专利名称：用于双图样设计的布线方法
技术领域：
本发明总的来说涉及集成电路制造处理，具体地，涉及使用双图样技术来减小集成电路的光刻限制，更具体地，涉及使用双图样技术进行金属布线。
背景技术：
双图样是针对光刻法以增强特征密度所开发的技术。典型地，为了在晶片上形成集成电路的特征(feature，也称部件)，使用光刻技术，这涉及施加光致抗蚀剂，并在光致 抗蚀剂上限定图样。经过图样化的光致抗蚀剂中的图样首先被限定在光刻掩模中，并且被 光刻掩模中的透明部分或不透明部分所限定。然后，经过图样化的光致抗蚀剂中的图样被 转印到下层特征上。随着缩减集成电路规模需求的增加，光学邻近效应产生越来越多的问题。当两个 分离的特征彼此太靠近时，光学邻近效应会使特征彼此短路。为了解决这种问题，引入了双 图样技术。紧密定位的特征被分离成两个掩模，两个掩模都用于曝光相同的光致抗蚀剂。在 每个掩模中，特征之间的距离与单个掩模中特征之间的距离相比增加了，因此减小或基本 消除了光学邻近效应。当在金属层(用于对在集成电路之间的连接进行布线)的形成中使用双图样技 术时，会产生问题，并且会违反设计规则。为了解决该问题，可通过增加金属线的间距来放 宽设计规则。然而，这违背了使用双图样技术的目的(用于紧密地布置特征以节省芯片面 积)。另一种方法是执行附加布线交互以修复可能在前述布线交互中生成的热点。然而，任 何对布线的修复都会具有涟漪效应，并且会要求在整个芯片中重新布线。由此需要一种新 方法来提高金属布线的效率。
发明内容
根据本发明的一个方面，设计双图样掩模集合的方法包括将芯片划分为包括栅 格单元的栅格；以及布置芯片的金属层。基本上在每个栅格单元中，金属层的所有左边界图 样都分配有第一标识符和第二标识符中的第一个，以及金属层的所有右边界图样都分配有 第一标识符和第二标识符中的第二个。从行中的栅格单元之一开始，贯穿整行来传播标识 符改变。栅格单元中的所有图样都被转印到双图样掩模集合中，分配有第一标识符的所有 图样被转印到双图样掩模集合中的第一掩模，以及分配有第二标识符的所有图样被转印到 双图样掩模集合中的第二掩模。还公开了其他实施例。根据本发明的另一个方面，一种设计用于芯片的双图样掩模集合的方法包括将 所述芯片划分为包括栅格单元的栅格，其中，每个栅格单元都包括左边界和右边界；布置所述芯片的金属层，其中，基本在每个栅格单元中，所述金属层的所有左边界图样都分配有第 一标识符和第二标识符中的第一个，以及所述金属层的所有右边界图样都分配有所述第一 标识符和所述第二标识符中的第二个，以及其中，所述第一标识符不同于所述第二标识符； 从一行的所述栅格单元之一开始，将标识符变化传播到所述行中的所述栅格单元；以及将 所述栅格单元中的所有图样转印到所述双图样掩模集合，分配有第一标识符的所有图样都 被转印到所述双图样掩模集合的第一掩模，以及分配有第二标识符的所有图样都被转印到 所述双图样掩模集合的第二掩模。根据本发明的另一个方面，一种设计用于芯片的双图样掩模集合的方法包括将 所述芯片划分为包括栅格单元的栅格，其中，每个所述栅格单元都包括左边界和右边界；布 置用于所述芯片的金属层的金属线图样，其中，在每个所述栅格单元中，每个所述栅格单元 中的所有左边界金属线图样都在第一图样集合和第二图样集合中的同一集合中，以及每个 所述栅格单元中的所有右边界金属线图样都在第一图样集合和第二图样集合中的另一同 一集合中；将所述第一图样集合中的图样转印到所述双图样掩模集合的第一掩膜；以及将 所述第二图样集合中的图样转印到所述双图样掩模集合的第二掩膜。优选地，布置金属线图样的步骤包括从一行中的所述栅格单元之一开始，将图样 集合变化传播到所述行中的所有剩余栅格单元。优选地，在传播图案集合变化的步骤之后，在所述行中，所述行中的任何栅格单元 中的所有所述右边界金属线图样都在所述第一图样集合和所述第二图样集合中的与在所 述任何栅格单元右侧并与其邻接的附加栅格单元的所有左边界金属线图样不同的一个集合中. 