专利名称：提高nand闪存读写性能的方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及嵌入式系统存储器读写技术领域，特别涉及一种提高NAND闪存读写性能的方法及装置。
背景技术：
目前的随身电子产品，如手机、随身听等所用的存储器件大都是flash存储器，又称为闪存。flash存储器是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除操作。由于flash存储器的这种特性，因此传统的文件系统，如FAT16、FAT32、NTFS, ext2等，将无法直接工作在flash存储器上。
在现有技术中，对于NAND 闪存(NAND flash Memory)，通常利用 NFTL (NAND Flash Translation Layer，NAND flash转换层)将逻辑块地址对应到实体的NAND闪存位置(以下简称物理地址)，即将NAND闪存模拟成一个类似磁盘的块设备，以此来达到使NAND闪存能够使用FAT等用在块设备上的这类文件系统。例如，假设NAND闪存有10个块，逻辑块与物理块的对应关系如下表I所示，其中逻辑块与物理块的对应关系是一对N(N ^ O)的关系O表I :
权利要求
1.一种提高NAND闪存读写性能的方法，其特征在于，包括 在系统初始化时，查找NAND闪存中已删除文件； 确定已删除文件的逻辑地址； 删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系，使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。
2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述查找NAND闪存中已删除文件包括 查找所述NAND闪存的O扇区，得到所有FAT表或簇位图的地址信息； 根据所述地址信息扫描所有FAT表或簇位图，统计出所有的空闲簇。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定已删除文件的逻辑地址包括 计算所有的空闲簇对应的逻辑块数目； 计算连续的空闲簇的首簇号对应的逻辑地址。
4.如权利要求I至3任一项所述的方法，其特征在于，还包括 如果系统接收到写命令，并且所述写命令是系统格式化命令时，删除NFTL中所有逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系，使所有逻辑地址对应的物理块成为空闲块； 如果系统接收到写命令，并且所述写命令是写FAT表或簇位图，则统计当前需要写的FAT表或簇位图中的空闲簇，计算所述空闲簇对应的逻辑地址，删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系，使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括 在系统接收到写命令后，确定是否写O扇区； 如果是，则根据需要写入的数据来确定所述写命令是系统格式化命令。
6.一种提高NAND闪存读写性能的装置，其特征在于，包括 查找单元，用于在系统初始化时，查找NAND闪存中已删除文件； 地址确定单元，用于确定已删除文件的逻辑地址； 删除单元，用于删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系，使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述查找单元包括 地址信息查找子单元，用于查找所述NAND闪存的O扇区，得到所有FAT表或簇位图的地址信息； 统计子单元，用于根据所述地址信息扫描所有FAT表或簇位图，统计出所有的空闲簇。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述地址确定单元包括 第一计算子单元，用于计算所有的连续空闲簇对应的逻辑块数目； 第二计算子单元，用于计算连续空闲簇的首簇号对应的逻辑地址。
9.如权利要求6至8任一项所述的装置，其特征在于，还包括 命令识别单元，用于在系统接收到写命令后，识别所述写命令； 第一处理单元，用于在所述命令识别单元识别到所述写命令是系统格式化命令时，删除NFTL中所有逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系，使所有逻辑地址对应的物理块成为空闲块； 第二处理单元，用于在所述命令识别单元识别到所述写命令是写FAT表或簇位图时，统计当前需要写的FAT表或簇位图中的空闲簇，计算所述空闲簇对应的逻辑地址，删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系，使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于， 所述命令识别单元，具体用于在系统接收到写命令后，确定是否写O扇区；如果是，则根据需要写入的数据确定所述写命令是系统格式化命令。
全文摘要
本发明公开了一种提高NAND闪存读写性能的方法及装置，该方法包括在系统初始化时，查找NAND闪存中已删除文件；确定已删除文件的逻辑地址；删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系，使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。利用本发明，可以使NFTL在频繁的文件删除再拷贝的过程中，能够及时得到空闲物理块，提高NAND闪存的读写性能和使用寿命。
文档编号G06F12/02GK102789421SQ201110129429
公开日2012年11月21日 申请日期2011年5月18日 优先权日2011年5月18日
发明者胡胜发, 艾骏 申请人:安凯(广州)微电子技术有限公司