存储控制装置与其调用方法
【专利摘要】存储控制装置与其调用方法。一种存储控制装置包含相耦接的存储控制模块与存储模块。存储控制模块耦接于中央处理单元与多个硬盘之间。存储模块存有多个配置文件及一固件，固件用于被存储控制模块执行。一例中存储控制模块包含至少一通用输入/输出端口并基于端口处于逻辑高或低电位选择一配置文件以设定该固件。一结果可产生于前述电位判断。依据该结果，被选择的配置文件被调用于存储模块的一存储区。一例中存储控制装置更包含耦接存储控制模块的至少一跳线器，存储控制模块基于跳线器的通断状态选择一配置文件以设定该固件。存储控制装置可为基于串行式小型计算机系统接口。
【专利说明】存储控制装置与其调用方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种服务器的生产技术，尤指一种存储控制装置与其配置文件调用。
【背景技术】
[0002]服务器中所设置的众多硬盘一般需要存储控制装置加以管理，或者正因为存储控制装置，服务器中才能设有多于一定数量的硬盘。服务器产在线不同产品的存储架构迥异，各产品的存储控制装置即使硬件相同也得调用不同的配置文件才能正确运作，往往造成产线人员的混淆。此外，将配置文件刻录给存储控制装置并非轻而易举。当人员疏忽使整批产品皆刻录了错误的配置文件时，重置产线所带来的损失与延宕不可谓不可观。
【发明内容】
[0003]本发明旨在揭露数种存储控制装置与其配置文件的调用方法，以减少前述混淆并降低修正错误的人力与时间成本。
[0004]所揭露的一种调用方法用于供一存储控制装置调用其一配置文件。该存储控制装置为基于串行式小型计算机系统接口(Serial Attached SCSI，下称SAS，SCSI系Small Computer System Interface的缩写)且包含一存储模块与至少一通用输入/输出(general-purpose input/output,简称GP10)端口。于所述调用方法中，该通用输入/输出端口被判断为处于逻辑高电位或逻辑低电位，一判断结果于焉产生。依据该判断结果，该存储模块的多个存储区其中之一中选以自该存储区调用该配置文件。
[0005]所揭露的一种存储控制装置包含存储控制模块与存储模块。存储控制模块耦接于中央处理单元(central processing unit,简称CPU)与多个硬盘之间且包含至少一通用输入/输出端口。存储模块耦接存储控制模块并存有多个配置文件及一固件，固件用于被存储控制模块执行。存储控制模块基于该至少一通用输入/输出端口为处于逻辑高电位或逻辑低电位去选择该些配置文件其中之一以设定该固件。
[0006]在一实施例中，前述固件具调用单元。存储控制模块用于执行调用单元，以基于该至少一通用输入/输出端口为处于逻辑高电位或逻辑低电位去从存储模块中选择性地调用该些配置文件其中之一。
[0007]在一实施例中，通用输入/输出端口为二个，该些配置文件为四个。两通用输入/输出端口的逻辑电位共形成不同的四个状态组合，分别对应该些配置文件其中之一。
[0008]在一实施例中，所述存储控制装置更包括至少一跳线器。每一该跳线器对应连接一该通用输入/输出端口且用于控制所对应连接的通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位。通过对该至少一跳线器的操作，存储控制模块受控而选择该些配置文件其中之一以设定固件。
[0009]存储模块可包括分别对应存储该些配置文件的多个第一存储区。在一实施例中，存储控制模块根据每一该通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位以产生一判断结果。该判断结果形成一编号，被选择的配置文件所在的第一存储区对应该编号。在一实施例中，存储模块更包括第二存储区及一第三存储区。前述固件存储于第二存储区，第三存储区则用于存储存储控制模块的一 SAS地址。存储控制模块更调用该地址以运作。在一实施例中，每一该配置文件包含存储控制模块的一默认SAS地址。
[0010]在一实施例中，存储控制模块为SAS或串行高级技术附件(Serial AdvancedTechnology Attachment,下称SATA)的硬盘端口扩充器(expander),或南桥芯片(southbridge)。
[0011]所揭露的另一种存储控制装置包含存储控制模块、至少一跳线器以及存储模块。存储控制模块耦接于中央处理单元与多个硬盘之间并耦接该至少一跳线器与存储模块。存储模块存有多个配置文件及一固件，固件用于被存储控制模块执行。存储控制模块基于该至少一跳线器的通断状态去选择该些配置文件其中之一以设定该固件。
[0012]在一实施例中，前述固件具调用单元。存储控制模块用于执行调用单元，以基于该至少一跳线器的通断状态去从存储模块中选择性地调用该些配置文件其中之一。
