指纹识别显示面板及显示装置的制作方法

文档序号:35468238发布日期:2023-09-16 10:40阅读:36来源:国知局
指纹识别显示面板及显示装置的制作方法

本发明涉及显示,特别是指一种指纹识别显示面板及显示装置。


背景技术:

1、指纹识别即指通过比较不同指纹的细节特征点来进行身份鉴别。由于每个人的指纹不同,因此指纹可用于身份鉴定。得益于有机发光二极管(organic light-emittingdiode,简称oled)产能障壁的打破、技术成熟度以及可预见的成本下降,光学指纹识别技术正式成为指纹识别最重要的实现手段之一。


技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是提供一种指纹识别显示面板及显示装置,能够降低指纹识别的噪声。

2、为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:

3、一方面,提供一种指纹识别显示面板,包括:

4、驱动基板;

5、设置在所述驱动基板上的多个像素单元,所述像素单元包括显示单元和有机光电二极管,所述显示单元包括依次设置的第一电极、发光层和第二电极;所述有机光电二极管包括依次设置的第三电极、光电传感层和第四电极,所述第四电极和所述第二电极之间间隔有绝缘层。

6、一些实施例中,所述第一电极与所述第三电极同层同材料设置。

7、一些实施例中,所述绝缘层为有机封装层,所述有机封装层位于所述第四电极远离所述衬底基板的一侧,且位于所述第二电极靠近所述驱动基板的一侧。

8、一些实施例中,所述驱动基板还包括:与所述第四电极连接的电极走线,所述电极走线与所述第三电极同层同材料设置。

9、一些实施例中,所述驱动基板包括依次设置的源漏金属层、平坦层、像素界定层,所述绝缘层为所述像素界定层。

10、一些实施例中,所述第三电极采用所述源漏金属层制作,所述第一电极包括透明导电层,所述第四电极与所述透明导电层同层同材料设置。

11、一些实施例中,所述驱动基板还包括:与所述第四电极连接的电极走线,所述电极走线与所述透明导电层同层同材料设置。

12、一些实施例中,所述驱动基板还包括:与所述第四电极连接的电极走线,所述电极走线采用所述源漏金属层制作,所述电极走线通过贯穿所述平坦层的过孔与所述第四电极连接。

13、一些实施例中,所述驱动基板还包括:与所述第四电极连接的电极走线,所述电极走线与所述第一电极同层同材料设置。

14、本发明的实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的指纹识别显示面板。

15、本发明的实施例具有以下有益效果:

16、上述方案中,有机光电二极管的第四电极和显示单元的第二电极之间间隔有绝缘层,这样能够隔绝第四电极和第二电极,降低第二电极上电信号对第四电极的影响,从而降低指纹识别过程中的噪声。



技术特征:

1.一种指纹识别显示面板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述第一电极与所述第三电极同层同材料设置。

3.根据权利要求2所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述绝缘层为有机封装层,所述有机封装层位于所述第四电极远离所述驱动基板的一侧,且位于所述第二电极靠近所述驱动基板的一侧。

4.根据权利要求3所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述驱动基板还包括:与所述第四电极连接的电极走线,所述电极走线与所述第三电极同层同材料设置。

5.根据权利要求1所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述驱动基板包括依次设置的源漏金属层、平坦层、像素界定层,所述绝缘层为所述像素界定层。

6.根据权利要求5所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述第三电极采用所述源漏金属层制作,所述第一电极包括透明导电层,所述第四电极与所述透明导电层同层同材料设置。

7.根据权利要求6所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述驱动基板还包括:与所述第四电极连接的电极走线,所述电极走线与所述透明导电层同层同材料设置。

8.根据权利要求6所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述驱动基板还包括:与所述第四电极连接的电极走线,所述电极走线采用所述源漏金属层制作,所述电极走线通过贯穿所述平坦层的过孔与所述第四电极连接。

9.根据权利要求6所述的指纹识别显示面板,其特征在于,所述驱动基板还包括:与所述第四电极连接的电极走线,所述电极走线与所述第一电极同层同材料设置。

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9中任一项所述的指纹识别显示面板。


技术总结
本发明提供了一种指纹识别显示面板及显示装置,属于显示技术领域。其中,指纹识别显示面板,包括:驱动基板;设置在所述驱动基板上的多个像素单元,所述像素单元包括显示单元和有机光电二极管,所述显示单元包括依次设置的第一电极、发光层和第二电极;所述有机光电二极管包括依次设置的第三电极、光电传感层和第四电极,所述第四电极和所述第二电极之间间隔有绝缘层。本发明的技术方案能够降低指纹识别的噪声。

技术研发人员:王晶,田宏伟,李然,李良坚,陈善韬,杨静
受保护的技术使用者:京东方科技集团股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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