专利名称：多通道Nandflash控制器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种大容量Nandflash (与非型闪存)存储设备，特别是涉及一种多通 道Nandflash控制器。
背景技术：
Nandflash存储器在最近几年里得到了突飞猛进的发展，由1位/单元的技术发 展到了 2位/单元甚至3位/单元的技术，同时Nandflash存储器的生产工艺也不断进步。 随着技术的发展，Nandflash存储器容量不断增大，单位容量的成本也大幅降低。Nandflash存储器相对于磁存储介质有省电、寻道时间短等优点，因此被当作替代 现有磁存储介质的最佳选择。Nandflash存储器目前主要应用于U盘、MP3、MP4、数码相机 等领域，这类应用需要的数据传输带宽都不是很大，单通道Nandflash控制器的数据传输 带宽就能满足应用。但是当Nandflash存储器应用于固态存储盘(SSD)以替代传统硬盘的 时候，单通道Nandflash控制器的数据传输带宽就不能满足需求了。现有的SSD解决方案 都采用增加Nandflash控制器的通道数来增加SSD的数据传输带宽。随着Nandflash控制器上连接的Nandflash存储器越来越多，其管脚数量也越来 越多。在有些情况下，管脚数量已成为决定Nandflash控制器芯片面积的重要因素。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种多通道Nandflash控制器，能够对 Nandflash存储器的片使能信号CE#先进行编码后进行译码，有效减少多通道Nandf lash控 制器的管脚数量。为解决上述技术问题，本发明的多通道Nandflash控制器包括微控制器，负责对片使能信号CE#进行编码；寄存器，其输入端与微控制器相连接，输出端直接连接到Nandflash控制器芯片 的管脚端，用于寄存已编码片使能信号；译码器，与寄存器相连接，用于对已编码片使能信号进行译码；多个反相器，其输入端分别连接在所述译码器的输出端，其输出端分别连接到相 应Nandflash存储器的片使能信号输入端，负责对译码器的输出进行取反。采用本发明的多通道Nandflash控制器，充分利用多通道Nandflash控制器存 储架构中每个通道最多只有一片Nandflash存储器被选中的特性，对每个通道的多个 Nandflash存储器片使能信号CE#进行编码，有效地降低了整个芯片的管脚数量。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明图1是本发明的一实施例结构图；图2是本发明的另一实施例结构图。
具体实施例方式参见图1所示，在一个具体实施例中，所述多通道Nandflash控制器6芯片外部连 接8个Nandflash存储器5。每个Nandflash存储器5均有自己独立的片使能信号CE#和 就绪/忙信号R/B#,其它信号则8个Nandflash存储器5共享。采用这种连接方案，在任一 时刻，最多只有一片Nandflash存储器5被选中。在Nandflash控制器6芯片内，片使能信号CE#的选择由微控制器1通过对寄存 器2写4位宽的已编码片使能信号CE来实现。在Nandflash控制器6芯片外，通过一个4_16位的译码器3和8个反相器4实现 对已编码片使能信号CE的译码。在多通道Nandflash控制器6芯片内对片使能信号CE#进行编码时，对于每个通 道，若片使能信号CE#信号数量大于等于2"-1但小于2n(n为大于等于1的整数)，则其可以 编码为η位宽的新已编码片使能信号CE[n-l:0]。在多通道Nandflash控制器6芯片外对经过编码的新已编码片使能信号 CE[n-l:0]进行译码时，需要在芯片外采用一个η到2η的译码器；因为CE#是低有效的信 号，CE[n-l:0]在经过译码后，还需要进行反相，才能连接到Nandflash存储器5上。表1说明了 CE[3:0]和片使能信号CE#的对应关系。表1
CE[3:0]CEOttCElttCE2#CE3#CE4#CE5#CE6#CE7#'h001111111‘hi10111111'h211011111'h311101111'h411110111'h511111011'h611111101'h711111110其它值11111111 结合图2所示。在实际应用中，当多通道Nandflash控制器6每个通道上连接的片 使能信号CE#不大于CE的位数时，例如图1所示的Nandflash控制器6连接的Nandflash 存储器5数量不大于4，可以不对片使能信号CE#进行先编码后译码的处理，CE[3:0]可以 直接连接到Nandflash存储器5的片使能信号CE#输入端上，以简化多通道Nandflash控制器6和Nandflash存储器5的连接。表2表示了图2所示连接方案中，CE[3:0]和片使能信号CE#的对应关系。表权利要求
1.一种多通道Nandflash控制器，其特征在于，包括 微控制器，负责对片使能信号CE#进行编码；寄存器，其输入端与微控制器相连接，输出端直接连接到Nandflash控制器芯片的管 脚端，用于寄存已编码片使能信号；译码器，与寄存器相连接，用于对已编码片使能信号进行译码； 多个反相器，其输入端分别连接在所述译码器的输出端，其输出端分别连接到相应 Nandflash存储器的片使能信号输入端，负责对译码器的输出进行取反。
2.如权利要求1所述的多通道Nandflash控制器，其特征在于若片使能信号CE#信 号数量大于等于2114但小于2n，则编码为η位宽的已编码片使能信号，其中，η为大于等于1 的整数；在Nandflash控制器芯片内，片使能信号CE#的选择由微控制器通过对寄存器写η 位宽的已编码片使能信号来实现。
3.如权利要求1所述的多通道Nandflash控制器，其特征在于在Nandflash控制器 芯片外对已编码片使能信号进行译码时，需要在芯片外采用一个η到2η位的译码器。
全文摘要
本发明公开了一种多通道Nandflash控制器，包括微控制器，负责对片使能信号CE#进行编码；寄存器，其输入端与微控制器相连接，输出端直接连接到Nandflash控制器芯片的管脚端，用于寄存已编码片使能信号；译码器，与寄存器相连接，用于对已编码片使能信号进行译码；多个反相器，其输入端分别连接在所述译码器的输出端，其输出端分别连接到相应Nandflash存储器的片使能信号输入端，负责对译码器的输出进行取反。本发明能够对Nandflash存储器的片使能信号CE#先进行编码后进行译码，有效减少多通道Nandflash控制器的管脚数量。
文档编号G06F13/20GK102087636SQ200910201899
公开日2011年6月8日 申请日期2009年12月8日 优先权日2009年12月8日
发明者迟志刚 申请人:上海华虹集成电路有限责任公司