一种硅片数片装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及数片设备，具体为一种硅片数片装置，其结构简单，方便地完成硅片的数片操作，提高效率，其包括托板，所述托板包括玻璃板，所述玻璃板上部一端设置带有斜坡的靠板，所述玻璃板下部两侧对称设置配合的光源和光电探测器，所述光源照射到玻璃板形成全反射，所述光电探测器连接电脑。
【专利说明】一种硅片数片装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及数片设备，具体为一种硅片数片装置。
【背景技术】
[0002]随着社会的不断发展，太阳能行业在国内不断扩大，对于太阳能的产能效率需求不断提高，硅片是太阳能行业中最常用的原材料，其需求量很大，硅片在进行生产加工前需要对其进行数片计数，一般常用的方式都是人工进行数片，其人力劳动强度大，容易出错，效率低下，无法满足需求，如今也有一些能够实现硅片自动数片的设备，但是一般其结构复杂，操作起来比较复杂，使用成本高。
【发明内容】
[0003]为了解决上述问题，本实用新型提供了一种硅片数片装置，其结构简单，方便地完成硅片的数片操作，提高效率。
[0004]其技术方案是这样的:一种硅片数片装置，其特征在于，其包括托板，所述托板包括玻璃板，所述玻璃板上部一端设置带有斜坡的靠板，所述玻璃板下部两侧对称设置配合的光源和光电探测器，所述光源照射到玻璃板形成全反射，所述光电探测器连接电脑。
[0005]其进一步特征在于，所述托板中间开有通槽，所述通槽内卡嵌所述玻璃板，所述玻璃板的厚度与所述托板对应；
[0006]所述靠板的斜坡角度大于80度小于85度；
[0007]所述玻璃板上部设置与所述靠板对应的顶板；
[0008]所述玻璃板上部两侧分别设置直线导轨，所述顶板通过滑块与所述直线导轨滑动连接；
[0009]所述直线导轨两端分别设置限位装置；
[0010]所述玻璃板下部两侧分别通过连接杆设置条状安装座，两个所述条状安装座上分别安装所述光源和光电探测器；
[0011]所述光源为单色光源。
[0012]采用本实用新型的结构后，将需要进行数片操作的硅片放置于托板上并靠住靠板，光源照射，光电探测器收到光强信号后，通过电脑显示明暗条纹，根据明暗条纹即可方便计算出硅片数量，其结构简单，方便地完成硅片的数片操作，提高效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型结构主视图；
[0014]图2为本实用新型结构左视图；
[0015]图3为本实用新型结构仰视图；
[0016]图4为衰逝波示意图；
[0017]图5为部分衰逝波穿透示意图；
[0018]图6为衰逝波没有穿透示意图；
[0019]图7为硅片照射示意图。
【具体实施方式】
[0020]见图1，图2，图3所示，一种硅片数片装置，其包括托板1，托板I中间开有通槽，通槽内卡嵌玻璃板2，使得加工起来方便，玻璃板2上部一端设置带有斜坡的靠板3，玻璃板2下部两侧对称设置配合的光源4和光电探测器5，光源4照射到玻璃板2形成全反射，光电探测器5连接电脑；玻璃板2的厚度与托板I对应，保证硅片12与玻璃板2的贴合；靠板3的斜坡角度大于80度小于85度；玻璃板2上部设置与靠板3对应的顶板6,顶板6可以顶住硅片12，防止硅片12滑倒；玻璃板2上部两侧分别设置直线导轨7，顶板6通过滑块8与直线导轨7滑动连接，可以调节顶板6的位置，以配合不同数量厚度的硅片12 ;直线导轨7两端分别设置限位装置9，起到限定顶板6位置的作用；玻璃板2下部两侧分别通过连接杆10设置条状安装座11，两个条状安装座11上分别安装光源4和光电探测器5 ;光源4为单色光源，单色光源经过玻璃板2全反射后可以得到更好地明暗条纹。
