一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片的制作方法

本发明涉及soc芯片，特别涉及一种减少非必要nfc识别次数的soc芯片。

背景技术：

1、目前，nfc（near field communication）近场通信技术广泛应用于智能终端。nfc技术通过智能终端上的soc芯片实现。

2、外部设备发射的射频信号在达到一定强度时，均会唤起soc芯片的近场通讯进程。但是，当用户不需要进行近场通信时，终端也未直接对准外部设备，一些外部设备直接发出或反射的射频信号入射到soc芯片上时，也可能唤起芯片的进场通信进程，导致终端能耗增加。

3、因此，针对上述不足，急需一种减少非必要nfc识别次数的soc芯片。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种减少非必要nfc识别次数的soc芯片，能够减少非必要nfc识别次数。

2、本发明实施例提供一种减少非必要nfc识别次数的soc芯片，包括：

3、芯片主体，用于将接收到的射频信号转换为反馈信号以完成近场通信；

4、筛选结构，设置在所述芯片主体用于接收信号和发射信号的一侧，所述筛选结构用于使部分穿过所述筛选结构的射频信号发生全反射；

5、所述芯片主体和所述筛选结构之间设置屏蔽结构，所述屏蔽结构用于屏蔽信号强度低于预设值的射频信号；

6、所述芯片主体和所述屏蔽结构之间设置信号增大器，所述信号增大器用于增强穿过所述屏蔽结构传输向所述芯片主体的信号。

7、在一种可能的设计中，所述筛选结构为层状，所述筛选结构的制备材料的折射率小于空气的折射率。

8、在一种可能的设计中，所述筛选结构为球形，所述筛选结构的制备材料的折射率大于空气的折射率。

9、在一种可能的设计中，所述屏蔽结构的制备材料包括导电材料。

10、在一种可能的设计中，所述屏蔽结构包括金属板。

11、在一种可能的设计中，所述屏蔽结构沿厚度方向依次包括屏蔽层和调节层，所述屏蔽层为金属板，所述调节层为层状铁氧体。

12、在一种可能的设计中，所述屏蔽结构沿厚度方向包括绝缘的基底层和阻抗层，所述阻抗层包括多个设置在所述基底层上的、互不接触的环状单元，所述环状单元包括导体部和半导体部，所述导体部的两端通过所述半导体部连接，所述屏蔽结构包括正面和背面，看向所述正面时，所述环状单元上的半导体部沿顺时针方向为通路，沿逆时针方向为断路，所述正面为所述屏蔽结构朝向所述芯片主体的一面。

13、在一种可能的设计中，由所述正面向所述背面，所述屏蔽结构依次包括基底层和阻抗层。

14、在一种可能的设计中，所述环状单元为导体形成的正方形环，所述导体的直径为0.01~0.02mm，所述环状单元的边长为0.35~0.4mm。

15、本发明与现有技术相比至少具有如下有益效果：

16、在本实施例中，筛选结构能够将一些入射到其上的射频信号全反射，从而对射频信号进行一个筛选。只有入射到筛选结构的中心位置的射频信号或以较小入射角入射到筛选结构的射频信号才能通过筛选结构。需要说明的是，筛选结构并不会降低射频信号的强度，只是对射频信号入射到筛选层的位置或入射角度进行筛选。综上，只有接近垂直筛选结构的射频信号或入射到筛选结构中心的射频信号才能被识别，防止了其他非目标设备发生的射频信号或其他方位反射的射频信号唤醒nfc识别进程。

技术特征：

1.一种减少非必要nfc识别次数的soc芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的soc芯片，其特征在于，所述筛选结构（2）为层状，所述筛选结构（2）的制备材料的折射率小于空气的折射率。

3.根据权利要求1所述的soc芯片，其特征在于，所述筛选结构（2）为球形，所述筛选结构（2）的制备材料的折射率大于空气的折射率。

4.根据权利要求1所述的soc芯片，其特征在于，所述屏蔽结构（3）的制备材料包括导电材料。

5.根据权利要求4所述的soc芯片，其特征在于，所述屏蔽结构（3）包括金属板。

6.根据权利要求5所述的soc芯片，其特征在于，所述屏蔽结构（3）沿厚度方向依次包括屏蔽层（31）和调节层（32），所述屏蔽层（31）为金属板，所述调节层（32）为层状铁氧体。

7.根据权利要求4所述的soc芯片，其特征在于，所述屏蔽结构（3）沿厚度方向包括绝缘的基底层（34）和阻抗层（33），所述阻抗层（33）包括多个设置在所述基底层（34）上的、互不接触的环状单元（331），所述环状单元（331）包括导体部（331a）和半导体部（331b），所述导体部（331a）的两端通过所述半导体部（331b）连接，所述屏蔽结构（3）包括正面和背面，看向所述正面时，所述环状单元（331）上的半导体部（331b）沿顺时针方向为通路，沿逆时针方向为断路，所述正面为所述屏蔽结构（3）朝向所述芯片主体（1）的一面。

8.根据权利要求7所述的soc芯片，其特征在于，由所述正面向所述背面，所述屏蔽结构（3）依次包括基底层（34）和阻抗层（33）。

9.根据权利要求8所述的soc芯片，其特征在于，所述环状单元（331）为导体形成的正方形环，所述导体的直径为0.01~0.02mm，所述环状单元（331）的边长为0.35~0.4mm。

技术总结
本发明涉及SOC芯片技术领域，特别涉及一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片。本发明实施例提供一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片，包括：芯片主体，用于将接收到的射频信号转换为反馈信号以完成近场通信；筛选结构，设置在芯片主体用于接收信号和发射信号的一侧，筛选结构用于使部分穿过筛选结构的射频信号发生全反射；芯片主体和筛选结构之间设置屏蔽结构，屏蔽结构用于屏蔽信号强度低于预设值的射频信号；芯片主体和屏蔽结构之间设置信号增大器，信号增大器用于增强穿过屏蔽结构传输向芯片主体的信号。本发明实施例提供了一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片，能够减少非必要NFC识别次数。

技术研发人员：王嘉诚,张少仲
受保护的技术使用者：中诚华隆计算机技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16