存储装置的制作方法

本公开涉及一种存储装置。

背景技术：

1、以固态驱动器(ssd)为代表的存储器装置不仅可以广泛地用于传统电子设备(诸如用于台式个人计算机(pc)、平板电脑、笔记本电脑、服务器和/或数据中心的存储装置)中，而且还可以广泛地用于与移动性相关的电子装置(诸如智能手机、机动车、无人机、和/或飞行器)中。在电子装置的内部操作期间，存储器装置可能暴露于各种冲击。例如，存储器装置可能暴露于宽温度范围、宽湿度范围、机械冲击、由异常电流和/或电压引起的电冲击等。此类暴露情况和/或冲击可能威胁到存储器装置的可靠性。

技术实现思路

1、本公开的各方面提供了具有改进的产品可靠性的存储装置。

2、根据本公开的方面，提供了一种存储装置。该存储装置包括：印刷电路板；存储器装置，其耦接至印刷电路板；存储控制器，其控制存储器装置并且耦接至印刷电路板；有源中介层，其包括耦接至印刷电路板的逻辑元件；传感器，其布置在有源中介层的内部，被配置为感测冲击，并且向存储控制器提供冲击的传感器信号；以及，应变计，其布置在有源中介层的内部，被配置为测量物理应变并且向存储控制器提供关于物理应变的信号。

3、在一些实施例中，有源中介层包括：包括传感器的芯粒。

4、在一些实施例中，有源中介层包括惠斯通电桥电路，并且应变计被配置为使用惠斯通电桥电路测量物理应变。

5、在一些实施例中，传感器还被配置为基于感测到的冲击的等级等于或高于阈值而向存储控制器提供传感器信号。

6、在一些实施例中，传感器包括热传感器、电压传感器、电流传感器、湿度传感器、机械冲击传感器、以及加速度传感器中的至少一种。

7、在一些实施例中，有源中介层包括使印刷电路板、存储器装置、以及存储控制器耦接的通孔。

8、在一些实施例中，存储控制器被配置为：响应于通过由传感器提供的传感器信号指示的冲击的等级是第一级，向主机提供通知冲击的第一信号，并且不切换存储器装置的模式，并且存储控制器还被配置为：响应于通过由传感器提供的传感器信号指示的冲击的等级是与第一级不同的第二级，向主机提供通知冲击的第二信号，并且切换存储器装置的模式。

9、在一些实施例中，第二级包括第三级和第四级，存储控制器还被配置为响应于通过由传感器提供的传感器信号指示的冲击的等级是第三级而调整存储器装置的操作速度，并且存储控制器还被配置为响应于通过由传感器提供的传感器信号指示的冲击的等级是第四级而控制存储器装置在只读模式下操作。

10、在一些实施例中，第二级还包括第五级，存储控制器还被配置为响应于通过由传感器提供的传感器信号指示的冲击的等级是第五级而关闭存储器装置的电源。

11、在一些实施例中，有源中介层布置在印刷电路板上。

12、在一些实施例中，有源中介层安装在印刷电路板的内部。

13、根据本公开的方面，提供了一种存储装置。该存储装置包括印刷电路板；第一存储器装置；第二存储器装置；存储控制器，其被配置为控制第一存储器装置和第二存储器装置；有源中介层，其使存储控制器、第一存储器装置、第二存储器装置、以及印刷电路板耦接；第一传感器，其更靠近第一存储器装置而非第二存储器装置，并且安装在有源中介层的内部；第二传感器，其更靠近第二存储器装置而非第一存储器装置，并且安装在有源中介层的内部；以及应变计，其放置在有源中介层的内部并且被配置为测量物理应变。第一传感器和第二传感器包括热传感器、电压传感器、电流传感器、湿度传感器、机械冲击传感器、以及加速度传感器中的至少一种。存储控制器被配置为响应于由第一传感器提供的第一传感器信号而控制第一存储器装置的操作。存储控制器被配置为响应于由第二传感器提供的第二传感器信号而控制第二存储器装置的操作。

14、在一些实施例中，有源中介层包括惠斯通电桥电路，并且应变计还被配置为使用惠斯通电桥电路测量物理应变。

15、在一些实施例中，应变计被配置为向存储控制器提供物理应变的应变信号，并且存储控制器被配置为响应于应变信号而切换第一存储器装置的第一模式和第二存储器装置的第二模式。

