一种对探测器的检测方法和装置制造方法
【专利摘要】本发明实施例公开了一种对探测器的检测方法和装置，所述方法包括：将探测器中的任一晶体阵列确定为目标晶体阵列；获取所述目标晶体阵列的晶体位置散点图；在所述晶体位置散点图中，确定与预设的等高阈值对应的等高线；基于所述等高线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块；以位于同一行的分割块为单位，向与该行平行的方向投影，得到第一投影图，以及以位于同一列的分割块为单位，向与该列平行的方向投影，得到第二投影图；根据所述第一投影图和所述第二投影图，确定检测结果。本发明采用客观有效的定量的数据分析来对探测器进行检测，得出的检测结果准确率高，为工作人员对探测器的设计提供参考。
【专利说明】一种对探测器的检测方法和装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及医疗设备【技术领域】，具体涉及一种对探测器的检测方法和装置。
【背景技术】
[0002]双模态医学诊断设备为当今的医学诊断提供了有效的工具，PET/CT和SPECT/CT均是双模态医学诊断设备的典型代表。探测器作为PET或SPECT装置最为核心的部件，主要用于检测引入病人体内的放射性核素所发出的射线(如:Y射线)。探测器主要包括闪烁晶体和光电转换器，其中，闪烁晶体可以为单独的块状晶体，或为能识别的多个闪烁晶体单元组成的晶体阵列，其主要用于探测从病人体内释放的Y光子，并转换成可见光光子。而光电转换器可以是光电倍增管或光电二极管，其主要用于将可见光光子转换成电信号。
[0003]当探测器中的闪烁晶体为晶体阵列时，参考图1，图1为晶体阵列的二维晶体位置散点图。理想情况下，该晶体位置散点图中的各个像素点的分布应该是均匀的。然而，在实际情况中，由于受探测器制作工艺的不完全一致性等因素的影响，上述像素点的分布经常不均匀，这一定程度上反映了该探测器的性能。
[0004]目前，现有的探测器性能检测多是基于对晶体位置散点图的主观判断，即当晶体位置散点图中的各个像素点的分布均匀时，就确定其性能优良，并没有一个客观有效的定量的数据分析来对探测器进行性能检测。因此，现有技术的方法可能会针对探测器性能得出错误的结论，这在一定程度上制约和干扰了后续工作人员对探测器的设计，可能会降低探测器的分辨率，最终影响探测器的成像质量。
【发明内容】
[0005]本发明提供了一种对探测器的检测方法和装置，能够通过定量的数据分析实现对探测器的检测。
[0006]本发明提供了一种对探测器的检测方法，所述方法包括:
[0007]将探测器中的任一晶体阵列确定为目标晶体阵列；
[0008]获取所述目标晶体阵列的晶体位置散点图；
[0009]在所述晶体位置散点图中，确定与预设的等高阈值对应的等高线；
[0010]基于所述等高线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块；
[0011]以位于同一行的分割块为单位，向与该行平行的方向投影，得到第一投影图，以及以位于同一列的分割块为单位，向与该列平行的方向投影，得到第二投影图；
[0012]根据所述第一投影图和所述第二投影图，确定检测结果。
[0013]优选地，所述获取所述目标晶体阵列的晶体位置散点图之后，且在所述确定所述晶体位置散点图的等高线之前，还包括:
[0014]对所述晶体位置散点图进行平滑处理。
[0015]优选地，所述对所述晶体位置散点图进行平滑处理，包括:
[0016]利用公式(I )，对所述晶体位置散点图进行平滑处理，[0017]D(x，y，o) = (G(X，y，ko)_G(X，y，o))*I(x，y) (I)
[0018]其中，I(x，y)为原始的晶体位置散点图，k为常数,G(x, y, σ )为方差为σ的高斯分布函数，G(x，y，ko )为方差为ko的高斯分布函数，D(x, y, σ )为平滑处理后的晶体位置散点图；
[0019]获取经过平滑处理后的晶体位置散点图。
[0020]优选地，所述在所述晶体位置散点图中，确定与预设的等高阈值对应的等高线，包括:
[0021]获取所述晶体位置散点图的最大值和最小值；
[0022]将所述最大值和最小值之间的数值段进行等差划分，得到等高阈值；
[0023]确定与所述等闻阈值对应的等闻线。
[0024]优选地，所述基于所述等高线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块，包括:
[0025]对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面；
