专利名称：将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法
技术领域：
本发明涉及一种将Nandflash(与非型闪存)的物理块按无效页数量进行排序的方法。
背景技术：
Nandflash在最近几年里得到了突飞猛进的发展，由SLC(1位/单元)技术发展到了 MLC(多位/单元)技术，同时Nandflash的生产工艺也不断进步。随着技术的发展，Nandflash容量不断增大，单位容量的成本也大幅降低，应用Nandflash的领域也越来越多。Nandflash的擦写次数是有限的，在擦写的时候要尽量擦除无效页数量最多的块，因此在Nandflash控制器的设计中，选择无效页数量最多的块，是一个非常必要的功能。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法，可以在较短的时间内完成排序，提高排序的效率。为解决上述技术问题，本发明的将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法是采用如下技术方案实现的:第一步，将无效页数相同的物理块串联成一个子排序链表；第二步，将各子排序链表按无效页数由多到少依次串联起来，形成一个包含所有物理块的排序链表。所述排序链表米用链表结构。本发明采用链表结构对Nandflash的物理块进行排序，可以在较短的时间内完成排序。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明:附图是将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法流程图。
具体实施例方式本发明中各变量的定义见下表1:
权利要求
1.一种将与非型闪存Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法，其特征在于: 第一步，将无效页数相同的物理块串联成一个子排序链表； 第二步，将各子排序链表按无效页数由多到少依次串联起来，形成一个包含所有物理块的排序链表。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述排序链表采用链表结构。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于:每一物理块均有对应的链表项，每一项包含两个指针，一个指向当前物理块 的前一个物理块，另一个指向当前物理块的后一个物理块。
全文摘要
本发明公开了一种将Nandflash的物理块按无效页数量进行排序的方法，第一步，将无效页数相同的物理块串联成一个子排序链表；第二步，将各子排序链表按无效页数由多到少依次串联起来，形成一个包含所有物理块的排序链表。本发明可以在较短的时间内完成排序，提高排序的效率。
文档编号G06F12/06GK103226516SQ201210021830
公开日2013年7月31日 申请日期2012年1月31日 优先权日2012年1月31日
发明者迟志刚 申请人:上海华虹集成电路有限责任公司