存储器件、包括该存储器件的电子装置及其操作方法与流程

本公开涉及一种集成电路，更具体地，涉及一种执行训练的存储器件以及一种包括该存储器件的电子装置的操作方法。

背景技术：

1、存储器件和控制该存储器件的片上系统(soc)可以执行初始化或训练以保证发送和/或接收的数据的可靠性。

2、存储器件和soc可以通过多个引脚彼此连接，并且在初始化或特定训练操作期间，可以执行针对通过引脚发送和/或接收的数据的训练。

3、因为存储器件和soc基于通过训练所获得的训练参数来发送和/或接收数据，所以获得正确的训练参数可能是有利的。

技术实现思路

1、一方面是为了提供一种考虑单元操作来执行训练的存储器件，以及一种包括所述存储器件的电子装置的操作方法。

2、根据一个或更多个实施例的一方面，提供了一种包括存储器件和控制所述存储器件的片上系统的电子装置的操作方法，所述片上系统即soc。所述操作方法包括：对所述存储器件与所述soc之间的命令/地址线执行命令总线训练；基于被存储在所述存储器件中包括的模式寄存器中的第一样式(pattern)来执行第一读取训练；基于对所述存储器件中包括的缓冲器的第一写入操作来执行第一写入训练；基于被存储在所述存储器件中包括的存储器存储体中的第二样式来执行第二读取训练；以及基于对所述存储器存储体的第二写入操作来执行第二写入训练。

3、根据一个或更多个实施例的另一方面，提供了一种电子装置，所述电子装置包括：片上系统，所述片上系统即soc，所述soc包括存储器控制器和第一接口电路；以及存储器件，所述存储器件包括存储器存储体和第二接口电路，所述第二接口电路被配置为：与所述第一接口电路交换信号并控制所述存储器存储体，所述存储器存储体包括多个存储单元，其中，所述第一接口电路和所述第二接口电路被配置为：基于针对第一读取数据对所述存储器存储体进行的第一读取操作执行第一读取训练，并且基于针对第一写入数据对所述存储器存储体进行的写入操作和读取操作执行第一写入训练。

4、根据一个或更多个实施例的另一方面，提供了一种由片上系统控制的存储器件的操作方法，所述片上系统即soc。所述操作方法包括：分别通过命令/地址线和数据线从所述soc接收第一写入命令和第一写入数据；将所述第一写入数据存储在包括在所述存储器件中的存储器存储体中；从所述soc接收第一读取命令；向所述soc提供被存储在所述存储器存储体中的所述第一写入数据；从所述soc接收第一数据信号电压配置信息；以及基于所述第一数据信号电压配置信息来将参考电压的电平调节为第一电平，所述参考电压用于捕获通过所述数据线接收到的数据。

技术特征：

1.一种包括存储器件和控制所述存储器件的片上系统的电子装置的操作方法，所述片上系统即soc，所述操作方法包括：

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，执行所述第一读取训练包括：由所述soc将soc参考电压调节为第一电平，并且

3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，将所述soc参考电压调节为所述第一电平包括：将所述soc参考电压调节为第一电压范围内的电平，

4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，执行所述第一读取训练包括：由所述soc将数据信号与读取选通信号之间的相位差调节为第一相位值，所述数据信号和所述读取选通信号是从所述存储器件接收的，并且

5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，执行所述第二读取训练包括：

6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，执行所述第一写入训练包括：基于对所述存储器件的所述缓冲器的所述第一写入操作，将写入时钟信号与数据信号之间的相位差调节为第一相位值，

7.根据权利要求1所述的操作方法，其中，执行所述第一写入训练包括：由所述存储器件基于对所述存储器件的所述缓冲器的所述第一写入操作，将数据信号参考电压调节为第一电平，

8.根据权利要求7所述的操作方法，其中，执行所述第一写入训练包括：

9.一种电子装置，所述电子装置包括：

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述第二接口电路包括缓冲器，所述缓冲器存储从所述第一接口电路接收到的数据，并且

11.根据权利要求10所述的电子装置，其中，关于所述第一读取训练的第一读取训练参数与关于所述第二读取训练的第二读取训练参数不同，并且

12.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述第一接口电路还被配置为：在所述第一读取训练期间基于所述第一读取数据来调节参考电压的电平，所述参考电压用于捕获所述第一读取数据。

13.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述第二接口电路还被配置为：在所述第一读取训练期间，基于所述第一读取数据来调节读取选通信号与第一数据信号之间的相位差，所述读取选通信号和所述第一数据信号是从所述第二接口电路接收的。

14.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述第一接口电路还被配置为：在所述第一写入训练期间，基于所述第一写入数据来调节写入时钟信号与数据信号之间的相位差，所述写入时钟信号和所述数据信号被提供给所述第二接口电路。

15.根据权利要求9所述的电子装置，其中，所述第一接口电路还被配置为：在所述第一写入训练期间通过将所述第一写入数据与原始数据进行比较来计算第一参考电压配置信息，并且

16.一种由片上系统控制的存储器件的操作方法，所述片上系统即soc，所述操作方法包括：

17.根据权利要求16所述的操作方法，其中，将所述参考电压的电平调节为所述第一电平包括：

18.根据权利要求16所述的操作方法，其中，将所述第一写入数据存储在所述存储器存储体中包括：通过使用连接到所述存储器存储体的位线的写入驱动器，来将所述第一写入数据存储在所述存储器存储体中。

19.根据权利要求18所述的操作方法，其中，向所述soc提供所述第一写入数据包括：通过使用连接到所述存储器存储体的位线的读出放大器来从所述存储器存储体读取所述第一写入数据。

20.根据权利要求16所述的操作方法，所述操作方法还包括：

技术总结
本公开提供了一种存储器件、包括该存储器件的电子装置及其操作方法。所述电子装置的操作方法包括：对存储器件与片上系统(SoC)之间的命令/地址线执行命令总线训练；基于被存储在所述存储器件中包括的模式寄存器中的第一样式来执行第一读取训练；基于对所述存储器件中包括的缓冲器的第一写入操作来执行第一写入训练；基于被存储在所述存储器件中包括的存储器存储体中的第二样式来执行第二读取训练；以及基于对所述存储器存储体的第二写入操作来执行第二写入训练。

技术研发人员：苏秉旭
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16