优选地，所述栅格单元包括放宽规则栅格单元，其中，所述放宽规则栅格单元包括 左缓冲区域和右缓冲区域，以及其中，从基本由所述放宽规则栅格单元的左边界图样和右 边界图样组成的组中选择的图样不在所述第一图样集合和所述第二图样集合中的同一集合中.优选地，设计用于芯片的双图样掩模集合的方法还包括对所述芯片的金属线执 行全局布线；对所述芯片的金属线执行详细布线；以及对所述芯片的金属线执行后细节布 线，其中，执行所述详细布线的步骤和执行所述后细节布线的步骤中的每一个都包括为所 述芯片的所述金属层布置金属线图样。根据本发明的另一个方面，用于对芯片的金属线进行布线的布线器架构包括双 图样引擎，被配置为执行以下步骤为所述芯片的所述金属层布置金属线图样，其中，所述 金属层被划分为包括第一栅格单元的栅格单元，以及其中，所述第一栅格单元中的所有左 边界金属线图样都在第一图样集合和第二图样集合中的同一集合中，以及所述第一栅格单 元中的所有右边界金属线图样都在所述第一图样集合和所述第二图样集合中的同一集合 中；将所述第一栅格单元中的所有左边界金属线图样切换到所述第一图样集合和所述第二 图样集合中的不同图样集合；以及将所述第一栅格单元中的所有右边界金属线图样切换到 所述第一图样集合和所述第二图样集合中的不同图样集合。优选地，所述双图样引擎进一步被配置为从一行中的所述栅格单元之一开始，传 播图案集合变化到所述行中的所有剩余栅格单元。优选地，所述行中没有栅格单元包括所述第一图样集合中的第三左边界金属线图样和所述第二图样集合中的第四左边界金属线图样，或者所述第一图样集合中的第三右边界金属线图样和所述第二图样集合中的第四右边界金属线图样。优选地，所述芯片的任意行中基本没有栅格单元包括所述第一掩模中的第一左边界金属线图样和所述第二图样集合中的第二左边界金属线图样，以及所述第一图样集合中的第一右边界金属线图样和所述第二图样集合中的第二右边界金属线图样。优选地，所述栅格单元包括放宽规则栅格单元，所述放宽规则栅格单元包括左缓冲区域和右缓冲区域，以及其中，从基本由所述放宽规则栅格单元中的所有左边界金属线图样和所有右边界金属线图样组成的组中选择的图样不在所述第一图样集合和所述第二图样集合中的同一集合中。优选地，该布线器架构还包括详细布线单元，其中，所述详细布线单元被配置为调用所述双图样引擎来布置用于所述金属层的所述金属线图样。优选地，该布线器架构还包括后细节布线单元，其中，所述后细节布线单元被配置为调用所述双图样引擎来修复所述金属层的布局中的违规。优选地，该布线器架构还包括全局布线单元。本发明的有益特征包括用于解决涉及双图样技术的金属布线中的违规的减小的设计负担。此外，还减少了芯片面积使用。
为了更好地理解本发明及其优点，现在结合附图进行以下描述作为参考，其中图1示出了包括用于双图样引擎的光刻模型的布线器(router，也称刻纹机)框架；图2示出了布线器框架与各种设计规则之间的交互；图3示出了被划分为栅格的芯片，其中，为芯片布置金属层；图4示出了芯片的金属层的截面图；图5示出了一个实施例，其中，使用单色方案布置栅格单元中的图样；图6示出了如何使用单色方案来解决邻接栅格单元的行中的冲突；以及图7示出了可选实施例，其中，添加缓冲区域以解决可发生在邻接栅格单元之间的冲突。
具体实施例方式下面详细描述本发明实施例的制造和使用。然而，应该理解，本发明提供了许多可以在具体环境下实现的许多可应用的发明思想。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使 用本发明的具体方式，并不限制本发明的范围。提出了新的双图样布线方法、布线器框架和所得到的双图样掩模集合。然后讨论实施例的变形。在各个附图和所示实施例中，类似的参考标号用于表示类似的元件。图1示意性示出了布线器框架1的框图，其包括双图样光刻模型(光刻模型14)。布线器框架1可执行三种布线任务全局布线(步骤2)、详细布线(步骤4)和后细节(post-detail)布线(步骤6)，这可以分别通过全局布线单元3、详细布线单元5和后细节布线单元7来执行。