[0013]在一实施例中，跳线器为二个，该些配置文件为四个。两跳线器的通断状态共形成不同的四个状态组合，分别对应该些配置文件其中之一。
[0014]存储模块可包括分别对应存储该些配置文件的多个第一存储区。在一实施例中，存储控制模块包括至少一通用输入/输出端口。每一该跳线器对应连接一该通用输入/输出端口且其通断状态关联于所对应连接的通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位。在一实施例中，存储控制模块根据每一该通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位以产生一判断结果。该判断结果形成一编号，被选择的配置文件所在的第一存储区对应该编号。在一实施例中，存储模块更包括第二存储区及一第三存储区。前述固件存储于第二存储区，第三存储区则用于存储存储控制模块的一 SAS地址。存储控制模块更调用该地址以运作。
[0015]在一实施例中，每一该配置文件包含存储控制模块的一默认SAS地址。
[0016]在一实施例中，存储控制模块为SAS或SATA的硬盘端口扩充器，或南桥芯片。
[0017]一言以蔽之，依据本发明，可能被混淆的多个配置文件可全被刻录至同一产在线所有的产品，产线人员通过对跳线器的操作或通用输入/输出端口的逻辑电位的调整即可使不同服务器的存储控制装置选择相异的配置文件。即使人员疏忽，错误也容易被检查出来并可藉同样的手段迅速修正。
[0018]以上关于本
【发明内容】
及以下关于实施方式的说明仅用于示范与阐明本发明的精神与原理，并提供对本发明的权利要求范围更进一步的解释。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1至图3为依据本发明不同实施例存储控制装置的方块图。
[0020]图4为本发明一实施例中通用输入/输出端口与跳线器的电路图。
[0021]图5为本发明一实施例中调用方法的流程图。
[0022]组件标号说明:
[0023]1、2、3存储控制装置
[0024]10、20、30存储控制模块
[0025]104,304,306通用输入/输出端口
[0026]12、22、32存储模块
[0027]126 — 129,226 — 229,326 — 329 存储区
[0028]24、34、36跳线器
[0029]41、42阻抗
【具体实施方式】
[0030]以下在实施方式中叙述本发明的详细特征，其内容足以使任何熟习相关技艺者了解本发明的技术内容并据以实施，且依据本说明书所揭露的内容、权利要求范围及图式，任何熟习相关技艺者可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下实施例用于进一步说明本发明的诸面向，但非以任何面向限制本发明的范畴。
[0031]请参见图1，其为依据本发明一实施例存储控制装置的方块图。在图1中，存储控制装置I包含存储控制模块10与存储模块12。存储控制模块10耦接存储模块12并包含至少一个通用输入/输出端口，如所绘示的通用输入/输出端口 104。存储模块12可以是闪存(flash memory)、其他类型的带电可擦可编程只读存储器(electrically erasableprogrammable read-only memory,简称 EEPROM)或任何非挥发性的(non-volatile)内存。存储模块12存有供存储控制模块10执行的固件，以及让存储控制模块10得以设定固件的多个配置文件。本发明并不限制这些配置文件和固件的存储方式。举例来说，若存储模块12具有某种低阶的文件系统(file system)，则存取存储模块12者无须了解其硬件细节，只要譬如向存储模块12指定欲调用的文件或档案即可从存储模块12接收之。存储模块12也可事先被划分出多个存储区，每区各有目的，如用来存储特定信息。在本实施例中，存储模块12包含多个存储区126至128并存有两份配置文件，一份位于第一存储区126，另一份位于第一存储区127，前述固件则在第二存储区128。
