一种具有防护功能的双模低功耗SoC芯片的制作方法

本技术涉及芯片，具体来说，涉及一种具有防护功能的双模低功耗soc芯片。

背景技术：

1、随着时代的发展人们生活水平的不断提高，芯片的使用也越来越频繁，芯片是指内含集成电路的硅片，其体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分，芯片也称为微电路、微芯片和集成电路，芯片的种类十分广泛，其功能也各种各样。

2、其中，soc芯片是一种集成电路的芯片，可以有效地降低电子/信息系统产品的开发成本，缩短开发周期，提高产品的竞争力，是未来工业界将采用的最主要的产品开发方式，而双模soc芯片则是集成有蓝牙模块和wifi模块的soc芯片。

3、然而，现有的双模soc芯片在使用过程中对芯片的保护性能较低，电源与芯片之间经常会由于电压波动较大导致芯片受损，进而导致芯片的使用寿命降低，此外，现有的芯片接口电路中当发生浪涌现象时不能及时的消除过压电压，进而容易导致芯片的损坏。

4、针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

1、针对相关技术中的问题，本实用新型提出一种具有防护功能的双模低功耗soc芯片，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

2、为此，本实用新型采用的具体技术方案如下：

3、一种具有防护功能的双模低功耗soc芯片，包括电源模块、防护模块、嵌入式cpu、时钟模块、存储器及数据传输模块；嵌入式cpu分别与防护模块、嵌入式cpu、时钟模块、存储器及数据传输模块电连接，电源模块通过防护模块与嵌入式cpu电连接。

4、进一步的，防护模块包括电压保护模块、识别模块及浪涌防护模块；电压保护模块与识别模块电连接，识别模块与浪涌防护模块电连接。

5、进一步的，浪涌防护模块包括压敏电阻rv1、压敏电阻rv2、压敏电阻rv3、温度保险管fu1、温度保险管fu2、温度保险管fu3及陶瓷气体放电管g；压敏电阻rv1的一端分别与火线及压敏电阻rv2的一端连接，压敏电阻rv1的另一端与温度保险管fu1的一端连接，温度保险管fu1的另一端分别与零线及压敏电阻rv3的一端连接，压敏电阻rv3的另一端与温度保险管fu3的一端连接，温度保险管fu3的另一端分别与温度保险管fu2的一端及陶瓷气体放电管g的一端连接，温度保险管fu2的另一端与压敏电阻rv2的另一端连接，陶瓷气体放电管g的另一端接地。

6、进一步的，嵌入式cpu包括fpga核单元及算术逻辑模块，fpga核单元与算术逻辑模块电连接。

7、进一步的，存储器包括第一存储器和第二存储器。

8、进一步的，数据传输模块包括数据划分模块、判断切换模块、蓝牙传输模块及wifi传输模块；数据划分模块与判断切换模块电连接，判断切换模块分别与蓝牙传输模块及wifi传输模块电连接。

9、本实用新型的有益效果为：

10、1)通过设置有防护模块，从而不仅可以在电压保护模块的作用下实现对芯片输送高平电压的过滤，而且还可以在识别模块的作用下通过产生的电平差来提高芯片的被识别能力，此外，还可以在浪涌防护模块的作用下在发生浪涌现象时吸收芯片接口电路上的过压电压，起到避免浪涌现象发生的效果，从而可以有效地避免芯片损坏情况的发生，对双模soc芯片起到更好地防护效果。

11、2)通过设置有数据传输模块，从而可以在数据划分模块的作用下将待传输的数据划分为带有编号的若干数据包，并可以在判断切换模块的用下下实现对传输方式是否需要进行切换的判断，从而灵活的实现蓝牙与wifi之间的切换，进而可以有效地提高传输效率及传输质量。

技术特征：

1.一种具有防护功能的双模低功耗soc芯片，其特征在于，包括电源模块(1)、防护模块(2)、嵌入式cpu(3)、时钟模块(4)、存储器(5)及数据传输模块(6)；

2.根据权利要求1所述的一种具有防护功能的双模低功耗soc芯片，其特征在于，所述嵌入式cpu(3)包括fpga核单元(31)及算术逻辑模块(32)，所述fpga核单元(31)与所述算术逻辑模块(32)电连接。

3.根据权利要求1所述的一种具有防护功能的双模低功耗soc芯片，其特征在于，所述存储器(5)包括第一存储器(51)和第二存储器(52)。

4.根据权利要求1所述的一种具有防护功能的双模低功耗soc芯片，其特征在于，所述数据传输模块(6)包括数据划分模块(61)、判断切换模块(62)、蓝牙传输模块(63)及wifi传输模块(64)；

技术总结
本技术公开了一种具有防护功能的双模低功耗SoC芯片，包括电源模块、防护模块、嵌入式CPU、时钟模块、存储器及数据传输模块；嵌入式CPU分别与防护模块、嵌入式CPU、时钟模块、存储器及数据传输模块电连接，电源模块通过防护模块与嵌入式CPU电连接。本技术通过设置有防护模块，从而不仅可以实现对芯片输送高平电压的过滤，而且还可以通过产生的电平差来提高芯片的被识别能力，此外，还可以在发生浪涌现象时吸收芯片接口电路上的过压电压，起到避免浪涌现象发生的效果，从而可以有效地避免芯片损坏情况的发生，对双模SoC芯片起到更好地防护效果。

技术研发人员：郭小龙,吴海阳,王保根
受保护的技术使用者：江苏金亿达能科技有限公司
技术研发日：20220621
技术公布日：2024/1/13