在全局布线2、详细布线4和后细节布线6的每一个中，布线器框架1需要确定用于对集成电路的节点之间的连接进行布线的可布线性，并确定诸如所布金属线的定时的性能问题。在全局布线2中，布线器框架1执行粗布线(coarse coating)而不考 虑详细的设计规则，其中，所得到的布线可以简单地采用最短路径。在详细布线中，使用诸 如设计规则12等更多信息。因此，例如，所得到的布线更加详细到还确定了金属线的金属 层的级别。在后细节布线步骤6中，使用设计规则来检查在详细布线4中获得的布线结果， 并且修复(fix)热点(具有违规的电路)。还通过后细节布线步骤修复不能在详细布线中 修复的任何违规，期间，相关的布线被销毁(破坏)，并执行重新布线。然后生成最终布局 (框 10)。如箭头18和20所示，布线器框架1以逐步骤方式来过滤违规。通常，如箭头18所 示，可将设计规则用于过滤(修复)一般的(非双图样)设计违规。接下来，如箭头20所 示，布线器框架1调用双图样引擎15，其使用光刻模型(框14)来找到并修复任何双图样相 关的违规(本地违例)，并获得定时和可路由性信息，可将这些信息用在布线判定中，使得 所得到的布局将不会有冲突(框16)。有利地，双图样引擎15能够修复双图样相关的设计 违规，在框12中指定的规则可以是侵略性的(不是很严格)以减少芯片区域使用，并且任 何可能得到的规则冲突都可以通过双图样引擎15来修复。可使用图2来解释设计规则与布线器框架1的操作之间的交互。在全局布线2和 详细布线4中，布线器框架1使用高密度驱动规则(框22)，其中，使用侵略性设计规则以 节省芯片面积。然而，这会潜在地导致违规和热点的发生。因此，使用双图样光刻模型(在 图2中未示出，请参照图1)的统一双图样引擎15(在图2中未示出，请参照图1)可用于修 复任何双图样相关的设计违规(框26)。可使用空中方式来执行双图样引擎的调用，其中， 在对金属层中的每条金属线进行布线之前，可以调用双图样引擎。为了提高性能，由双图样 引擎15生成的结果可以被存储。例如，双图样引擎15可确定一些潜在的热点实际上并不 是热点。然后，这些图样可被存储在库中。稍后，如果找到任何这种图样，则布线器框架1 会知道这些图样不是热点，并且将不会调用双图样引擎15来确定并修复图样的热点。可选 地，可以执行布局图样匹配(框24)，以通过将布局图样与存储在库中的图样进行匹配来找 到这些图样。图3示出了用于实施图1所示的双图样引擎15的实施例，其中，以下针对图3、图 5、图6和图7讨论的功能可以是双图样引擎15的功能的一部分。首先设置芯片30，在其上 布置金属层的金属线。在一个实施例中，芯片30被划分为包括栅格单元32的栅格，并且使 用分割与组合方法(divide-and-conquer method)来执行金属线布线。在一个实施例中， 所有的栅格单元都具有基本相同的大小，或者甚至是相同的大小，尽管栅格单元32的尺寸 还可以根据行的不同而不同和/或根据列的不同而不同。栅格单元32的尺寸需要是制造 栅格(未示出)的整数倍和布线间距(未示出)的整数倍，其是最小可允许的金属线间距。 此外，栅格线需要落到制造栅格线上。图4示出了芯片30的截面图，其上可以执行本发明的实施例。芯片30可包括半 导体衬底40和处在衬底40表面上的集成电路器件38 (使用晶体管38示出)。在集成电路 器件38上方驻留金属层，金属层包括底部金属层(Ml)以及上面的金属层M2、M3等。金属 线42在金属层中，并通过过孔44互连。在以下讨论中，术语“金属层，，可表示底部金属层 Ml和上面的金属层中的任意一层。
