，就需要对ROM内容进行改写而纠正错误。 可以改变图1中的相关电阻值，实现不同的电平组合信号来识别是否需要改写以及改写的次数。
权利要求
一种用于存储少量可更改信息的ROM模拟改写方法，其特征在于包括如下步骤a、在单片机/IC的ROM烧录固定程序后的余下空间里，区分若干个可外部指定的ROM地址；b、依据外部设定条件判断是否需要改写ROM内容，如需要改写，对指定的ROM地址进行烧录；c、通过指针跳转到指定的ROM地址，读取数据取代原来数据，实现数据改写。
2. 根据权利要求1所述的用于存储少量可更改信息的ROM模拟改写方法，其特征在于 所述的少量可更改信息为产品的电子条码。
3. 根据权利要求1所述的用于存储少量可更改信息的R0M模拟改写方法，其特征在于 步骤b通过外部电阻模块的电平组合实现是否需要改写ROM内容的条件判断和对ROM地址 的外部指定。
4. 根据权利要求3所述的用于存储少量可更改信息的R0M模拟改写方法，其特征在于 所述外部电阻模块包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6 ;电阻Rl与R4组成的串联电路一端接电 源，另 一端接地；电阻R2与R5组成的串联电路一端接电源，另 一端接地；电阻R3与R6组成 的串联电路一端接电源，另一端接地，含有ROM的单片机/IC的端口 Sl接在电阻R1与R4 之间；含有ROM的单片机/IC的端口 S2接在电阻R2与R5之间；含有ROM的单片机/IC的 端口 S3接在电阻R3与R6之间。
5. 根据权利要求1所述的用于存储少量可更改信息的R0M模拟改写方法，其特征在于 步骤c后通一个可显示ROM内容的显示装置显示信息数据并判断是否正确。
6. 根据权利要求5所述的用于存储少量可更改信息的R0M模拟改写方法，其特征在于 所述的显示装置是LED灯、液晶屏、VFD或数码管。
全文摘要
本发明为一种用于存储少量可更改信息的ROM模拟改写方法，包括外部电阻模块、含有ROM的单片机/IC、烧录装置和显示装置。先通过烧录装置将控制程序烧入单片机/IC中的ROM，此时ROM中仍留有空白空间。单片机/IC通过判断外部电阻模块识别条件，判断是否需要改写ROM内容，如需要改写，可利用烧录装置对ROM空白空间的指定地址进行烧录，而单片机/IC控制程序则跳转到此ROM指定地址读取相关数据。由于此ROM指定地址内容是后来烧录更新的，所以相当于原ROM地址内容已经进行更新了。显示装置显示此ROM指定地址的数据确认ROM是否更新了，以及是否是用户所需要的正确数据。用此方法模拟实现了改写ROM的功能，从而免除了写错就报废的缺点。本发明操作简单，成本低，实用性强。
文档编号G06F11/32GK101719071SQ20091019423
公开日2010年6月2日 申请日期2009年11月27日 优先权日2009年11月27日
发明者洪尧枝 申请人:美的集团有限公司