一种晶圆划痕检测方法、装置、设备及存储介质与流程

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种晶圆划痕检测方法、装置、设备及存储介质。

背景技术：

1、现有的晶圆划痕检测算法中，通常使用深度学习或者传统图像算法进行检测。对于晶粒图案比较简单的晶圆，一般使用传统图像算法对缺陷进行阈值分割、特征提取等形态学操作就可以将明显的划痕缺陷检测出来。但是当划痕特征不明显以及划痕出现断离的现象时，传统的图像算法就很难区分，检测准确率比较低。

2、另外，对于晶粒图案比较复杂的晶圆，一般使用深度学习的算法进行检测。这种方法需要采集大量的同类型缺陷图片对模型进行训练才能提升检测效果，但是漏检测的划痕缺陷比较难收集，需要从已检测的晶圆图片中寻找，数量少且找寻的难度大。

3、基于此，本申请提供一种新的晶圆划痕检测方法。

技术实现思路

1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种晶圆划痕检测方法、装置、设备及存储介质，应用于晶圆检测中，不需要大量的标注数据，通用性好适用于所有的划痕检测，降低了划痕两端晶粒的漏检率，提高了划痕检测的准确率。

2、本说明书实施例提供以下技术方案：

3、本说明书实施例提供一种晶圆划痕检测方法，其特征在于，包括：

4、对输入的晶圆图片进行划痕缺陷检测，得到所述晶圆的晶粒分布图和有划痕缺陷的晶粒分布图；

5、根据所述有划痕缺陷的晶粒分布图拟合划痕晶粒的线段；

6、根据所述划痕晶粒的线段得到划痕缺陷的延伸线段；

7、根据所述延伸线段与所述晶粒分布图确定新增的划痕晶粒。

8、本说明书实施例还提供一种晶圆缺陷检测的方法，其特征在于，根据输入的晶圆图片，采用如权利要求1-6中任一项所述的晶圆划痕检测方法，得到新增的划痕晶粒；

9、根据新增的划痕晶粒得到划痕检测的结果。

10、本说明书实施例还提供一种晶圆划痕检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：

11、获取训练样本，所述训练样本包括实际晶圆检测中划痕两端的漏检图片和划痕断离的图片，并对所述训练样本进行缺陷数据标注；

12、基于权利要求1-6中任一项所述的晶圆划痕检测方法构建检测模型；

13、基于所述训练样本对所述检测模型进行迭代训练，得到优化检测模型。

14、本说明书实施例还提供一种晶圆划痕检测装置，包括：获取模块、拟合模块、得到模块和确定模块；

15、所述获取模块，用于获取晶圆的晶粒分布图和有划痕缺陷的晶粒分布图；

16、所述拟合模块，用于根据所述有划痕缺陷的晶粒分布图拟合划痕晶粒的线段；

17、所述得到模块，用于根据所述划痕晶粒的线段得到划痕缺陷的延伸线段；

18、所述确定模块，用于根据所述延伸线段与所述晶粒分布图确定新增的划痕晶粒。

19、本说明书实施例还提供一种用于晶圆划痕检测的电子设备，包括：存储器、处理器以及计算机程序，所述计算机程序存储在所述存储器中，所述处理器运行所述计算机程序执行权利要求1-6中任一项所述晶圆划痕检测方法。

20、本说明书实施例还提供一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现权利要求1-6中任一项所述晶圆划痕检测方法。

21、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：

22、本申请利用划痕自身的特征，根据有划痕缺陷的晶粒分布图拟合划痕晶粒的线段，再计算出划痕缺陷的延伸线段，最终找到新增的划痕晶粒。该算法简单易实现且通用性强，无需大量的标注数据，显著降低了划痕两端晶粒附近的漏检率，提高划痕检测的准确率。

技术特征：

1.一种晶圆划痕检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆划痕检测方法，其特征在于，根据所述有划痕缺陷的晶粒分布图拟合划痕晶粒的线段，所述拟合划痕晶粒的线段的方法包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆划痕检测方法，其特征在于，使用最小二乘法，找到使误差函数最小化的a和b的值，从而得到最佳拟合直线的斜率和截距，具体步骤包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆划痕检测方法，其特征在于，所述方法还包括：判断所述划痕晶粒的线段是否有交叉，有则获取交叉点；

5.根据权利要求1或4所述的晶圆划痕检测方法，其特征在于，根据所述划痕晶粒的线段得到划痕缺陷的延伸线段，包括：

6.根据权利要求1所述的晶圆划痕检测方法，其特征在于，根据所述延伸线段与所述晶粒分布图确定新增的划痕晶粒，包括：

7.一种晶圆缺陷检测的方法，其特征在于，根据输入的晶圆图片，采用如权利要求1-6中任一项所述的晶圆划痕检测方法，得到新增的划痕晶粒；

8.一种晶圆划痕检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：

9.一种晶圆划痕检测装置，其特征在于，所述晶圆划痕检测装装置包括：获取模块、拟合模块、得到模块和确定模块；

10.一种用于晶圆划痕检测的电子设备，其特征在于包括：存储器、处理器以及计算机程序，所述计算机程序存储在所述存储器中，所述处理器运行所述计算机程序执行权利要求1-6中任一项所述晶圆划痕检测方法。

11.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用于实现权利要求1-6中任一项所述晶圆划痕检测方法。

技术总结
本申请提供一种晶圆划痕检测方法、装置、设备及存储介质，应用于半导体制造技术领域，晶圆划痕检测方法包括：对输入的晶圆图片进行划痕缺陷检测，得到所述晶圆的晶粒分布图和有划痕缺陷的晶粒分布图；根据所述有划痕缺陷的晶粒分布图拟合划痕晶粒的线段；根据所述划痕晶粒的线段得到划痕缺陷的延伸线段；根据所述延伸线段与所述晶粒分布图确定新增的划痕晶粒。本发明无需大量的标注数据，只需在现有检测到的划痕数据上进一步处理，就可以对划痕两端的晶粒漏检问题有很大改善，显著降低了划痕两端晶粒附近的漏检率，提高划痕检测的准确率。

技术研发人员：曾浩宇,张奇,任鲁西
受保护的技术使用者：魅杰光电科技（上海）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1