包括邻接的块的集成电路和设计集成电路的布图的方法与流程

发明构思涉及集成电路，并且更具体地，涉及其中包括邻接的块的集成电路以及设计集成电路的布图的方法。

背景技术：

1、根据半导体工艺的发展，器件的尺寸可减小，并且包括在集成电路中的器件的数量可增加。集成电路可包括分别提供各种功能的块，并且块可被独立地设计。根据半导体工艺的复杂性，每个块可被设计为满足各种需求。遗憾的是，彼此独立设计的块通常可低效地放置在集成电路中。

技术实现思路

1、发明构思提供了一种集成电路和设计集成电路的方法，在所述集成电路中，彼此独立设计的块被最佳地放置。

2、根据发明构思的一方面，提供一种设计集成电路的方法，所述方法包括：将包括第一功能单元阵列的第一块放置到集成电路的布图中；以及将包括第二功能单元阵列的第二块放置到集成电路的布图中，使得第二块在所述布图内邻近于第一块延伸。有利地，第一块包括沿第一块的边界延伸的第一结束单元，并且第二块包括沿第二块的边界延伸的第二结束单元。另外，在所述布图内，在第一块与第二块之间的边界处，第一结束单元中的至少一些与第二结束单元中的至少一些邻接。

3、根据发明构思的另一方面，提供了一种设计集成电路的方法，所述方法包括：将包括第一功能单元阵列的第一块放置到集成电路的布图中；以及将包括第二功能单元阵列的第二块放置到集成电路的布图中，使得第二块在所述布图内邻近于第一块延伸。放置第二块的步骤包括：确保第一块与第二块之间的虚设区，使得第二块与虚设区邻接。

4、根据发明构思的另一方面，提供了一种集成电路，所述集成电路包括：第一块，在其中具有第一功能单元阵列，第一功能单元阵列至少部分地被第一多个结束单元围绕；以及第二块，邻近于第一块延伸。第二块在其中包括第二功能单元阵列，第二功能单元阵列至少部分地被第二多个结束单元围绕。在这些实施例中的一些实施例中，所述第一多个结束单元包括：(i)放置在所述集成电路的边界处的第一结束单元，以及(ii)放置在第一块与第二块之间的边界处的不同于第一结束单元的第二结束单元。

技术特征：

1.一种设计集成电路的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一结束单元中的至少一个包括终止第一功能单元阵列的第一构造的结构；其中，第二结束单元中的至少一个包括终止第二功能单元阵列的第二构造的结构。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：改变在第一块与第二块的相应边界处的第一结束单元和第二结束单元之中的至少一个结束单元。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述改变至少一个结束单元的步骤包括：识别具有过渡结构的结束单元，并且使用识别的结束单元来替换相应边界处的结束单元。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述改变至少一个结束单元的步骤包括：使用一个结束单元替换在边界处彼此邻接的第一结束单元中的一个和第二结束单元中的一个。

6.根据权利要求2所述的方法，

7.根据权利要求6所述的方法，其中，第一功能单元阵列包括与沿第一方向延伸的多个行对齐的功能单元；其中，第一结束单元包括具有与所述多个行中的两行或更多行对应的高度的结束单元。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，第一块包括围绕第一结束单元的多个第一缓冲单元；其中，第二块包括围绕第二结束单元的多个第二缓冲单元。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，第一构造包括第一功能单元阵列中的栅电极间距、线路间距和单元高度；其中，第二构造包括第二功能单元阵列中的栅电极间距、线路间距和单元高度。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

11.根据权利要求10所述的方法，

12.根据权利要求1至权利要求11中的任意一项所述的方法，还包括：

13.一种设计集成电路的方法，包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述放置第二块的步骤包括：

15.根据权利要求14所述的方法，

16.根据权利要求13所述的方法，

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

18.一种集成电路，包括：

19.根据权利要求18所述的集成电路，其中，第一结束单元具有终止第一功能单元阵列的第一构造的结构；其中，第二结束单元具有第一构造与第二功能单元阵列的第二构造之间的过渡结构。

20.根据权利要求18所述的集成电路，其中，第一结束单元和第二结束单元分别放置在第一块的平行于第一方向延伸的边缘处。

技术总结
公开了包括邻接的块的集成电路和设计集成电路的布图的方法。所述集成电路包括第一块和第二块，第一块在其中具有第一功能单元阵列，第一功能单元阵列至少部分地被第一多个结束单元围绕，第二块邻近于第一块延伸。第二块在其中包括第二功能单元阵列，第二功能单元阵列至少部分地被第二多个结束单元围绕。所述第一多个结束单元包括：(i)放置在集成电路的边界处的第一结束单元，以及(ii)放置在第一块与第二块之间的边界处的不同于第一结束单元的第二结束单元。

技术研发人员：都桢湖,柳志秀,俞炫圭,郑珉在,白尚训
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15