[0021]其工作过程和原理如下所述:见图4所示，当一束光波在光密介质与光疏介质的界面上发生全反射时，光疏介质中沿法线的平面能流密度为零，即没有能量向光疏介质的深层传播，但光疏介质中沿表面的平均能流密度不为零，即有能量沿光疏介质的表面层传播，其振幅随进入光疏介质的深度而作指数衰减，此为最常见的衰逝波，衰逝波透射强度公式为 I (z) =I(O) e-z/d，渗透深度公式为 d= λ (ο)/4π (ηαΑ?ηθ^-η ⑵ 2)_1/2，公式中 I(O)是分界面处透射强度，d是渗透深度等于从分界面处到光强衰减到分界面处数值I(O)/e的处的距离，z是离开分界面的距离，λ为入射光波长，QiW面处的入射角，图中用箭头表示衰逝波的传播方向，箭头的长短表示衰逝波的振幅大小，衰逝波只能存在于厚度约为几个波长的表面层内，超过这个范围，其振幅就衰减到可以忽略不计，若不考虑光疏介质对光的吸收和放射等原因造成的能量损失，并且光疏介质的厚度足够大(大于衰逝波存在的范围)，则衰逝波能量最终将全部返回光密介质；当光疏介质下端还有第三介质，如果光疏介质的厚度足够小，如图5所示，部分衰逝波将穿透并传播出去，由于部分入射波的能量向第三介质传播，因此全反射的能量变小，即反射波的亮度变暗，在衰逝波存在范围内，光疏介质厚度越小，穿透第三介质并传播出去的光波就越多，即反射波的亮度变暗；反之，在衰逝波存在范围内，光疏介质厚度越大，穿透第三介质并传播出去的光波就越少，即反射波的亮度较亮，直到超过衰逝波存在范围，如图6所示，此时衰逝波能量没有损失将全部返回光密介质，反射波的亮度与入射波没有变化。将需要进行数片操作的硅片12放置于玻璃板2上方，一端靠住靠板3，另一端通过顶板6顶住，由于靠板3上有斜坡，所以硅片12倾斜，硅片12底部与玻璃板2之间有三角形的间隙，如图7所示，入射波照射到玻璃板2上，发射全反射，由于有衰逝波的存在，在硅片12底部与玻璃板2之间的间隙中存在衰逝波，玻璃板2相当于光密介质，间隙相当于光疏介质，硅片12相当于第三介质，因此有部分衰逝波会通过硅片12吸收出去，随着间隙厚度的扩大，透过硅片12吸收出去的衰逝波能量越来越少，SP在一片硅片12底部照射的入射波经过全反射，光电探测器5接收到的光波亮度是从暗到明的渐变条纹，当有多个硅片12并排排列时，在电脑上就会显示多条渐变明暗条纹，渐变明暗条纹的数量即为硅片12的数量，靠板3的斜坡角度不能太大或太小，太大的话间隙的厚度就很小，条纹的明暗渐变程度不明显，不太容易判断出条纹数量，角度太小时，间隙的厚度就很大，导致除了硅片12与玻璃板2接触处有衰逝波穿透硅片12外，其余间隙处没有衰逝波能量损失，条纹的明暗渐变程度也不明显。
【权利要求】
1.一种硅片数片装置，其特征在于，其包括托板，所述托板包括玻璃板，所述玻璃板上部一端设置带有斜坡的靠板，所述玻璃板下部两侧对称设置配合的光源和光电探测器，所述光源照射到玻璃板形成全反射，所述光电探测器连接电脑。
2.根据权利要求1所述的一种硅片数片装置，其特征在于，所述托板中间开有通槽，所述通槽内卡嵌所述玻璃板，所述玻璃板的厚度与所述托板对应。
3.根据权利要求1所述的一种硅片数片装置，其特征在于，所述靠板的斜坡角度大于80度小于85度。
4.根据权利要求1所述的一种硅片数片装置，其特征在于，所述玻璃板上部设置与所述靠板对应的顶板。
5.根据权利要求1所述的一种硅片数片装置，其特征在于，所述玻璃板上部两侧分别设置直线导轨，顶板通过滑块与所述直线导轨滑动连接。
6.根据权利要求5所述的一种硅片数片装置，其特征在于，所述直线导轨两端分别设置限位装置。
7.根据权利要求1所述的一种硅片数片装置，其特征在于，所述玻璃板下部两侧分别通过连接杆设置条状安装座，两个所述条状安装座上分别安装所述光源和光电探测器。
8.根据权利要求1所述的一种硅片数片装置，其特征在于，所述光源为单色光源。
【文档编号】G06M1/272GK204204015SQ201420544230
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年9月22日 优先权日:2014年9月22日
【发明者】李俊林 申请人:无锡名谷科技有限公司