[0026]获取相邻的所述拟合曲面的交线；
[0027]以所述交线为分割线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块。
[0028]优选地，所述对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面，包括:
[0029]利用二维高斯曲面公式，对所述等高线进行拟合；
[0030]对所述等高线进行拟合后，获取拟合曲面。
[0031]优选地，所述对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面，包括:
[0032]判断所述等高线是否对称，如果是，则对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面，如果否，则获取所述等高线的不对称的两部分，分别对所述不对称的两部分进行拟合，得到拟合曲面。
[0033]优选地，所述根据所述第一投影图和所述第二投影图，确定检测结果，包括:
[0034]分别在所述第一投影图和所述第二投影图中，获取峰值；
[0035]获取与每个峰值相邻的两个谷值；
[0036]根据所述谷值和所述峰值，确定峰谷比值，所述峰谷比值为所述峰值和所述谷值的比值；
[0037]依据所述峰谷比值确定检测结果。
[0038]优选地，所述依据所述峰谷比值确定检测结果，包括:
[0039]获取所述峰谷比值中的最小值；
[0040]依据所述最小值确定检测结果。
[0041]本发明还提供了一种对探测器的检测装置，所述装置包括:
[0042]第一确定模块，用于将探测器中的任一晶体阵列确定为目标晶体阵列；
[0043]第一获取模块，用于获取所述目标晶体阵列的晶体位置散点图；
[0044]第二确定模块，用于在所述晶体位置散点图中，确定与预设的等高阈值对应的等闻线;
[0045]分割模块，用于基于所述等高线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块；
[0046]投影模块，用于以位于同一行的分割块为单位，向与该行平行的方向投影，得到第一投影图，以及以位于同一列的分割块为单位，向与该列平行的方向投影，得到第二投影图；[0047]第三确定模块，用于根据所述第一投影图和所述第二投影图，确定检测结果。
[0048]优选地，所述装置还包括:
[0049]平滑处理模块，用于对所述晶体位置散点图进行平滑处理。
[0050]优选地，所述分割模块包括:
[0051]第一拟合子模块，用于对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面；
[0052]第三获取子模块，用于获取相邻的所述拟合曲面的交线；
[0053]分割子模块，用于以所述交线为分割线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块。
[0054]优选地，所述第一拟合子模块包括:
[0055]判断子模块，用于判断所述等高线是否对称；
[0056]第三拟合子模块，用于在所述判断子模块的结果为是时，对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面；
[0057]第四拟合子模块，用于在所述判断子模块的结果为否时，获取所述等高线的不对称的两部分，分别对所述不对称的两部分进行拟合，得到拟合曲面。
[0058]本发明提供的检测方法基于等高线对晶体位置散点图进行分割，得到若干分割块，并将分割块进行投影，得到第一投影图和第二投影图，最终可以通过投影图中的峰值和谷值确定检测结果。与现有技术的基于对晶体位置散点图的主观判断相比，本发明采用客观有效的定量的数据分析来对探测器进行检测，得出的检测结果准确率高，为工作人员对探测器的设计提供参考。
【专利附图】
【附图说明】
[0059]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0060]图1为晶体阵列的二维晶体位置散点图；
[0061]图2为本发明实施例一提供的对探测器的检测方法流程图；
[0062]图3为晶体位置散点图的等闻线的不意图；
[0063]图4为分割后的两个相邻晶体块的示意图；
[0064]图5为等高线的示意图；
[0065]图6为目标晶体阵列中的位于同一行的晶体块投影得到的第一投影图；
[0066]图7为本发明实施例二提供的对探测器的检测装置结构图。
【具体实施方式】
[0067]下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0068]实施例一[0069]参考图2，图2为本实施例提供的对探测器的检测方法流程图，具体可以包括:
