专利名称：Ito电极的制作方法
技术领域：
ITO电极
技术领域：
本实用新型涉及电子材料技术，特别是涉及一种ITO电极。
背景技术：
掺锡氧化铟(即Indium Tin Oxide,简称ITO),是一种n型半导体材料，由于具有高导电率、高可见光透过率、高机械硬度和化学稳定性，因此，它是一种常用的透明导电材料，运用于各类产品透明电极。在实际的运用中，ITO先是采用物理真空方法蒸镀于一定的基材，制备成ITO导电层，然后根据需要，将薄膜蚀刻成预定的图案作为透明电极。PET基材的ITO导电层作为电极的运用中，是被蚀刻成预定的图案。由于ITO的膨胀系数与基材的膨胀系数差异巨大，导致ITO导电层蚀刻区域与ITO导电层非蚀刻区域的应力差异显著，在经过一次完整的银浆烘烤热历程(升温一恒温一降温)后，在ITO非蚀刻区域产生明显的应力差弯曲形变，类似具有温度记忆功能双金属贴片之形变。在贴合成电容式触摸屏后，应力差弯曲形变仍然存留在ITO膜表面不会消失。在一般光线及视角下就可以发现此ITO的形变，这种现象不能被高品质的显示触摸产品所接受。
实用新型内容鉴于上述状况，有必要提供一种可有效减轻ITO电极表面形变可视性的ITO电极。一种ITO电极，包括基材，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；ITO导电层，附着于所述第一表面和第二表面中的一个上，并形成预定的图案；及光学胶层，贴合于所述基材与所述ITO导电层相对的表面上。进一步地，还包括透明薄膜，所述透明薄膜设于所述光学胶层与所述基材相对的表面上。进一步地，所述透明薄膜与所述光学胶层相对的一侧具有硬化层、防眩条纹或/和增透膜。进一步地，所述光学胶层的材质为亚历克系光学胶。进一步地，所述光学胶层的厚度为25微米到200微米。上述ITO电极,在基材与ITO导电层相对的一层设有光学胶。由于光学胶具有柔软性，光学胶层可贴合在基材表面，从而可填补应力差产生的弯曲形变。并且，由于光学胶的光学折射率同基材相当，故可从在视觉上消除弯曲形变，进而达到减轻ITO电极表面形变可视性的目的。因此，上述ITO电极可有效减轻表面形变可视性。
图I为一实施例中的ITO电极的结构示意图。
具体实施方式[0015]为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。请参阅图1，本发明较佳实施例的ITO电极100包括基材110、ITO导电层120、光 学胶层130及透明薄膜140。基材110包括第一表面及第二表面。第一表面与第二表面相对设置。基材110的材质可为玻璃或对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。ITO导电层120附着于基材110的第一表面和第二表面的任一个上。ITO导电层120被蚀刻形成预定的图案，便于作电极使用。光学胶层130贴合于基材110与ITO导电层120相对的表面上。在本实施例中，光学胶层130的材质为亚历克系光学胶。需要指出的是，光学胶层130的材质还可以为硅胶系或者其他复合系列光学透明胶体。此外，光学胶层130的厚度为25微米到200微米。透明薄膜140设于光学胶层130与基材110相对的表面上。透明薄膜140与光学胶层130紧密粘接。透明薄膜140可将光学胶层130固定在基材110上，并能够为ITO导电层120提供保护，防止刮花。在本实施例中，透明薄膜140的厚度为25微米 200微米。透明薄膜140的材质可为PET、PC或者其他塑料及树脂类光学透明薄膜。此外，透明薄膜140与所述光学胶层130相对的一侧还设有硬化层(图未示)、防眩条纹(图未示)或/和增透膜(图未示)，增加了其机械强度和透光效果。需要指出的是，在其他实施例中，透明薄膜140可以省略，不影响ITO电极100的功能。上述ITO电极，在基材110与ITO导电层120相对的一层设有光学胶130。由于光学胶具有柔软性，光学胶层130可贴合在基材110表面，从而可填补应力差产生的弯曲形变。并且，由于光学胶的光学折射率同基材110相当，故可从在视觉上消除弯曲形变，进而达到减轻ITO电极100表面形变可视性的目的。因此，采用上述方法制备的ITO电极100可有效减轻表面形变可视性。以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求1.一种ITO电极，其特征在于，包括 基材，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面； ITO导电层，附着于所述第一表面和第二表面中的一个上，并形成预定的图案；及 光学胶层，贴合于所述基材与所述ITO导电层相对的表面上。
2.如权利要求I所述的ITO电极，其特征在于，还包括透明薄膜，所述透明薄膜设于所述光学胶层与所述基材相对的表面上。
3.如权利要求2所述的ITO电极，其特征在于，所述透明薄膜与所述光学胶层相对的一侧具有硬化层、防眩条纹或/和增透膜。
4.如权利要求I所述的ITO电极，其特征在于，所述光学胶层的材质为亚历克系光学胶。
5.如权利要求I所述的ITO电极，其特征在于，所述光学胶层的厚度为25微米到200微米。
专利摘要一种ITO电极包括基材、ITO导电层及光学胶层。基材包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。ITO导电层附着于第一表面和第二表面中的一个上，并形成预定的图案。光学胶层贴合于基材与ITO导电层相对的表面上。由于光学胶具有柔软性，光学胶层可贴合在基材表面，从而可填补应力差产生的弯曲形变。并且，由于光学胶的光学折射率同基材相当，故可从在视觉上消除弯曲形变，进而达到减轻ITO电极表面形变可视性的目的。因此，采用上述ITO电极可有效减轻表面形变可视性。
文档编号G06F3/041GK202495012SQ201220096169
公开日2012年10月17日 申请日期2012年3月14日 优先权日2012年3月14日
发明者程志政 申请人:深圳欧菲光科技股份有限公司