[0032]如图1中的截断线所示，通用输入/输出端口 104受控于外部而可处于不同电位。电位通常是相对于接地端或无限远处而定义。存储控制模块10 —般而言系数字化地运作。当通用输入/输出端口 104处于一个逻辑上或相对为高的电位时，存储控制模块10选择前述两份配置文件其一，如位于存储区126者。当通用输入/输出端口 104处于另一逻辑上或相对为低的电位时，则存储控制模块10选择、调用位于存储区127的配置文件并据以设定固件。具体而言，在一实施例中，位于存储区128的固件的部份程序代码、目标码(objectcode)或机器码(machine code)为调用单元。存储控制模块10执行固件便会执行到调用单元，尤其例如正在初始化时。调用单元使存储控制模块10如前所述基于通用输入/输出端口 104或其他通用输入/输出端口的逻辑电位选择多个配置文件之一。换句话说，对于每一份配置文件，调用单元皆使存储控制模块10做出调用与否的选择。在一实施例中，调用单元使存储控制模块10选择(第一)存储区126与127其中之一，进而调用位于该存储区的配置文件。挑开来说，存储控制模块10判断各通用输入/输出端口(包括104)处于逻辑高或低电位的结果形成、对应或可被诠释为一个编号。不同编号对应不同存储区。举例而言，假设通用输入/输出端口 104处于逻辑低电位时被诠释为二进制的O。存储控制模块10查表、依据其设计或执行调用单元可知O对应存储区126，则存储控制模块10从存储区126取得被指定的配置文件。
[0033]请配合图1参见图2，其为依据本发明另一实施例存储控制装置的方块图。在图2中，存储控制装置2包含存储控制模块20、存储模块22以及至少一个跳线器，如所绘示的跳线器24。存储控制模块20耦接存储模块22与跳线器24。存储模块22类似12 ;在本实施例中，假设两份配置文件分别存储于第一存储区226与227，而固件位于第二存储区228。
[0034]跳线器一般配合跳帽(jumper或jumper shunt)作为开关使用。跳线器往往是多支跳线针脚(jumper pin)的结构；多个跳线器可组成跳线座(jumper block)。举例而言，跳线器24可以是相邻但分离的两支跳线针脚，因此在插上跳帽、跳帽跨接两支针脚使电路导通前跳线器24是开路(open circuit)点。当然跳线器24也可设计为惯常导通，插上绝缘的跳帽时才断开，或跳线器24本身就是一个开关。模拟于存储控制模块10判断通用输入/输出端口 104的逻辑电位，存储控制模块20乃基于跳线器24或其他跳线器的通断状态选择存储模块22中的配置文件。举例来说，当跳线器24呈开路时，存储控制模块20选择前述两份配置文件的其一，如位于存储区226者。当跳线器24处于导通态时，则存储控制模块20选择、调用位于存储区227的配置文件并据以设定固件。如前所述，在一实施例中，位于存储区228的固件具有调用单元。调用单元被存储控制模块20执行时使存储控制模块20基于跳线器24的通断状态对于存储模块22中的每一份配置文件做出调用与否的选择，或选择(第一)存储区226和227其中之一，进而调用位于该存储区的配置文件。
[0035]请配合图1与图2参见图3，其为依据本发明另一实施例存储控制装置的方块图。如图3所示，存储控制装置3包含存储控制模块30、存储模块32以及跳线器34与36。存储控制模块30耦接存储模块32并包含两个通用输入/输出端口 304与306。存储控制模块30于通用输入/输出端口 304与306分别耦接跳线器34与36。存储模块32类似12或22，唯在本实施例中，有四份配置文件分别存储于四个存储区326至329，固件则位于存储模块32的其他部分。存储控制装置3可视为存储控制装置I更包含两个跳线器而存储控制模块10包含对应的两个通用输入/输出端口(包括或不包括104)，或可视为存储控制装置2包含两个跳线器(包括或不包括24)而存储控制模块20被给予包含对应的两个通用输入/输出端口的特征。
[0036]两跳线器34和36分别通断形成二乘二等于四种状态组合可对应前述四份配置文件(以此类推，若有三个跳线器则可形成23种状态组合)，跳线器34和36分别更关联于所连接的通用输入/输出端口 304和306处于逻辑高或低电位。举例来说，请参见图4，其为通用输入/输出端口 304与跳线器34的电路图。如图4所示，当跳线器34是闭路时，电流由电源或固定高电位(如3.3伏特)依序流经阻抗41、跳线器34以及阻抗42而接地，存储控制模块30通过通用输入/输出端口 304感知的电位因此是固定高电位减去阻抗41两端的压降。本发明所属领域具通常知识者应能明白阻抗41与42在图4中用于化约自电源至接地端除被动影响前述压降外与存储控制装置3没有直接关系的组件。当跳线器34不导通时，阻抗41两端没有压降，通用输入/输出端口 304处于接近固定高电位的逻辑高电位。
[0037]由是，藉由如插上或卸下跳帽或其他开关操作分别使跳线器34和36导通或断开，跳线器34和36实质上控制了通用输入/输出端口 304和306的逻辑电位。两个通用输入/输出端口 304与306分别会处于高低两个逻辑电位其一，总共形成二乘二等于四种不同的状态组合。(以此类推，若有三个通用输入/输出端口则可形成23种状态组合。)这些状态组合可与存储区326至329中的四份配置文件一一对应。举例来说，当通用输入/输出端口 304处于逻辑低电位而通用输入/输出端口 306处于高电位时，存储控制模块30选择四份配置文件其一，如位于存储区327者。当通用输入/输出端口 304也处于逻辑高电位时，则存储控制模块30选择、调用位于例如存储区329的配置文件并据以设定固件。假设通用输入/输出端口 304或306处于逻辑低电位时被存储控制模块30判断或诠释为二进制的0，高电位时则为1，则前述状态组合可表示成00、01、10以及11等编号。不同编号对应不同存储区。存储控制模块30若查表、依据其设计或执行调用单元得知00对应存储区326，则从存储区326取得被指定的配置文件。