[0070]步骤201:将探测器中的任一晶体阵列确定为目标晶体阵列，所述目标晶体阵列包括行和列。
[0071]本实施例中，由于探测器是由多个晶体阵列组成的，所以，对探测器的检测可以通过检测晶体阵列实现。同时，各个晶体阵列的性能相差不大，本实施例可以只对其中一个晶体阵列进行检测，得到的检测结果可以作为对该探测器的检测结果。所以，本实施例可以首先将该探测器中的任意一个晶体阵列确定为目标晶体阵列，并将其作为本实施例的处理对象。
[0072]步骤202:获取所述目标晶体阵列的晶体位置散点图。
[0073]本实施例中，在确定目标晶体阵列之后，获取该目标晶体阵列的晶体位置散点图。参考图1，图1为目标晶体阵列的晶体位置散点图，具体的，本实施例不限制获取晶体位置散点图的方法。
[0074]实际操作中，可以在探测器内放置放射源，晶体阵列会接收该放射源产生的Y光子，并经过光电转换等过程，最终得到晶体位置散点图。
[0075]本实施例中，由于获取的晶体位置散点图中可能存在噪声点等影响检测结果的因素，所以在对该晶体位置散点图做进一步处理之前，首先可以对该晶体位置散点图进行平滑处理，以去除噪声点等不良因素的影响。
[0076]实际操作中，对晶体位置散点图进行平滑处理的方式很多，本实施例可以利用公式(I )，对该晶体位置散点图进行平滑处理，得到平滑处理后的晶体位置散点图；
[0077]D(x，y，σ ) = (G(x，y，ko )-G(x，y，σ ))*I(x，y) (I)
[0078]其中，I(x，y)为原始的晶体位置散点图，k为常数,G(x, y, σ )为方差为σ的高斯分布函数，G(x，y，ko )为方差为ko的高斯分布函数，D(x, y, σ )为平滑处理后的晶体位置散点图。
[0079]步骤203:在所述晶体位置散点图中，确定与预设的等高阈值对应的等高线。
[0080]本实施例中，针对获取的晶体位置散点图，首先设置等高阈值，具体的等高阈值可以根据用户的需求设置多个。其次，以等高阈值为标准，获取晶体位置散点图中与该等高阈值相等的点，将相等的点连成曲线作为等高线。也就是说，等高线就是晶体位置散点图中值相等的点连接成的闭合曲线。参考图3，图3为晶体位置散点图的等高线的示意图，其中每个闭合曲线均为该晶体位置散点图的等高线。另外，等高线的个数由等高阈值的个数决定，也就是说，等闻阈值与等闻线之间具有 对应关系。
[0081]实际操作中，为了使对探测器的检测结果更准确，可以使用如下方式设定等高阈值，具体包括:
[0082]首先，获取该晶体位置散点图的最大值和最小值；其次，将所述最大值和最小值之间的数值段进行等差划分，得到等高阈值；最后，确定与所述等高阈值对应的等高线。
[0083]具体的，在获取晶体位置散点图的最大值和最小值之后，以最小值为初始值，并以最大值为终止值，按等差数列对位于起始值和终止值之间的数值进行等差划分，得到若干个数值作为等高阈值。举例说明，首先以I作为最小值，9作为最大值，其次，按等差数列对I和9之间的数值进行等差划分，可以得到3、5和7，最后，可以将1、3、5、7和9作为等高阈值。[0084]步骤204:基于所述等高线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块。
[0085]本实施例中，在确定该晶体位置散点图的等闻线之后，基于确定的等闻线将所述晶体位置散点图分割，最终可以得到多个分割块。参考图4，图4为分割后的两个相邻分割块的不意图。
[0086]实际操作中，首先，在获取晶体位置散点图的等高线后，分别对等高线进行拟合，可以得到拟合曲面。具体的，可以利用二维高斯曲面公式，将等高线拟合为拟合曲面。当所有的等高线均完成拟合操作后，获取两个相邻的拟合曲面的交线。将这些交线作为分割线，将晶体位置散点图进行分割，最终可以得到分割后的分割块。
[0087]另外，为了提高拟合的精确性，使得到的拟合曲面更准确，本实施例可以在拟合之前，首先判断等高线是否对称，如果是，则可以直接对等高线进行拟合，得到拟合曲面，如果否，则获取等高线的不对称的两部分，对不对称的两部分分别进行拟合，最终也可以得到拟合曲面。如图5所不，图5为等闻线的不意图，(a)表不对称的等闻线，(b)为非对称的等闻线。
[0088]具体的，本实施例对判断等高线的对称性的方法不做限制。
[0089]步骤205:以位于同一行的分割块为单位，向与该行平行的方向投影，得到第一投影图，以及以位于同一列的分割块为单位，向与该列平行的方向投影，得到第二投影图。