图5示出了本发明的实施例，其包括彼此邻接的两个栅格单元32 (表示为32i和 322)在整个描述中，栅格单元中且直接与栅格单元的右边界相邻的金属线的图样被称作右 边界图样(或R-图样)，而栅格单元中且直接与栅格单元的左边界相邻的金属线的图样被 称作左边界图样(或L-图样)。在一个实施例中，所有的R-图样距离各个栅格单元的右边 界相同或基本相同的距离，而所有的L-图样都距离各个栅格单元的左边界相同或基本相 同的距离，但是距离还可以根据图样的不同而稍稍不同。假设通过精细的布局设计，任何栅 格单元32中的金属线自身都没有违反任何设计规则，并且当将金属线的图样分解为相同 双图样掩模集合的两个或更多掩模时，没有冲突。然而，栅格单元32中的L-图样和R-图 样是可以彼此引起违规的潜在候选。在一个实施例中，可以将双图样问题看作是“着色”问题，并且对应的方案被称为 单色方案(uni-color scheme) 0栅格单元内的图样可以分配两种不同的颜色第一颜色和 第二颜色。具有第一颜色的金属线的图样(被称为第一图样集合)将被转印到第一掩模， 而具有第二颜色的金属线的图样(被称为第二图样集合)将被转印到第二掩模。第一和第 二掩模是具有允许光穿过的透明图样以及用于阻挡光的不透明图样的光刻掩模。第一掩模 和第二掩模结合形成双图样掩模集合。参照图5，在栅格单元32i和322的布局设计中，注意 使栅格单元32i和322的每一个中的所有R-图样都具有相同颜色(换句话说，在相同图样 集合中并且将被转印到相同掩模)，因此，R-图样是单色图样，其中，单色可以为第一颜色 或第二颜色。类似地，栅格单元32i和322的每一个中的所有L-图样都具有相同颜色(换 句话说，在相同图样集合中并且将被转印到相同掩模)，因此所有L-图样也是单色图样。例 如，图样102是单色图样，图样104是单色图样，图样202是单色图样，以及图样204也是单 色图样。在图5中，使用不同的阴影表示不同的颜色。为了简单，没有示出栅格单元
322的每一个中的R-图样和L-图样之间的非边界图样，其中，非边界图样可具有第一和第 二颜色中的任一种，非常可能具有第一和第二颜色的组合。对相同栅格单元中的R-图样和 L-图样之间的颜色关系没有限制。栅格单元中的R-图样和L-图样可以都具有第一颜色， 或者都具有第二颜色。可选地，R-图样和L-图样可具有不同的颜色。此外，任意栅格单元 的颜色都可以被转换。例如，在栅格单元32i中，L-图样102具有第一颜色，而R-图样104 具有第二颜色。然而，可以转换单元32i的颜色，使得L-图样102具有第二颜色，而R-图 样104具有第一颜色。当转换L-图样102和R-图样104的颜色时，非边界图样的颜色也 被转换。换句话说，在颜色转换过程中，栅格单元中原来被放在第一掩模/图样集合中的所 有图样都被切换到第二掩模/图样集合，而原来被放在第二掩模/图样集合中的所有图样 都被切换到第一掩模/图样集合。可以在传播时间来执行栅格单元中颜色的转换，在这段 时间内，如果需要，对行中的所有栅格单元或者芯片中的栅格单元执行颜色改变。将在后续 段落讨论细节。通过单色R-图样和L-图样，栅格单元32i和322中的图样可被侵略性地布置，使得它们非常接近各边界。单色R-图样和L-图样使得可以将栅格单元32i中的R-图样104 和栅格单元322中的L-图样202放置在两个不同的掩模中。因此，即使它们非常接近，也 不会发生光学邻近效应。由于栅格单元的R-图样可具有与其右侧的另一栅格单元的L-图样相同的颜色， 所以在相同行中的相邻栅格单元之间产生问题。由此，可以执行颜色传播以确保一行中任意栅格单元中的所有R-图样都具有与其右侧的邻接栅格单元中的L-图样不同的颜色，以及一行中任意栅格单元中的所有L-图样都具有与其左侧的邻接栅格单元中的R-图样不同 的颜色。可如下执行颜色传播。首先，可以选择一行中的任意一个栅格单元作为基本栅格 单元，并从与基本栅格单元最接近的栅格单元到远离基本栅格单元的栅格单元一个接一个 地确定和传播其他栅格单元中的图样颜色。每个栅格单元的颜色确定基于刚刚确定/改变 的邻接栅格单元的颜色。例如，参照图6，假设栅格单元32i是基本栅格单元，基于栅格单元 32i中的R-图样104的颜色来确定栅格单元322的颜色。如果L-图样202的颜色不同于 栅格单元32i中R-图样104的颜色，则栅格单元32i中图样的颜色不需要被转换。相反，如 果L-图样202的颜色与R-图样104的颜色相同，则转换栅格单元322中的图样的颜色，具 有第一颜色的图样被变为第二颜色，以及具有第二颜色的图样被变为第一颜色。