一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法及控制电路与流程

本发明涉及单片机，更具体地，涉及一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法及一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路。

背景技术：

1、目前消费端电子产品需要做到掉电记忆功能，常规做法就是搭配记忆芯片如24c02-eeprom存储器芯片、或者芯片内部自带eeprom功能模块。

2、使用带ad采集功能的芯片与记忆芯片结合实现防摔，低压复位等，价格太高，适用于长时间掉电记忆；使用掉电保护电路，短时间记忆，需要较大的电容。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的不足，本发明提供了一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法及控制电路，在很多场景上都能用到，适配在特定要求下的记忆需求，无需额外增加器件，就可实现简单记忆功能，并根据短期上电次数，判断芯片欠压。

2、作为本发明的第一个方面，提供一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，用于实现单片机的低压复位功能，所述基于低压复位实现短期记忆的控制方法包括：

3、步骤s1：在单片机上电后，获取单片机内部三个寄存器各自存储的当前模式值；

4、步骤s2：判断所述三个寄存器存储的当前模式值是否一致；

5、步骤s3：若所述三个寄存器存储的当前模式值不一致或者都为0时，控制所述单片机进入睡眠模式；若所述三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入工作模式；

6、步骤s4：在所述单片机进入工作模式后的一特定时间段内，判断所述单片机的上电次数是否超过预设标准值；

7、步骤s5：若所述单片机的上电次数超过所述预设标准值，控制所述单片机进入所述睡眠模式；若所述单片机的上电次数未超过所述预设标准值，则再次获取所述三个寄存器各自存储的当前模式值；

8、步骤s6：根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式。

9、进一步地，所述根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式，还包括：

10、若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值不一致或者都为0时，控制所述单片机进入所述睡眠模式；

11、若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式。

12、进一步地，所述若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式，还包括：

13、在所述单片机进入所述正常跑模式后，所述单片机输出较大功率，使所述单片机的vdd电压降低，导致所述单片机低压复位；在所述单片机复位后，所述单片机停止输出较大功率，所述单片机的vdd电压回升，所述单片机正常工作，再次输出较大功率，使所述单片机的vdd电压再次降低，导致所述单片机再次低压复位，如此循环往复地实现所述单片机的低压复位功能。

14、进一步地，所述若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式，还包括：

15、当所述单片机进入所述正常跑模式一段时间后，清除所述单片机的上电次数。

16、进一步地，所述根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式，还包括：

17、在所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式后，能够通过按键触发来切换所述单片机的当前运行模式。

18、作为本发明的另一个方面，提供一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路，用于实现前文所述的基于低压复位实现短期记忆的控制方法，所述基于低压复位实现短期记忆的控制电路包括按键key1、单片机u2、第一mos管q1、第二mos管q2、第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3、电阻r1、电感l1、二极管d1以及高功率led灯h1，所述单片机u2的第四引脚连接所述按键key1，所述单片机u2的第一引脚和第八引脚分别连接在所述第三电容c3的两端，所述单片机u2的第六引脚分别连接所述第一mos管q1的栅极和电阻r1的一端，所述第一mos管q1的漏极分别连接电感l1的一端和二极管d1的正极，所述电感l1的另一端和第一电容c1的一端均接供电端vcc，所述二极管d1的负极分别连接所述高功率led灯h1的一极和第二电容c2的一端，所述第一mos管q1的源极、电阻r1的另一端、第一电容c1的另一端和第二电容c2的另一端均接地；所述单片机u2的第五引脚连接所述第二mos管q2的栅极，所述第二mos管q2的漏极连接所述高功率led灯h1的另一极，所述第二mos管q2的源极接地；

19、其中，当所述按键key1被按下后，所述单片机u2的第六引脚输出第一控制信号out1以控制第一mos管q1导通，所述单片机u2的第五引脚输出第二控制信号out2以控制第二mos管q2导通，所述高功率led灯h1亮，此时，所述单片机u2上电，在所述单片机u2上电后，开始执行基于低压复位实现短期记忆的控制过程。

20、进一步地，所述第一电容c1为升压前的稳压滤波电容。

21、进一步地，所述第二电容c2为升压后的稳压电容。

22、进一步地，所述第三电容c3为单片机供电部分的滤波电容。

23、进一步地，所述电感l1为升压电感。

24、本发明提供的基于低压复位实现短期记忆的控制方法具有以下优点：在很多场景上都能用到，例如，手持照明设备、手持风扇等，适配在特定要求下的记忆需求，无需额外增加器件。就可实现简单记忆功能，并根据短期上电次数，判断单片机芯片欠压。

技术特征：

1.一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，用于实现单片机的低压复位功能，其特征在于，所述基于低压复位实现短期记忆的控制方法包括：

2.根据权利要求1所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，其特征在于，所述根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式，还包括：

3.根据权利要求2所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，其特征在于，所述若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式，还包括：

4.根据权利要求2所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，其特征在于，所述若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式，还包括：

5.根据权利要求1所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，其特征在于，所述根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式，还包括：

6.一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路，用于实现权利要求1至5中任意一项所述的基于低压复位实现短期记忆的控制方法，其特征在于，所述基于低压复位实现短期记忆的控制电路包括按键key1、单片机u2、第一mos管q1、第二mos管q2、第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3、电阻r1、电感l1、二极管d1以及高功率led灯h1，所述单片机u2的第四引脚连接所述按键key1，所述单片机u2的第一引脚和第八引脚分别连接在所述第三电容c3的两端，所述单片机u2的第六引脚分别连接所述第一mos管q1的栅极和电阻r1的一端，所述第一mos管q1的漏极分别连接电感l1的一端和二极管d1的正极，所述电感l1的另一端和第一电容c1的一端均接供电端vcc，所述二极管d1的负极分别连接所述高功率led灯h1的一极和第二电容c2的一端，所述第一mos管q1的源极、电阻r1的另一端、第一电容c1的另一端和第二电容c2的另一端均接地；所述单片机u2的第五引脚连接所述第二mos管q2的栅极，所述第二mos管q2的漏极连接所述高功率led灯h1的另一极，所述第二mos管q2的源极接地；

7.根据权利要求6所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路，其特征在于，所述第一电容c1为升压前的稳压滤波电容。

8.根据权利要求6所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路，其特征在于，所述第二电容c2为升压后的稳压电容。

9.根据权利要求6所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路，其特征在于，所述第三电容c3为单片机供电部分的滤波电容。

10.根据权利要求6所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路，其特征在于，所述电感l1为升压电感。

技术总结
本发明涉及单片机技术领域，具体公开了一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，包括：在单片机上电后，获取其内部三个寄存器各自存储的当前模式值，并判断当前模式值是否一致；若不一致或者都为0，控制单片机进入睡眠模式；若都为1，控制单片机进入工作模式；在单片机进入工作模式后的一时间段内，判断单片机的上电次数是否超过标准值；若超过标准值，控制单片机进入睡眠模式；若未超过标准值，则再次获取三个寄存器各自存储的当前模式值；根据再次获取到的当前模式值，控制单片机进入睡眠模式或正常跑模式。本发明还公开了一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路。本发明能够实现简单记忆功能，并根据短期上电次数，判断芯片欠压。

技术研发人员：方根贤
受保护的技术使用者：浙江锋华创芯微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15