[0090]本实施例中，对晶体位置散点图分割之后，得到若干分割块，本步骤首先以位于同一行的分割块为单位，将分割块向与该行平行的方向投影，得到第一投影图。其次，以位于同一列的分割块为单位，再将分割块向与该列平行的方向投影，得到第二投影图。实际操作中，对得到第一投影图和第二投影图的顺序不做限定。
[0091]本实施例中，可以将分割后的晶体位置散点图中的任意一行或者任意一列的分割块均完成投影步骤。如下，以晶体位置散点图中的位于同一行的分割块投影得到的第一投影图为例，参考图6，图6为晶体位置散点图中的位于同一行的分割块投影得到的第一投影图，从图6中可以看出，明显的位于第一投影图中间的分割块投影得到的波形中相邻的波峰和波谷的差值不大。
[0092]本实施例对探测器的检测原理为:如果分割块投影得到的波形中相邻的波峰和波谷的差值较小，则可以说明其性能可能存在问题，相反的，若波形中相邻的波峰和波谷的差值较大，则可以说明其性能优良。
[0093]本实施例中，由图6可知，位于第一投影图两边的波形中的相邻的波峰和波谷之间的差值较大，而位于中间的波形中的相邻的波峰和波谷差值不明显。为了提高对探测器的检测效率，本实施例可以只针对位于第一投影图中间的波形执行后续步骤，也就是说，如果针对位于第一投影图中间的波形进行检测得到的结果符合用户的需求，则可以说明位于两边的波形也符合用户的需求。
[0094]步骤206:根据所述第一投影图和所述第二投影图，确定检测结果。
[0095]本实施例中，获取第一投影图和第二投影图之后，可以根据投影图中波形的相邻波峰和波谷的差值大小，确定检测结果。具体的，可以将第一投影图和第二投影图作为处理对象，通过判断投影图中的波形的相邻波峰和波谷的差值大小，确定检测结果。
[0096]另外，由上述步骤可知，为了提高对探测器的检测效率，本实施例可以只分析位于投影图中间位置的波形的波动情况。也就是说，只要中间位置的波形的波动情况符合检测要求，则可以说明对该探测器的检测符合要求。
[0097]实际操作中，可以通过如下步骤确定检测结果:
[0098]S1:分别在所述第一投影图和所述第二投影图中，获取峰值；
[0099]S2:获取与每个峰值相邻的两个谷值；
[0100]S3:根据所述谷值和所述峰值，确定峰谷比值，所述峰谷比值为所述峰值和所述谷值的比值；
[0101]S4:依据所述峰谷比值确定检测结果。
[0102]具体的，首先获取第一投影图和第二投影图中的峰值，其次，获取与峰值相邻的两个谷值，将该峰值和该谷值的比值确定为峰谷比值，作为确定检测结果的依据。由于一个峰值对应两个谷值，那么其必然存在两个峰谷比值。
[0103]另外，为了降低本实施例的运算量，提高对探测器的检测效率，本实施例可以只获取第一投影图对应的两个峰谷比值和第二投影图对应的两个峰谷比值中的最小值；也就是说，可以只根据该最小值确定检测结果。根据本实施例的检测原理，只要最小值满足检测的要求，则可以说明该探测器满足检测要求。
[0104]本实施例提供的检测方法基于等高线对晶体位置散点图进行分割，得到若干分割块，并将分割块进行投影，得到第一投影图和第二投影图，最终可以通过投影图中的峰值和谷值确定检测结果。与现有技术的基于对晶体位置散点图的主观判断相比，本实施例采用客观有效的定量的数据分析来对探测器进行检测，得出的检测结果准确率高，为工作人员对探测器的设计提供参考。
[0105]实施例二
[0106]参考图7，图7为本实施例提供的对探测器的检测装置结构图，所述装置可以包括:
[0107]第一确定模块701，用于将探测器中的任一晶体阵列确定为目标晶体阵列；
[0108]第一获取模块702，用于获取所述目标晶体阵列的晶体位置散点图；
[0109]第二确定模块703，用于在所述晶体位置散点图中，确定与预设的等高阈值对应的等闻线;
[0110]分割模块704，用于基于所述等高线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块；
[0111]投影模块705，用于以位于同一行的分割块为单位，向与该行平行的方向投影，得到第一投影图，以及以位于同一列的分割块为单位，向与该列平行的方向投影，得到第二投影图；
[0112]第三确定模块706，用于根据所述第一投影图和所述第二投影图，确定检测结果。
[0113]为了提高检测结果的准确性，所述装置还可以包括:
[0114]平滑处理模块，用于对所述晶体位置散点图进行平滑处理。
[0115]具体的，所述平滑处理模块可以包括:
[0116]平滑处理子模块，用于利用公式(I )，对所述晶体位置散点图进行平滑处理，
[0117]D(x, y, O ) = (G(x, y, k σ )-G(x, y, σ ))*1 (χ, y) (I)