在图6所 示的示例性实施例中，栅格单元322的颜色不被转换。然后，使用与确定栅格单元322的颜 色类似的方法，基于栅格单元322中R-图样204的颜色确定栅格单元323的颜色。在所示实例中，栅格单元323的颜色需要被转换。因此，由于栅格单元323的颜色转换，L-图样402 的颜色将变为与R-图样304的颜色相同，因此，栅格单元324的颜色也需要换换。可以在 传播方向上对整行执行颜色传播。 基本栅格单元可以选自行中的任意栅格单元，并且颜色传播可以向右、向左或者同时向右向左执行。使用该方法，一行中的任意邻接栅格单元都不会发生违规，并且当对芯 片中的所有行都执行颜色改变的传播时，芯片中的任意行将不会发生违规。在颜色传播之 后，可以形成掩模，其中，第一图样集合中的图样被转印到双图样掩模集合的第一掩模，而 第二图样集合中的图样被转印到双图样掩模集合的第二掩模。双图样掩模集合仅用于一个 金属层，而其他金属层需要单独的双图样掩模集合，这还可以使用在前面段落讨论的方法 来形成。在可选实施例中，如图7所示，代替使用单色方案，可以插入缓冲区域506以分别使L-图样502和R-图样504远离栅格单元325的左边界和右边界。类似地，可以插入缓 冲区域606以分别使L-图样602和R-图样604远离栅格单元326的左边界和右边界。缓 冲区域506和606的宽度W足够大，以确保即使图样504和602具有相同颜色(在相同掩 模中)，也不会发生违规。在一个实施例中，芯片中的所有栅格单元都具有缓冲区域，从而， 这可以确保当栅格单元邻接时，无论栅格单元的边界图样的颜色如何都不会发生违规。在 其他实施例中，具有缓冲区域的栅格单元可以与使用单色方案设计的栅格单元集成。在图 7所示的实施例中，L-图样502和602以及右图样504和604可以是单色图样或双色图样。注意，可通过设计者来确定栅格单元的期望大小，因此，栅格是可根据电路来变化的可变栅格。栅格单元的数量影响双图样引擎的性能。栅格单元的数量不能太小。否则， 每个栅格单元都将接近于整个芯片，并且牺牲了分割和组合的优点。然而，优选地，栅格单 元的数量不能太大，因为太多的栅格单元还会引起布局难度和双图样引擎性能的降低。可 通过设计者来确定栅格单元32 (参照图3)的大小，并提供双图样引擎来划分芯片。在一个实施例中，为了布置同一芯片的所有金属层，可使用相同的栅格。在可选实施例中，不同的金属层可具有与其他金属层的栅格不同的它们自身的栅格。例如，具有较宽 金属线和较小金属线密度的上部金属层可具有比下部金属层更大的栅格单元大小。在前面段落讨论的实施例中，讨论了行中栅格单元的邻接，因此，讨论了左和右图样的颜色。本领域的技术人员应该意识到，行方向和列方向是可互换的概念，这取决于观察 芯片的方向。因此，关于行的概念也可以应用于栅格单元的列，上边界图样和下边界图样对 应于行的左边界图样和右边界图样。注意，每个金属层可具有优选的金属线方向，并且优选 将金属线图样的颜色设计为适合优选金属线方向。因此，颜色传播仅需要在列方向和行方 向中之一上执行。例如，在图5中，优选金属线方向为Y方向。因此，左边界图样和右边界 图样需要具有单色。然而，如果优选金属线方向为X方向，则上边界图样和下边界图样需要 具有单色。此外，交替的金属层可具有交替的优选金属线方向，因此，在交替的金属层中，以 交替方式在行方向和列方向上执行颜色传播。例如，图5所示层的优选金属线方向为Y方 向，因此，直接在图5所示金属层的上面和下面的金属层的优选金属线方向为X方向。尽管本发明的实施例使用术语“颜色”来表示哪个图样将被分解为两个掩模中的 哪个，但还可以使用可实现相同功能的任何其他标识符，并且都在本发明的范围内。这些标 识符包括但不限于不同的阴影、不同的表示参考标号、不同的灰阶等，因此，术语“颜色”可 以被理解为覆盖这些标识符。此外，如果双图样掩模集合包括三个以上的掩模，则在前面段 落所讨论的概念还可以应用所使用的三种以上不同的颜色。实施例具有多个优点。通过使用包括双图样引擎的布线器架构，可以使用分割和 组合方法以较小的规模来解决金属线的布线。