数据储存装置、以及非挥发式存储器控制方法与流程

本发明有关于数据储存装置的数据时序对齐(deskew)技术。

背景技术：

1、非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive ram)、铁电随机存取存储器(ferroelectric ram)、电阻式随机存取存储器(resistive ram)、自旋转移力矩随机存取存储器(spin transfer torque-ram，stt-ram)…等，用于长时间数据保存，可做为储存媒体实现一数据储存装置。

2、非挥发式存储器有其特殊的储存特性，且需要相应的储存架构。本技术领域必须相应非挥发式存储器的储存架构发展相应的控制技术。

技术实现思路

1、本发明为非挥发式存储器实现的数据储存装置，设计一种数据对齐技术。

2、根据本发明一种实施方式实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器、一控制器、以及耦接该控制器至该非挥发式存储器的多条数据线。该非挥发式存储器包括多个储存晶粒、以及一信号延时电路。透过该等数据线，该控制器发出多个指令，提供分区延时参数给该非挥发式存储器，使该信号延时电路分区为该等储存晶粒调适晶粒数据线的信号时序。

3、一种实施方式中，各储存晶粒系以多条晶粒数据线进行读取以及写入。该等指令各以地址方式，指定该非挥发式存储器一区域内所有储存晶粒的一特定编号的晶粒数据线，要求设定其读取延时参数、以及写入延时参数。

4、一种实施方式中，该非挥发式存储器系采多条通道管理该等储存晶粒，共用同一通道的储存晶粒更以多个芯片致能信号轮动，同一芯片致能信号系致能同通道至少一个储存晶粒，且各储存晶粒系连结不同编号的多条晶粒数据线。

5、一种实施方式中，各指令系以地址方式，指定一特定通道内所有储存晶粒的一特定编号的晶粒数据线，要求设定其读取延时参数、以及写入延时参数。

6、一种实施方式中，各指令更指定一特定编号的芯片致能信号，细分延时参数的分区设定。

7、一种实施方式中，各指令更指定该特定编号的芯片致能信号所致动的一特定编号的储存晶粒，细分延时参数的分区设定。

8、一种实施方式中，各指令包括指定一延时单位、一读取延时单位数量、以及一写入延时单位数量。

9、一种实施方式中，该信号延时电路以电性方式延时晶粒数据线的读取数据传输，且该信号延时电路以电性方式延时解读晶粒数据线传来的数据，以获得写入数据填入储存晶粒。

10、一种实施方式中，在该数据储存装置上电时，该控制器对该非挥发式存储器分区进行延时参数训练，再透过该等数据线发出该等指令，将训练结果传递给该非挥发式存储器，作为分区延时参数。

11、一种实施方式中，该信号延时电路相应该控制器的该等指令分区完成晶粒数据线的信号时序调适后，该控制器方自该非挥发式存储器读取并执行一系统内程序码。

12、一种实施方式是基于前述概念提出非挥发式存储器控制方法。

13、下文特举实施例，并配合附图，详细说明本
技术实现要素：
。

技术特征：

1.一种数据储存装置，包括：

2.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于：

3.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于：

4.如权利要求3所述的数据储存装置，其特征在于：

5.如权利要求4所述的数据储存装置，其特征在于：

6.如权利要求5所述的数据储存装置，其特征在于：

7.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于：

8.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于：

9.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于：

10.如权利要求9所述的数据储存装置，其特征在于：

11.一种非挥发式存储器控制方法，包括：

12.如权利要求11所述的非挥发式存储器控制方法，其特征在于：

13.如权利要求12所述的非挥发式存储器控制方法，其特征在于：

14.如权利要求13所述的非挥发式存储器控制方法，其特征在于：

15.如权利要求14所述的非挥发式存储器控制方法，其特征在于：

16.如权利要求15所述的非挥发式存储器控制方法，其特征在于：

17.如权利要求12所述的非挥发式存储器控制方法，其特征在于：

18.如权利要求11所述的非挥发式存储器控制方法，其特征在于，还更包括：

19.如权利要求11所述的非挥发式存储器控制方法，其特征在于，还包括：

20.如权利要求19所述的非挥发式存储器控制方法，其特征在于，还包括：

技术总结
本发明涉及一种在非挥发式存储器端对齐读、写数据的技术，具体地说，涉及数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法。非挥发式存储器包括多个储存晶粒、以及一信号延时电路。一控制器经多条数据线耦接该非挥发式存储器。透过多条数据，该控制器发出多个指令，提供分区延时参数给该非挥发式存储器，使该信号延时电路分区为该等储存晶粒调适晶粒数据线的信号时序。

技术研发人员：欧旭斌,戴光廷
受保护的技术使用者：慧荣科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4