[0118]其中，I(x，y)为原始的晶体位置散点图，k为常数,G(χ, y, σ )为方差为σ的高斯分布函数，G(x，y，ko )为方差为ko的高斯分布函数，D(x, y, σ )为平滑处理后的晶体位置散点图；[0119]第一获取子模块，用于获取经过平滑处理后的晶体位置散点图。
[0120]为了提高检测结果的准确性，所述第二确定模块可以包括:
[0121]第二获取子模块，用于获取所述晶体位置散点图的最大值和最小值；
[0122]划分子模块，用于将所述最大值和最小值之间的数值段进行等差划分，得到等高阈值；
[0123]第一确定子|旲块，用于确定与所述等闻阈值对应的等闻线。
[0124]具体的，所述分割模块可以包括:
[0125]第一拟合子模块，用于对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面；
[0126]第三获取子模块，用于获取相邻的所述拟合曲面的交线；
[0127]分割子模块，用于以所述交线为分割线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块。
[0128]其中，所述第一拟合子模块可以包括:
[0129]第二拟合子模块，用于利用二维高斯曲面公式，对所述等高线进行拟合；
[0130]第四获取子模块，用于对所述等高线进行拟合后，获取得到拟合曲面。
[0131]进一步的，所述第一拟合子模块可以包括:
[0132]判断子模块，用于判断所述等高线是否对称；
[0133]第三拟合子模块，用于在所述判断子模块的结果为是时，对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面；
[0134]第四拟合子模块，用于在所述判断子模块的结果为否时，获取所述等高线的不对称的两部分，分别对所述不对称的两部分进行拟合，得到拟合曲面。
[0135]另外，所述第三确定模块可以包括:
[0136]第五获取子模块，用于分别在所述第一投影图和所述第二投影图中，获取峰值；
[0137]第六获取子模块，用于获取与每个峰值相邻的两个谷值；
[0138]第二确定子模块，用于根据所述谷值和所述峰值，确定峰谷比值，所述峰谷比值为所述峰值和所述谷值的比值；
[0139]第三确定子模块，用于依据所述峰谷比值确定检测结果。
[0140]为了提高检测效率，所述第三确定子模块可以包括:
[0141]第七获取子模块，用于获取所述峰谷比值中的最小值；
[0142]第四确定子模块，用于依据所述最小值确定检测结果。
[0143]本实施例提供的检测方法基于等高线对晶体位置散点图进行分割，得到若干分割块，并将分割块进行投影，得到第一投影图和第二投影图，最终可以通过投影图中的峰值和谷值确定检测结果。与现有技术的基于对晶体位置散点图的主观判断相比，本实施例采用客观有效的定量的数据分析来对探测器进行检测，得出的检测结果准确率高，为工作人员对探测器的设计提供参考。
[0144]对于系装置实施例而言，由于其基本对应于方法实施例，所以相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
[0145]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0146]以上对本发明实施例所提供的对探测器的检测方法和装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。`
【权利要求】
1.一种对探测器的检测方法，其特征在于，所述方法包括: 将探测器中的任一晶体阵列确定为目标晶体阵列； 获取所述目标晶体阵列的晶体位置散点图； 在所述晶体位置散点图中，确定与预设的等高阈值对应的等高线； 基于所述等高线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块； 以位于同一行的分割块为单位，向与该行平行的方向投影，得到第一投影图，以及以位于同一列的分割块为单位，向与该列平行的方向投影，得到第二投影图； 根据所述第一投影图和所述第二投影图，确定检测结果。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述目标晶体阵列的晶体位置散点图之后，且在所述确定所述晶体位置散点图的等高线之前，还包括: 对所述晶体位置散点图进行平滑处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述晶体位置散点图进行平滑处理，包括: 利用公式(I )，对所述晶体位置散点图进行平滑处理，