16、在一些实施例中，应变计位于有源中介层的边缘部分。

17、根据本公开的方面，提供了一种存储装置。该存储装置包括封装基板；第一半导体芯片，其耦接至封装基板；第二半导体芯片，其耦接至封装基板；第三半导体芯片，其耦接至封装基板；有源中介层，其通过通孔使第一半导体芯片、第二半导体芯片、第三半导体芯片、以及封装基板耦接；传感器，其作为芯粒结构安装在有源中介层的内部并且被配置为感测冲击；以及应变计，其安装在有源中介层的内部并且被配置为使用惠斯通电桥电路测量物理应变。传感器还被配置为向第三半导体芯片提供感测到的冲击的传感器信号。应变计还被配置为向第三半导体芯片提供测量到的物理应变的应变信号。第三半导体芯片还被配置为响应于传感器信号和应变信号而控制第一半导体芯片、第二半导体芯片、以及第三半导体芯片的操作。

18、在一些实施例中，第三半导体芯片包括存储控制器，其被配置为取决于根据传感器信号和应变信号的冲击的等级和物理应变的等级来控制第一半导体芯片、第二半导体芯片、以及第三半导体芯片。

19、在一些实施例中，第一半导体芯片包括易失性存储器，第二半导体芯片包括非易失性存储器，第三半导体芯片包括存储控制器，其被配置为响应于物理应变的应变信号而控制第一半导体芯片和第二半导体芯片，并且将关于物理应变的数据存储在易失性存储器中。

20、在一些实施例中，第一半导体芯片放置在封装基板的第一表面上，并且第二半导体芯片和第三半导体芯片放置在封装基板的与第一表面相对的第二表面上。

21、在一些实施例中，应变计位于有源中介层的边缘部分。

22、然而，本公开的各方面不限于本文所述的方面，通过参照在下文中给出的本公开的详细描述，对于本公开涉及的领域的一个普通技术人员来说，本公开的上述和其它方面将变得更加明显。

技术特征：

1.一种存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述有源中介层包括：包括所述传感器的芯粒。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述有源中介层包括惠斯通电桥电路，并且

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述传感器还被配置为基于感测到的所述冲击的等级等于或大于阈值而向所述存储控制器提供所述传感器信号。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述传感器包括热传感器、电压传感器、电流传感器、湿度传感器、机械冲击传感器、以及加速度传感器中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述有源中介层包括使所述印刷电路板、所述存储器装置、以及所述存储控制器耦接的通孔。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储控制器被配置为：响应于通过由所述传感器提供的所述传感器信号指示的冲击的等级是第一级，向主机提供通知所述冲击的第一信号，并且不切换所述存储器装置的模式，并且

8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述第二级包括第三级和第四级，

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，所述第二级还包括第五级，并且

10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述有源中介层布置在所述印刷电路板上。

11.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述有源中介层安装在所述印刷电路板的内部。

12.一种存储装置，包括：

13.根据权利要求12所述的存储装置，其中，所述有源中介层包括惠斯通电桥电路，并且

14.根据权利要求12所述的存储装置，其中，所述应变计被配置为向所述存储控制器提供所述物理应变的应变信号，并且

15.根据权利要求12所述的存储装置，其中，所述应变计位于所述有源中介层的边缘部分。

16.一种存储装置，包括：

17.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述第三半导体芯片包括存储控制器，所述存储控制器被配置为取决于根据所述传感器信号和所述应变信号的所述冲击的等级和所述物理应变的等级来控制所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、以及所述第三半导体芯片。

18.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述第一半导体芯片包括易失性存储器，

19.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述第一半导体芯片放置在所述封装基板的第一表面上，并且

20.根据权利要求16所述的存储装置，其中，所述应变计位于所述有源中介层的边缘部分。

技术总结
在一些实施例中，一种存储装置包括：印刷电路板；存储器装置，其耦接至印刷电路板；存储控制器，其控制存储器装置并且耦接至印刷电路板；有源中介层，其包括耦接至印刷电路板的逻辑元件；传感器，其布置在有源中介层的内部，被配置为感测冲击并向存储控制器提供冲击的传感器信号；以及，应变计，其布置在有源中介层的内部，被配置为测量物理应变并向存储控制器提供关于物理应变的信号。

技术研发人员：李炅垠,柳炫准
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15