一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法。

背景技术：

1、55nm逻辑工艺栅宽(即器件沟道长度)最小设计尺寸为54nm，多晶硅cd(poly cd)的变化对晶体管电性参数有较大影响，根据fem结果，w9l0.054的mos管idsat随poly cd变化的幅度分别有rvtn～11ua/um，rvtp～5ua/um；

2、在55lp平台mpw与量产品中均发现，不同有源区宽度(aa width)上实际做出的poly刻蚀cd有较大差异，在同一shot中不同aa width的器件cd最大可差约为4.5nm，这一差距将造成器件电性偏移。由于cmos设计结构固定，这一差异无法从设计修正，并且随着节点不断减小，将影响chip区域更多尺寸的晶体管的电学性能和电路工作效率；

3、现有的opc修正方法是通过pitch控制光刻胶的形貌在一个比较小的范围内波动，但量测位置均有相同line＝0.054与pitch＝0.252时仍有此差异，即无法通过pitch修正；

4、现有光罩上用来检查opc修正的测试键(testkey)均只考虑poly当层的规则(rule)及工艺偏差(bias)，并未监测不同aa width上的poly cd变化。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，用于解决现有技术中无法监测不同有源区宽度对应的多晶硅cd变化的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，至少包括：

3、步骤一、提供多晶硅cd以及与该多晶硅cd对应的有源区的不同宽度；收集与所述有源区的不同宽度对应的所述多晶硅cd的工艺值；

4、步骤二、提供包含所述不同宽度的有源区以及分别与所述不同宽度的有源区对应的同一个所述多晶硅cd形成的版图图形；

5、步骤三、对所述版图图形进行分段；

6、步骤四、按照所述有源区的不同宽度对所述有源区进行分组；

7、步骤五、计算每一个有源区宽度对应的多晶硅cd与多晶硅cd的工艺值之间的偏差；根据所述分组与所述偏差对所述多晶硅cd进行修正；

8、步骤六、对所述版图图形进行检查以符合版图的设计规则。

9、优选地，步骤一中的所述多晶硅cd为晶体管工艺中多晶硅的关键尺寸设计值。

10、优选地，步骤一中的所述多晶硅cd的工艺值为与所述多晶硅cd对应的有源区的不同宽度的晶体管工艺中刻蚀多晶硅层后形成的多晶硅的实际cd。

11、优选地，步骤二中的所述版图图形包括有源区图形和多晶硅图形，所述有源区图形和所述多晶硅图形分别位于不同的层。

12、优选地，步骤三案中对所述版图图形进行分段包括：对所述多晶硅图形的长边和短边分别进行分段。

13、优选地，步骤三案中对所述版图图形进行分段包括：对所述有源区图形的长边和短边分别进行分段。

14、优选地，步骤五中对所述多晶硅cd进行修正的方法包括：对所述多晶硅cd进行扩大。

15、优选地，步骤五中对所述多晶硅cd进行修正的方法包括：对所述多晶硅cd进行缩小。

16、优选地，步骤五中基于分段后的所述版图图形对所述多晶硅cd进行修正。

17、优选地，步骤五中基于分段后的所述版图图形对所述多晶硅cd进行修正。

18、如上所述，本发明的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，具有以下有益效果：本发明的方法可以检测不同有源区宽度下的多晶硅cd的变化，可以减少实际工艺中带来的电性偏差，提高器件性能。

技术特征：

1.一种优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：步骤一中的所述多晶硅cd为晶体管工艺中多晶硅的关键尺寸设计值。

3.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：步骤一中的所述多晶硅cd的工艺值为与所述多晶硅cd对应的有源区的不同宽度的晶体管工艺中刻蚀多晶硅层后形成的多晶硅的实际cd。

4.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：步骤二中的所述版图图形包括有源区图形和多晶硅图形，所述有源区图形和所述多晶硅图形分别位于不同的层。

5.根据权利要求4所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：步骤三案中对所述版图图形进行分段包括：对所述多晶硅图形的长边和短边分别进行分段。

6.根据权利要求4所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：步骤三案中对所述版图图形进行分段包括：对所述有源区图形的长边和短边分别进行分段。

7.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：步骤五中对所述多晶硅cd进行修正的方法包括：对所述多晶硅cd进行扩大。

8.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：步骤五中对所述多晶硅cd进行修正的方法包括：对所述多晶硅cd进行缩小。

9.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：步骤五中基于分段后的所述版图图形对所述多晶硅cd进行修正。

10.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：步骤六中对所述版图图形进行检查包括对所述版图图形中修正后的多晶硅cd进行检查。

11.根据权利要求1所述的优化不同尺寸晶体管电性参数的opc方法，其特征在于：该方法还包括步骤七、若检查符合版图的设计规则，则进行光刻模拟；得到最终的光罩图形；若检查不符合设计规则，则返回步骤五，直到符合设计规则为止，接着进行光刻模拟，得到最终的光罩图形。

技术总结
本发明提供一种优化不同尺寸晶体管电性参数的OPC方法，提供多晶硅CD以及与该多晶硅CD对应的有源区的不同宽度；收集与有源区的不同宽度对应的多晶硅CD的工艺值；提供包含不同宽度的有源区以及分别与不同宽度的有源区对应的同一个多晶硅CD形成的版图图形；对版图图形进行分段；按照有源区的不同宽度对有源区进行分组；计算每一个有源区宽度对应的多晶硅CD与多晶硅CD的工艺值之间的偏差；根据分组与所述偏差对多晶硅CD进行修正；对版图图形进行检查以符合版图的设计规则。本发明的方法可以检测不同有源区宽度下的多晶硅CD的变化，可以减少实际工艺中带来的电性偏差，提高器件性能。

技术研发人员：朱辰雨,袁洋,李磊,朱作华
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13