晶体管特性仿真装置、晶体管特性仿真方法和晶体管特性仿真程序与流程

本发明涉及晶体管特性的仿真技术。

背景技术：

1、一般而言，在晶体管的特性计算中使用晶体管等效电路模型。在非专利文献1中公开有除了寄生分量和电流源以外还包含由rc电路表示的陷阱等效电路的晶体管等效电路模型。

2、现有技术文献

3、非专利文献

4、非专利文献1：t.otsuka et.al.”study of self heating effect of gan hemtswith buffer traps by low frequency s-parameters measurements and tcadsimulation,”ieee bicmos and compound semiconductor integrated circuits andtechnology symposium(bcicts),november 3-6,2019,nashville,tennessee,usa,3b.2.

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、根据非专利文献1的晶体管等效电路模型，由于具有陷阱等效电路，因此，能够在某种程度上考虑位于晶体管内的陷阱对晶体管的特性造成的影响。

3、但是，在现有的陷阱等效电路中，陷阱的时间常数恒定，因此，存在在多个电压条件下的瞬态响应特性的仿真中计算结果与测定结果不符这样的课题。

4、本发明正是为了解决这种课题而完成的，其目的在于，提供在多个电压条件下的瞬态响应特性的仿真中能够使计算结果和测定结果更加匹配的晶体管特性仿真技术。

5、用于解决课题的手段

6、本发明的实施方式的晶体管特性仿真装置使用晶体管等效电路模型，其中，晶体管等效电路模型具有与通过电场强度对晶体管的陷阱能级进行校正的蒲尔-弗朗克效应的物理模型对应的陷阱等效电路。

7、发明效果

8、根据本发明的实施方式的晶体管特性仿真装置，在多个电压条件下的瞬态响应特性的仿真中，能够使计算结果和测定结果更加匹配。

技术特征：

1.一种使用晶体管等效电路模型的晶体管特性仿真装置，其中，

2.根据权利要求1所述的使用晶体管等效电路模型的晶体管特性仿真装置，其中，

3.根据权利要求2所述的使用晶体管等效电路模型的晶体管特性仿真装置，其中，

4.根据权利要求3所述的使用晶体管等效电路模型的晶体管特性仿真装置，其中，

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的使用晶体管等效电路模型的晶体管特性仿真装置，其中，

6.根据权利要求5所述的使用晶体管等效电路模型的晶体管特性仿真装置，其中，

7.一种晶体管特性仿真装置进行的晶体管特性仿真方法，该晶体管特性仿真方法具有以下步骤：

8.一种晶体管特性仿真程序，该晶体管特性仿真程序使计算机使用晶体管等效电路模型执行晶体管特性的仿真，所述晶体管等效电路模型具有与通过电场强度对晶体管的陷阱能级进行校正的蒲尔-弗朗克效应的物理模型对应的陷阱等效电路。

技术总结
晶体管特性仿真装置使用晶体管等效电路模型，其中，晶体管等效电路模型具有与通过电场强度对晶体管的陷阱能级进行校正的蒲尔‑弗朗克效应的物理模型对应的陷阱等效电路(103、104；105、106；107、108)。

技术研发人员：大塚友绚,山口裕太郎,山中宏治
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15