本申请涉及芯片，尤其涉及一种射频芯片版图、射频芯片版图的设计方法、终端设备以及计算机存储介质。
背景技术：
1、现如今，射频芯片不断的向低功耗、低电压、高增益、高可靠性、高线性度和更小工艺方向发展。
2、然而，频率越高、信号越弱、工艺尺寸越小则意味着对射频芯片的版图设计要求就越高。因为，随着射频芯片制作的工艺尺寸不断缩小，射频芯片的寄生将变的越来越大，二级效应对芯片性能的影响也会越来越大，尤其是在finfet(fin field-effecttransistor，鳍式场效电晶体)工艺(一种光刻工艺)下的寄生和二级效应对性能影响的变化将更加明显。
3、基于此，如何设计出适用于finfet工艺的射频芯片版图以满足射频芯片技术演进带来的芯片版图设计需求，俨然成为了本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种射频芯片版图、射频芯片版图的设计方法、终端设备以及计算机存储介质，旨在设计一种适用于finfet工艺中且能够提高射频芯片线性度和抑制噪声的芯片版图设计。
2、为实现上述目的，本申请提供一种射频芯片版图。本申请射频芯片版图包括：电流镜、采用左右对称设计的差分对管和逻辑开关；
3、所述差分对管的四周设计有虚拟场效应管；
4、所述电流镜包括第一电流镜和第二电流镜，所述差分对管中的输入管位于的所述第一电流镜和所述第二电流镜之间，所述逻辑开关设计在版图边界位置。
5、在一些实施例中，本申请第一电流镜和所述第二电流镜各自的四周均设计有虚拟场效应管；
6、所述第一电流镜位于所述输入管的正上方，所述第二电流镜位于所述输入管的正下方。
7、在一些实施例中，所述差分对管中的输出管采用引脚对应连接的串联布局设计；
8、所述输出管位于版图左右两侧，所述第二电流镜位于所述输出管之间；
9、所述差分对管中的反馈输入管位于所述第二电流镜的正下方。
10、在一些实施例中，所述射频芯片版图还包括：第一偏置电路和第二偏置电路，所述第一偏置电路和所述第二偏置电路各自的四周均设计有虚拟场效应管；
11、所述第一偏置电路位于所述反馈输入管的左侧，所述第二偏置电路位于所述反馈输入管的右侧。
12、此外，为实现上述目的，本申请还提供一种射频芯片版图的设计方法。本申请射频芯片版图的设计方法包括：
13、在射频芯片版图范围中采用左右对称方式布设差分对管；
14、将第一电流镜布设在所述差分对管中的输入管的正上方，和，将第一电流镜布设在所述输入管的正下方；
15、将逻辑开关布设在版图边界位置，并在所述差分对管、所述第一电流镜和所述第二电流镜的四周均布设虚拟场效应管。
16、在一些实施例中，所述在射频芯片版图范围中采用左右对称方式布设差分对管的步骤，包括：
17、将所述差分对管中的输出管按照相同引脚一一对应的关系进行串联连接；
18、将串联的输出管左右对称的布设在版图左右两侧，并令所述第二电流镜位于所述输出管之间。
19、在一些实施例中，所述在射频芯片版图范围中采用左右对称方式布设差分对管的步骤，还包括：
20、将所述差分对管中的反馈输入管以左右对称方式布设在所述第二电流镜的正下方。
21、在一些实施例中，所述方法还包括：
22、在所述反馈输入管的左侧布设第一偏置电路，和，在所述反馈输入管的右侧布设第二偏置电路；
23、在所述第一偏置电路和所述第二偏置电路的四周均布设虚拟场效应管。
24、此外，为实现上述目的，本申请还提供一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的射频芯片版图的设计程序，所述射频芯片版图的设计程序被所述处理器执行时实现如上所述的射频芯片版图的设计方法的步骤。
25、此外，为实现上述目的，本申请还提供一种计算机存储介质，所述计算机存储介质上存储有射频芯片版图的设计程序，所述射频芯片版图的设计程序被处理器执行时实现如上所述的射频芯片版图的设计方法的步骤。
26、此外，为实现上述目的，本申请还提供计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的射频芯片版图的设计方法的步骤。
27、在本申请实施例中，本申请提供一种射频芯片版图、射频芯片版图的设计方法、终端设备、计算机存储介质以及计算机程序产品，通过对差分对管采用左右对称的设计方式，并且在该差分对管的四周加上虚拟场效应管。如此，相比于传统对差分对管采用交叉匹配方式设计的芯片版图，本申请设计的适用于finfet工艺中的射频芯片版图，通过对差分对管采用左右对称方式不仅能以令版图的走线更短更简洁，并且还能使虚拟场效应管上的走线不交叉。从而，本申请提供的射频芯片版图有效地降低了走线的寄生电阻，同时也减少了由于走线交叉而引入的寄生电容，从而达成了有效抑制射频芯片噪声的目的。
28、此外，本申请射频芯片版图中所有匹配管四周的虚拟场效应管还能有效降低阱临近效应对场效应管的影响，保证匹配的器件对工艺不敏感，从而提高了场效应管的匹配性，进而提高了射频芯片的线性度。
1.一种射频芯片版图，其特征在于，所述射频芯片版图包括：电流镜、采用左右对称设计的差分对管和逻辑开关；
2.根据权利要求1所述的射频芯片版图，其特征在于，本申请第一电流镜和所述第二电流镜各自的四周均设计有虚拟场效应管；
3.根据权利要求2所述的射频芯片版图，其特征在于，所述差分对管中的输出管采用引脚对应连接的串联布局设计；
4.根据权利要求3所述的射频芯片版图，其特征在于，所述射频芯片版图还包括：第一偏置电路和第二偏置电路，所述第一偏置电路和所述第二偏置电路各自的四周均设计有虚拟场效应管；
5.一种射频芯片版图的设计方法，其特征在于，所述射频芯片版图的设计方法包括：
6.根据权利要求5所述的射频芯片版图的设计方法，其特征在于，所述在射频芯片版图范围中采用左右对称方式布设差分对管的步骤，包括：
7.根据权利要求6所述的射频芯片版图的设计方法，其特征在于，所述在射频芯片版图范围中采用左右对称方式布设差分对管的步骤，还包括：
8.根据权利要求7所述的射频芯片版图的设计方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的射频芯片版图的设计程序，所述射频芯片版图的设计程序被所述处理器执行时实现如权利要求5至8中任一项所述的射频芯片版图的设计方法的步骤。
10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质上存储有射频芯片版图的设计程序，所述射频芯片版图的设计程序被处理器执行时实现如权利要求5至8中任一项所述的射频芯片版图的设计方法的步骤。