[0038]在一实施例中，存储控制模块10、20或30为基于串行式小型计算机系统接口(Serial Attached SCSI，下称SAS)，如在服务器中做为存储交换或路由器，从而管理多个SAS设备(如硬盘)的端口扩充器(expander)或倍增器(port multiplier)。以存储控制模块10为例，其耦接于前述服务器的中央处理单元与多颗硬盘之间，用于控制中央处理单元与硬盘间、或硬盘彼此的数据传输。请配合图1参见图5，其为依据本发明一实施例调用方法的流程图。调用方法用于供存储控制装置I调用存储模块12中的一份配置文件。具体而言，于步骤S51中，判断通用输入/输出端口 104所处的逻辑电位。依据该判断的结果，存储控制模块10于步骤S53选择存储区126或127，以调用位于该区的配置文件。譬如通用输入/输出端口 104正处于逻辑低电位，则存储控制模块10自存储区127取得被指定的配置文件并据以设定固件。换句话说，存储控制模块10选择了位于存储区127的配置文件，或就位于存储区126的配置文件做了不予调用的选择。
[0039]对SAS的硬盘端口扩充器而言，其配置文件常包含其遵循SAS的在存储网络上的地址。此地址可以是一默认值。承前段，在一实施例中，存储区126和127中的配置文件记录着同一个默认SAS地址。前述地址也可随机产生，存储控制模块10调用不同配置文件便可能具有相异的SAS地址。多份配置文件所载地址不一在实务上并不一定理想。在一实施例中，存储模块12更包含第三存储区129，用于存储存储控制模块10真正调用以运作的SAS地址；存储控制模块10忽略配置文件所包含的地址，或配置文件不记录默认或随机地址。在图2中，存储控制模块20调用以运作的SAS地址位于存储区229。
[0040]存储控制模块10、20或30也可以是基于串行高级技术附件(Serial AdvancedTechnology Attachment,简称SATA)的端口扩充器或倍增器，或服务器主板上控制中央处理单元与周边存储间数据传输的一个电路，如输出入控制器枢纽(Input/OutputController Hub)、平台控制器枢纽(Platform Controller Hub)或俗称的南桥芯片(southbridge)。实务上所述电路也可能被整合至广义的中央处理单元。集成电路或芯片一般留有与主要功能没有直接关系、但可供外部在某种程度上客制化该芯片的针脚。通用输入/输出端口 104、304或306即可实作于此等针脚。
[0041]综上所述，本发明提供多种存储控制装置，其包含至少一跳线器，或其中存储控制模块包含至少一通用输入/输出端口。如本发明的调用方法所阐释，存储控制模块判断通用输入/输出端口的逻辑电位或跳线器的通断状态而受控地选择欲调用的配置文件。在一些实施例中，通用输入/输出端口处于逻辑高或低电位关联于跳线器系导通或断开。存储控制模块既具受控与选择之特征，存储模块可被多重刻录，而外部(如产线人员)可轻易切换存储控制装置所调用的配置文件。
[0042]虽然本发明以前述的实施例揭露如上，然其并非用于限定本发明。在不脱离本发明的精神和范围内，所为之更动与润饰，均属本发明的权利保护范围。关于本发明所界定的保护范围请参考权利要求书。
【权利要求】
1.一种调用方法，用于供一存储控制装置调用该存储控制装置的一配置文件，该存储控制装置为基于串行式小型计算机系统接口(Serial Attached SCSI)且包含一存储模块与至少一通用输入/输出端口，该调用方法包含: 判断该通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位，以产生一判断结果；以及 依据该判断结果，选择自该存储模块的多个存储区其中之一调用该配置文件。
2.一種存储控制裝置，包含: 一存储控制模块，包含至少一通用输入/输出端口，该存储控制模块耦接于一中央处理单元与多个硬盘之间；以及 一存储模块，耦接该存储控制模块，该存储模块存有多个配置文件及一固件，该固件用于被该存储控制模块执行； 其中该存储控制模块基于该至少一通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位去选择该些配置文件其中之一以设定该固件。