由于栅格单元小于整个芯片，所以更加容易 地对每个栅格单元中的金属线进行布线。通过使用单色方案或添加缓冲区域，在栅格单元 之间不会发生违规。因此，只要在栅格单元内不发生违规，则保证在栅格单元之间不会发生 双图样违规。尽管详细描述了本发明及其优点，但应该理解，在不背离由所附权利要求限定的 本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种改变、替换和变化。此外，本发明的范围不用 于限制在说明书中描述的处理、机器、制造、物质、装置、方法和步骤的组合的具体实施例。 本领域的技术人员根据本发明的公开内容可容易理解，可以根据本公开利用现有或后来发 展执行基本上与本文中所描述的对应实施例相同的功能或者基本实现与本文所描述的对 应实施例相同的结果的处理、机器、制造和物质、装置、方法或步骤的组合。因此，所附权利 要求包括在其范围内，诸如处理、机器、制造和物质、装置、方法或步骤的组合。
权利要求
一种设计用于芯片的双图样掩模集合的方法，所述方法包括设计第一图样集合；设计第二图样集合；将芯片的金属层划分为栅格；为所述芯片的所述金属层布置金属线图样，其中，所述栅格的第一栅格单元中的所有左边界金属线图样都在所述第一图样集合和所述第二图样集合中的同一集合中，以及所述第一栅格单元中的所有右边界金属线图样都在所述第一图样集合和所述第二图样集合中的另一同一集合中；将所述左边界金属线图样切换到所述第一图样集合和所述第二图样集合中的不同图样集合；将所述右边界金属线图样切换到所述第一图样集合和所述第二图样集合中的另一不同图样集合；将所述第一图样集合中的图样转印到所述双图样掩模集合的第一掩膜；以及将所述第二图样集合中的图样转印到所述双图样掩模集合的第二掩膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅格中的所有栅格单元都具有相同尺寸。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅格还包括与所述第一栅格单元相邻的第二栅格单元，所述第二栅格单元的左边界与所述第一栅格单元的右边界邻接，以及其中，所 述第一栅格单元的所述右边界金属线图样在所述第一图样集合和所述第二图样集合中的 与所述第二栅格单元的附加左边界金属线图样不同的一个集合中，并且所述方法还包括将所述第二栅格单元的所述附加左边界金属线图样切换到所述第一图样集合和所述第二图样集合中不同的一个集合；以及将所述第二栅格单元的附加右边界金属线图样切换到所述第一图样集合和所述第二图样集合中不同的一个集合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅格还包括第二栅格单元，所述第二栅格单 元的左边界与所述第一栅格单元的右边界邻接，其中，所述第一栅格单元的所述右边界金 属线图样在所述第一图样集合和所述第二图样集合中的与所述第二栅格单元的附加左边 界金属线图样不同的一个集合中，以及其中，在转印所述第一图样集合中的图样的步骤和 转印所述第二图样集合中的图样的步骤之前，所述第二栅格单元的所述附加左边界金属线 图样和附加右边界金属线图样没有被切换到所述第一图样集合和所述第二图样集合中不 同的集合。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅格还包括附加栅格单元，其中，所述附加 栅格单元包括左缓冲区域和右缓冲区域，并且其中，在所述第一图样集合和所述第二图样 集合中布置左边界金属线图样或右边界金属线图样。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述栅格中的基本所有栅格单元中，所述栅格 的每个栅格单元中的所有左边界金属线图样均在所述第一图样集合和所述第二图样集合 中的同一集合中，以及其中，所述栅格的每个栅格单元中的所有右边界金属线图样均在所 述第一图样集合和所述第二图样集合中的同一集合中。