D(X，y, σ ) = (G(X，y, k σ )-G(X，y, σ ))*1 (χ, y) (I) 其中，I(x，y)为原始的晶体位置散点图，k为常数,G(x, y, σ )为方差为σ的高斯分布函数，G(x，y，ko )为方差为ko的高斯分布函数，D(x, y, σ )为平滑处理后的晶体位置散点图；` 获取经过平滑处理后的晶体位置散点图。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述晶体位置散点图中，确定与预设的等高阈值对应的等高线，包括: 获取所述晶体位置散点图的最大值和最小值； 将所述最大值和最小值之间的数值段进行等差划分，得到等高阈值； 确定与所述等闻阈值对应的等闻线。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述等高线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块，包括: 对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面； 获取相邻的所述拟合曲面的交线； 以所述交线为分割线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面，包括: 利用二维高斯曲面公式，对所述等高线进行拟合； 对所述等高线进行拟合后，获取拟合曲面。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面，包括: 判断所述等高线是否对称，如果是，则对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面，如果否，则获取所述等高线的不对称的两部分，分别对所述不对称的两部分进行拟合，得到拟合曲面。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一投影图和所述第二投影图，确定检测结果，包括: 分别在所述第一投影图和所述第二投影图中，获取峰值； 获取与每个峰值相邻的两个谷值； 根据所述谷值和所述峰值，确定峰谷比值，所述峰谷比值为所述峰值和所述谷值的比值； 依据所述峰谷比值确定检测结果。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述依据所述峰谷比值确定检测结果，包括: 获取所述峰谷比值中的最小值； 依据所述最小值确定检测结果。
10.一种对探测器的检测装置，其特征在于，所述装置包括: 第一确定模块，用于将探测器中的任一晶体阵列确定为目标晶体阵列； 第一获取模块，用于获取所述目标晶体阵列的晶体位置散点图； 第二确定模块，用于在所述晶体位置散点图中，确定与预设的等高阈值对应的等高 线.分割模块，用于基于所述等高线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块； 投影模块，用于以位于同一行的分割块为单位，向与该行平行的方向投影，得到第一投影图，以及以位于同一列的分割块为单位，向与该列平行的方向投影，得到第二投影图；第三确定模块，用于根据所述第一投影图和所述第二投影图，确定检测结果。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述装置还包括: 平滑处理模块，用于对所述晶体位置散点图进行平滑处理。
12.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述分割模块包括: 第一拟合子模块，用于对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面； 第三获取子模块，用于获取相邻的所述拟合曲面的交线； 分割子模块，用于以所述交线为分割线，将所述晶体位置散点图分割，得到分割块。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述第一拟合子模块包括: 判断子模块，用于判断所述等高线是否对称； 第三拟合子模块，用于在所述判断子模块的结果为是时，对所述等高线进行拟合，得到拟合曲面； 第四拟合子模块，用于在所述判断子模块的结果为否时，获取所述等高线的不对称的两部分，分别对所述不对称的两 部分进行拟合，得到拟合曲面。
【文档编号】G06T5/00GK103885080SQ201310637962
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年11月29日 优先权日:2013年11月29日
【发明者】徐亮, 吴国城, 支力佳 申请人:沈阳东软医疗系统有限公司