3.如权利要求2所述的存储控制装置，其特征为，该固件具有一调用单元，该存储控制模块用于执行该调用单元，以基于该至少一通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位去从该存储模块中选择性地调用该些配置文件其中之一。
4.如权利要求2所述的存储控制装置，其特征为，该存储模块包括多个第一存储区，该些第一存储区分别对应存储该些配置文件，该存储控制模块根据每一该通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位以产生一判断结果，该判断结果形成一编号，被选择的该配置文件所在的该第一存储区对应该编号。
5.如权利要求2所述的存储控制装置，其特征为，该至少一通用输入/输出端口为二个，该二通用输入/输出端口的逻辑电位共形成不同的四个状态组合，该些配置文件为四个，每一该状态组合对应该些配置文件其中之一。
6.如权利要求2所述的存储控制装置，其特征为，该存储控制装置更包括至少一跳线器，每一该跳线器对应连接该至少一通用输入/输出端口其中之一且用于控制所对应连接的该通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位，从而通过对该至少一跳线器的操作，该存储控制模块受控而选择该些配置文件其中之一以设定该固件。
7.如权利要求2所述的存储控制装置，其特征为，该存储模块包括多个第一存储区、一第二存储区及一第三存储区，该些配置文件分别对应存储于该些第一存储区，该固件存储于该第二存储区，该第三存储区用于存储该存储控制模块的串行式小型计算机系统接口(Serial Attached SCSI)的一地址，该存储控制模块更调用该地址以运作。
8.如权利要求7所述的存储控制装置，其特征为，每一该配置文件包含该存储控制模块的串行式小型计算机系统接口的一默认地址。
9.如权利要求2所述的存储控制装置，其特征为，该存储控制模块为南桥芯片、串行式小型计算机系统接口的硬盘端口扩充器(expander)或串行高级技术附件(SerialAdvanced Technology Attachment)的硬盘端口扩充器。
10.一种存储控制装置，包含: 一存储控制模块，耦接于一中央处理单元与多个硬盘之间； 至少一跳线器，耦接该存储控制模块；以及 一存储模块，耦接该存储控制模块，该存储模块存有多个配置文件及一固件，该固件用于被该存储控制模块执行； 其中该存储控制模块基于该至少一跳线器的通断状态去选择该些配置文件其中之一以设定该固件。
11.如权利要求10所述的存储控制装置，其特征为，该存储控制模块包含至少一通用输入/输出端口，每一该跳线器对应连接该至少一通用输入/输出端口其中之一，每一该跳线器的通断状态关联于所对应连接的该通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位。
12.如权利要求11所述的存储控制装置，其特征为，该存储模块包括多个第一存储区，该些第一存储区分别对应存储该些配置文件，该存储控制模块根据每一该通用输入/输出端口处于逻辑高电位或逻辑低电位以产生一判断结果，该判断结果形成一编号，被选择的该配置文件所在的该第一存储区对应该编号。
13.如权利要求10所述的存储控制装置，其特征为，该至少一跳线器为二个，该二跳线器的通断状态共形成不同的四个状态组合，该些配置文件为四个，每一该状态组合对应该些配置文件其中之一。
14.如权利要求10所述的存储控制装置，其特征为，该存储模块包括多个第一存储区、一第二存储区及一第三存储区，该些配置文件分别对应存储于该些第一存储区，该固件存储于该第二存储区，该第三存储区用于存储该存储控制模块的串行式小型计算机系统接口(Serial Attached SCSI)的一地址，该存储控制模块更调用该地址以运作。
15.如权利要求10所述的存储控制装置，其特征为，每一该配置文件包含该存储控制模块的串行式小型计算机系统接口的一默认地址。
16.如权利要求10所述的存储控制装置，其特征为，该存储控制模块为南桥芯片、串行式小型计算机系统接口的硬盘端口扩充器(expander)或串行高级技术附件(SerialAdvanced Technology Attachment)的硬盘端口扩充器。
17.如权利要求10所述的存储控制装置，其特征为，该固件具有一调用单元，该存储控制模块用于执行该调用单元，以基于该至少一跳线器的通断状态去从该存储模块中选择性地调用该些配置文件其中之一。
【文档编号】G06F13/16GK104182367SQ201410363423
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年7月28日 优先权日:2014年7月28日
【发明者】赵卫国 申请人:英业达科技有限公司, 英业达股份有限公司