7.一种设计用于芯片的双图样掩模集合的方法，所述方法包括将所述芯片划分为包括栅格单元的栅格，其中，每个栅格单元都包括左边界和右边界；布置所述芯片的金属层，其中，基本在每个栅格单元中，所述金属层的所有左边界图样 都分配有第一标识符和第二标识符中的第一个，以及所述金属层的所有右边界图样都分配 有所述第一标识符和所述第二标识符中的第二个，以及其中，所述第一标识符不同于所述 第二标识符；从一行的所述栅格单元之一开始，将标识符变化传播到所述行中的所述栅格单元；以及将所述栅格单元中的所有图样转印到所述双图样掩模集合，分配有第一标识符的所有 图样都被转印到所述双图样掩模集合的第一掩模，以及分配有第二标识符的所有图样都被 转印到所述双图样掩模集合的第二掩模。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一标识符为第一颜色，以及所述第二标识 符为第二颜色。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述行中基本所有的邻接栅格单元都具有单色 标识符左边界图样和单色标识符右边界图样。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述栅格单元的所有行中的基本所有邻接栅格 单元都具有单色标识符左边界图样和单色标识符右边界图样。
11.根据权利要求7所述的方法，其中，在传播标识符变化的步骤之后，所述行中任何 栅格单元的所有右边界图样都分配有与在所述任何栅格单元右侧并与其邻接的附加栅格 单元的左边界图样不同的标识符。
12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述栅格单元包括放宽规则栅格单元，其中，所 述放宽规则栅格单元包括左缓冲区域和右缓冲区域，以及其中，从基本由所述放宽规则栅 格单元的左边界图样和右边界图样组成的组中选择的图样不具有单色标识符。
13.根据权利要求7所述的方法，其中，所述芯片包括附加金属层，其中，所述附加金属 层中任何所述栅格单元的所有上边界图样都分配有所述第一标识符和所述第二标识符中 的第一个，以及所述附加金属层中任何所述栅格单元的所有下边界图样都分配有所述第一 标识符和所述第二标识符中的第二个。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述金属层和所述附加金属层彼此直接相邻。
15.一种设计用于芯片的双图样掩模集合的方法，所述方法包括将所述芯片划分为包括栅格单元的栅格，其中，每个所述栅格单元都包括左边界和右 边界；布置用于所述芯片的金属层的金属线图样，其中，在每个所述栅格单元中，每个所述栅 格单元中的所有左边界金属线图样都在第一图样集合和第二图样集合中的同一集合中，以 及每个所述栅格单元中的所有右边界金属线图样都在第一图样集合和第二图样集合中的 另一同一集合中；将所述第一图样集合中的图样转印到所述双图样掩模集合的第一掩膜；以及将所述第二图样集合中的图样转印到所述双图样掩模集合的第二掩膜。
全文摘要
一种设计双图样掩模集合的方法包括将芯片划分为包括栅格单元的栅格；以及布置芯片的金属层。基本上，在每个栅格单元中，金属层的所有左边界图样都分配有第一标识符和第二标识符中的第一个，以及金属层的所有右边界图样都分配有第一标识符和第二标识符中的第二个。从行中的一个栅格单元开始，贯穿整行来传播标识符改变。栅格单元中的所有图样都被转印到双图样掩模集合中，分配有第一标识符的所有图样被转印到双图样掩模集合中的第一掩模，以及分配有第二标识符的所有图样被转印到双图样掩模集合中的第二掩模。
文档编号G06F17/50GK101799840SQ201010106569
公开日2010年8月11日 申请日期2010年1月28日 优先权日2009年2月3日
发明者刘如淦, 赖志明, 郑仪侃, 鲁立忠 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司